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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RM5N650LD	0.4500	RFQ	7945	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N650LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	650 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM7N40S4	0.2200	RFQ	4861	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N40S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	50MOHM @ 4.5A，10V	2V @ 250µA		±20V	770 pf @ 40 V	-	16W（TA）
RM50N30DN	0.2400	RFQ	1488	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N30DNTR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	50a（ta）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA		±20V	1840 pf @ 25 V	-	3.57W（TA）
RM15N650TI	0.9200	RFQ	7598	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 8A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	1360 pf @ 50 V	-	33.5W（TC）
RM6N800T2	0.8200	RFQ	9372	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM2004NE	0.0900	RFQ	9814	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM2004	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2004NETR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		24mohm @ 6a，10v	1V @ 250µA	8NC @ 4.5V		650pf @ 10V	-
RM12N650T2	0.6700	RFQ	2682	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650T2		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）
RM2301	0.0420	RFQ	2341	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2301TR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	110MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800TI		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	17a（TC）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	35W（TC）
RM45N60DF	0.4500	RFQ	9267	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM45N60DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	60 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	2180 pf @ 30 V	-	60W（TC）
RM130N100T2	0.6900	RFQ	9163	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100T2		8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N7002K36	0.0450	RFQ	2683	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-23-6	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002K36TR		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		60V	250mA（ta）		3ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM10N100LD	0.1480	RFQ	2964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N100LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	10A（TC）	4.5V，10V	130mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA		±20V	730 PF @ 50 V	-	40W（TC）
RM30N100T2	0.3900	RFQ	2008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N100T2		8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	30A（TC）	10V	28mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RM3407	0.1200	RFQ	7167	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3407Tr		8541.10.0080	12,000		P通道	30 V	4.3a（ta）	4.5V，10V	52MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA		±20V	700 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM5N650IP	0.4500	RFQ	6616	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N650IP		8541.10.0080	4,000		n通道	650 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM60N30DF	0.1400	RFQ	4964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1844 pf @ 15 V	-	46W（TC）
RM8N700T2	0.6800	RFQ	4384	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700T2		8541.10.0080	5,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM130N30D3	0.2200	RFQ	2210	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N30D3TR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	130a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2.4V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 15 V	-	45W（TC）
RM80N80HD	0.5200	RFQ	6436	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N80HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	80 V	80a（ta）	10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4400 PF @ 25 V	-	170W（TA）
DTC123JUA	0.0410	RFQ	9963	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC123		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DTC123JUATR	Ear99	8541.10.0080	24,000													50 V	100 ma	500NA	npn- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM3003S6	0.0980	RFQ	2601	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RM3003	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	TSOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3003S6TR		8541.10.0080	30,000	n和p通道		30V	3.5A（TA），2.7a ta（2.7a）		58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v	1.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V，199pf @ 15V	-
RM20N650TI	1.0400	RFQ	3696	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	33W（TC）
RM6005S4	0.1550	RFQ	1297	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6005S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
RM150N30LT2	0.2800	RFQ	9826	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N30LT2		8541.10.0080	5,000		n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA		±20V	3400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
RM20N650T2	1.0400	RFQ	2976	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N650T2		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	180W（TC）
RM8A5P60S8	0.2900	RFQ	4571	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8A5P60S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	60 V	8.5A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3900 PF @ 25 V	-	4.1W（TC）
RM35N30DF	0.2700	RFQ	1960年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	40W（TC）
RM60N100DF	0.4900	RFQ	7225	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60N100DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	60a（TC）	10V	8.5mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3500 PF @ 50 V	-	105W（TC）
RM3416	0.0580	RFQ	7064	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3416TR		8541.10.0080	30,000		n通道	20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	660 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²