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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A5N30S3AETR	8541.10.0080	30,000	n通道		30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP	8541.10.0080	4,000	n通道		600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM75N60T2	0.3600	RFQ	9812	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60T2	8541.10.0080	5,000	n通道		60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP	8541.10.0080	4,000	n通道		700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD	8541.10.0080	4,000	n通道		700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2	8541.10.0080	5,000	n通道		800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM1216	0.1200	RFQ	9882	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1216TR	8541.10.0080	25,000	P通道		12 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	18mohm @ 6.7a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	2700 PF @ 10 V	-	18W（TC）
RM5N150S8	0.4000	RFQ	8016	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N150S8	8541.10.0080	300	n通道		150 v	4.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	±20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W（TA）
RM50N150DF	0.6400	RFQ	1275	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N150DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道		150 v	50A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	5200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
RM40N200TI	0.7600	RFQ	2452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N200TI	8541.10.0080	5,000	n通道		200 v	40a（ta）	10V	41mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	6500 PF @ 25 V	-	60W（TA）
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RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7	8541.10.0080	1,800	n通道		200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM2312	0.0440	RFQ	5226	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2312TR	8541.10.0080	30,000	n通道		20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 4.5A，4.5V	1.2V @ 250µA	±12V	500 pf @ 8 V	-	1.25W（TA）
RM40N600T7	1.3200	RFQ	1226	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RM40N	标准		306 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N600T7	8541.10.0080	300		400V，40a，10ohm，15V										151 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	1.12mj（在）（610µJ）上）	149 NC	21NS/203NS
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道		100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM21N700TI	1.3300	RFQ	9246	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700TI	8541.10.0080	5,000	n通道		700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA	±30V	1950 pf @ 50 V	-	34W（TC）
RM50N60DF	0.5600	RFQ	3189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	75W（TC）
RM150N100HD	0.9500	RFQ	1451	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N100HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道		100 v	150a（TC）	10V	4.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	+20V，-12V	6680 pf @ 50 V	-	275W（TC）
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM27P30LDTR	8541.10.0080	25,000	P通道		30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W（TC）
RM70P30LD	0.2800	RFQ	8708	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P30LDTR	8541.10.0080	25,000	P通道		30 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	3450 pf @ 25 V	-	90W（TC）
RM210N75HD	0.9200	RFQ	2322	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM210N75HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道		75 v	210a（TC）	10V	4mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	±20V	11000 PF @ 25 V	-	330W（TC）
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI	8541.10.0080	5,000	n通道		650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
RM80N100T2	0.5100	RFQ	3123	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N100T2	8541.10.0080	5,000	n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	5480 pf @ 50 V	-	125W（TC）
RM70P40LD	0.3800	RFQ	7749	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P40LD	8541.10.0080	4,000	P通道		40 V	70A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	5380 pf @ 20 V	-	130W（TC）
RM17N800HD	1.5300	RFQ	8118	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道		800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道		650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RMD1N25ES9	0.0600	RFQ	7475	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD1N25ES9TR	8541.10.0080	30,000	n通道		25 v	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	600mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	±12V	30 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RM2333A	0.0680	RFQ	4902	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM233333ATR	8541.10.0080	30,000	P通道		12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
RM3010S6	0.0640	RFQ	2549	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010S6TR	8541.10.0080	30,000	n通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²