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257）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM80N30LD Rectron USA RM80N30LD 0.1900
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N30LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 80A（TC） 5V，10V 6.5MOHM @ 30a，10v 3V @ 250µA ±20V 2330 pf @ 15 V - 83W（TC）
RM185N30DF Rectron USA RM185N30DF 0.7300
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM185N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 185a（TC） 4.5V，10V 1.4MOHM @ 95A，10V 2V @ 250µA ±20V 8800 pf @ 15 V - 95W（TC）
RM5N800T2 Rectron USA RM5N800T2 0.6700
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N800T2 8541.10.0080 5,000 n通道 800 v 5A（TC） 10V 1.2OHM @ 2A，10V 4.5V @ 250µA ±30V 1320 PF @ 50 V - 98W（TC）
RM47N600T7 Rectron USA RM47N600T7 2.9600
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM47N600T7 8541.10.0080 1,800 n通道 600 v 47A（TJ） 10V 81MOHM @ 15.6A，10V 4V @ 250µA ±20V 3111.9 pf @ 25 V - 417W
RM35P30LD Rectron USA RM35P30LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM35P30LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 1345 PF @ 15 V - 34.7W（TC）
RM12N100S8 Rectron USA RM12N100S8 0.3800
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N100S8TR 8541.10.0080 40,000 n通道 100 v 12a（12a） 4.5V，10V 10mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2250 pf @ 50 V - 3.1W（TA）
RMD1N25ES9 Rectron USA RMD1N25ES9 0.0600
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET （金属 o化物） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RMD1N25ES9TR 8541.10.0080 30,000 n通道 25 v 1.1A（TA） 2.5V，4.5V 600mohm @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA ±12V 30 pf @ 10 V - 800MW（TA）
RM2333A Rectron USA RM2333A 0.0680
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM233333ATR 8541.10.0080 30,000 P通道 12 v 6a（6a） 2.5V，4.5V 30mohm @ 6a，4.5V 1V @ 250µA ±12V 1100 pf @ 6 V - 1.8W（TA）
RM30P30D3 Rectron USA RM30P30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM30P30D3TR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 30a（TA） 4.5V，10V 10mohm @ 15a，10v 2V @ 250µA ±20V 2150 pf @ 25 V - 40W（TA）
RM6N100S4V Rectron USA RM6N100S4V 0.1600
RFQ
 ECAD 9753 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM6N100S4VTR 8541.10.0080 30,000 n通道 100 v 6a（6a） 10V 140MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 690 pf @ 25 V - （3W）（TA）
RM7N600LD Rectron USA RM7N600LD 0.5800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM7N600LD 8541.10.0080 4,000 n通道 600 v 7A（TC） 10V 580MOHM @ 3A，10V 4V @ 250µA ±30V 587 PF @ 50 V - 63W（TC）
RM120N30T2 Rectron USA RM120N30T2 0.3300
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM120N30T2 8541.10.0080 5,000 n通道 30 V 120a（ta） 10V 3.5mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA ±20V 3550 pf @ 25 V - 120W（ta）
RM210N75HD Rectron USA RM210N75HD 0.9200
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM210N75HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 75 v 210a（TC） 10V 4mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA ±20V 11000 PF @ 25 V - 330W（TC）
RM5N40S2 Rectron USA RM5N40S2 0.0690
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N40S2TR 8541.10.0080 30,000 n通道 40 V 5A（5A） 4.5V，10V 32MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 593 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
RM15P30S8 Rectron USA RM15P30S8 0.2400
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM15P30S8TR 8541.10.0080 40,000 P通道 30 V 15A（TA） 10V 12mohm @ 15a，10v 2.2V @ 250µA ±20V 2900 PF @ 15 V - 3.1W（TA）
RM40N40LD Rectron USA RM40N40LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40N40LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 40 V 42A（TC） 4.5V，10V 11.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 1314 PF @ 15 V - 34.7W（TC）
RM7N600IP Rectron USA RM7N600IP 0.5500
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM7N600IP 8541.10.0080 4,000 n通道 600 v 7A（TC） 10V 580MOHM @ 3A，10V 4V @ 250µA ±30V 587 PF @ 50 V - 63W（TC）
RM75N60T2 Rectron USA RM75N60T2 0.3600
RFQ
 ECAD 9812 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM75N60T2 8541.10.0080 5,000 n通道 60 V 75A（TC） 10V 11.5MOHM @ 30a，10v 4V @ 250µA ±20V 2350 pf @ 25 V - 110W（TC）
RM5N700IP Rectron USA RM5N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N700IP 8541.10.0080 4,000 n通道 700 v 5A（TC） 10V 950MOHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 460 pf @ 50 V - 49W（TC）
RM5N800LD Rectron USA RM5N800LD 0.6900
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N800LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 800 v 5A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 680 pf @ 50 V - 81W（TC）
RM80N100T2 Rectron USA RM80N100T2 0.5100
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N100T2 8541.10.0080 5,000 n通道 100 v 80A（TC） 4.5V，10V 8.5mohm @ 40a，10v 2.2V @ 250µA ±20V 5480 pf @ 50 V - 125W（TC）
RM15P60LD Rectron USA RM15P60LD 0.1500
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM15P60LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 60 V 13A（TC） 10V 90mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 1080 pf @ 15 V - 31.2W（TC）
RM8N700LD Rectron USA RM8N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8N700LD 8541.10.0080 4,000 n通道 700 v 8A（TC） 10V 600MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA ±30V 590 pf @ 50 V - 69W（TC）
RM4N650TI Rectron USA RM4N650TI 0.4200
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 4A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 280 pf @ 50 V - 28.5W（TC）
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5,000 n通道 800 v 17A（TA） 10V 320MOHM @ 8.5A，10V 4V @ 250µA ±30V 2060 pf @ 50 V - 260W（TC）
RM100N65DF Rectron USA RM100N65DF 0.6500
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM100N65DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 65 v 100A（TC） 4.5V，10V 2.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA +20V，-12V 9500 PF @ 25 V - 142W（TC）
RM80N30DF Rectron USA RM80N30DF 0.1600
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 81A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 250µA ±20V 2295 pf @ 15 V - 59W（TC）
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
RFQ
 ECAD 1150 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 21a（TC） 10V 180mohm @ 10.5a，10v 4V @ 250µA ±30V 2600 PF @ 50 V - 33.8W（TC）
RM48N100D3 Rectron USA RM48N100D3 0.2980
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM48N100D3TR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 48A（TC） 4.5V，10V 13.6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA +20V，-12V 3280 pf @ 50 V - 61W（TC）
RM1216 Rectron USA RM1216 0.1200
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM1216TR 8541.10.0080 25,000 P通道 12 v 16A（TC） 2.5V，4.5V 18mohm @ 6.7a，4.5V 1V @ 250µA ±12V 2700 PF @ 10 V - 18W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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