RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RM80N60DF	0.5500	RFQ	2083	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	60 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 40a，10v	2.4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	85W（TC）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3400Tr	8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI	8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25N30DNTR	8541.10.0080	25,000	n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650TI	8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7	8541.10.0080	1,800	n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800T2	8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP	8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM6N100S4	0.1400	RFQ	9965	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4TR	8541.10.0080	30,000	n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM16P60LDTR	8541.10.0080	25,000	P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA	±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P60LDTR	8541.10.0080	25,000	P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM20N60LD	0.1400	RFQ	3021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N60LDTR	8541.10.0080	25,000	n通道	60 V	20A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	500 pf @ 30 V	-	45W（TC）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM47N600T7	2.9600	RFQ	3602	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM47N600T7	8541.10.0080	1,800	n通道	600 v	47A（TJ）	10V	81MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA	±20V	3111.9 pf @ 25 V	-	417W
RM185N30DF	0.7300	RFQ	8931	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM185N30DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.4MOHM @ 95A，10V	2V @ 250µA	±20V	8800 pf @ 15 V	-	95W（TC）
RM3415	0.0560	RFQ	8856	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3415TR	8541.10.0080	30,000	P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	±10V	950 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
RM1A5N30S3AE	0.0390	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A5N30S3AETR	8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	1.5A（TA），1.4a（tc）	2.5V，4.5V	144MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	±10V	105 pf @ 15 V	-	400MW（TA），500MW（（（（（（（（（（（
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2	8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR	8541.10.0080	40,000	P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
RM8N700LD	0.4700	RFQ	1520	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700LD	8541.10.0080	4,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM50N60DF	0.5600	RFQ	3189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	75W（TC）
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650IP	8541.10.0080	4,000	n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM30N100LD	0.3500	RFQ	2353	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N100LDTR	8541.10.0080	25,000	n通道	100 v	30A（TC）	10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	2000 pf @ 25 V	-	85W（TC）
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD	8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM18P100HDE	0.3400	RFQ	4578	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM18P100HDETR	8541.10.0080	8,000	P通道	100 v	18A（TC）	10V	100mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	±20V	1300 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RM170N30DF	0.6900	RFQ	5272	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM170N30DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.65MOHM @ 85A，10V	2V @ 250µA	±20V	7300 PF @ 15 V	-	75W（TC）
RM70P40LD	0.3800	RFQ	7749	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P40LD	8541.10.0080	4,000	P通道	40 V	70A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	5380 pf @ 20 V	-	130W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KATR	8541.10.0080	30,000	n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA	±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²