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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RM80N80HD	0.5200	RFQ	6436	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N80HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道	80 V	80a（ta）	10V	8.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4400 PF @ 25 V	-	170W（TA）
RM90N40DF	0.4100	RFQ	8078	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM90N40DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	5400 PF @ 20 V	-	65W（TC）
RM2301	0.0420	RFQ	2341	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2301TR	8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	110MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RM6A5N30S6	0.0520	RFQ	4369	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6A5N30S6TR	8541.10.0080	30,000		n通道	32 v	6.5A（TA）	4.5V，10V	35mohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	325 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
2N7002K36	0.0450	RFQ	2683	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-23-6	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002K36TR	8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		60V	250mA（ta）		3ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM60N30DF	0.1400	RFQ	4964	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60N30DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1844 pf @ 15 V	-	46W（TC）
RM8N700IP	0.4700	RFQ	6594	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700IP	8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	590 pf @ 50 V	-	69W（TC）
RM135N100T2	1.0100	RFQ	9997	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100T2	8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	7500 PF @ 50 V	-	220W（TC）
RM4953	0.0880	RFQ	8727	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM495	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4953TR	8541.10.0080	40,000	2（p 通道（双）		30V	5.1a（ta）		55mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	11NC @ 10V		520pf @ 15V	-
RM70P30DF	0.2900	RFQ	1320	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P30DFTR	8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	70a（ta）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	3450 pf @ 25 V	-	90W（ta）
RM130N100T2	0.6900	RFQ	9163	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100T2	8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800TI	8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	17a（TC）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	35W（TC）
RM150N30LT2	0.2800	RFQ	9826	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N30LT2	8541.10.0080	5,000		n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA		±20V	3400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
RM5N650LD	0.4500	RFQ	7945	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N650LDTR	8541.10.0080	25,000		n通道	650 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM1A4N150S6	0.1800	RFQ	1722年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM1A4N150S6TR	8541.10.0080	30,000		n通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	480MOHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	700 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
RM4606S8	0.1100	RFQ	4982	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM4606	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4606S8TR	8541.10.0080	40,000	n和p通道		30V	6.5a（6），7a ta（7a ta）		30mohm @ 6a，10v，33mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA，2.5V @ 250µA	13nc @ 10v，9.2nc @ 10V		255pf @ 15V，520pf @ 15V	-
RM40P40LD	0.2600	RFQ	1155	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40P40LDTR	8541.10.0080	25,000		P通道	40 V	40a（TC）	10V	14mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2960 pf @ 20 V	-	80W（TC）
RM150N150HD	1.7500	RFQ	3265	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N150HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道	150 v	150a（TC）	10V	7.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		±20V	5500 PF @ 75 V	-	320W（TC）
RM10N40S8	0.2900	RFQ	1604	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM10N	MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N40S8TR	8541.10.0080	40,000	2 n 通道（双）		40V	10A（TC）		15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	26nc @ 4.5V		2000pf @ 20V	-
RMA4N60092	0.1400	RFQ	9871	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMA4N60092TR	8541.10.0080	10,000		n通道	600 v	400mA（TC）	10V	8.5ohm @ 200mA，10v	5V @ 250µA		±30V	130 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
RM7N40S4	0.2200	RFQ	4861	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N40S4TR	8541.10.0080	30,000		n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	50MOHM @ 4.5A，10V	2V @ 250µA		±20V	770 pf @ 40 V	-	16W（TA）
RM8N650T2	0.5200	RFQ	8364	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650T2	8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM80N150T2	0.8800	RFQ	4712	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N150T2	8541.10.0080	5,000		n通道	150 v	80A（TC）	10V	12.5MOHM @ 40a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 75 V	-	210W（TC）
RM6N800TI	0.8200	RFQ	7478	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800TI	8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	6a（TJ）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	32.4W（TC）
RM20P30D3	0.2300	RFQ	9069	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20P30D3TR	8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	15mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA		±20V	2130 PF @ 25 V	-	35W（TA）
RM3416	0.0580	RFQ	7064	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3416TR	8541.10.0080	30,000		n通道	20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6.5a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	660 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
RM5N800HD	0.6700	RFQ	5232	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM6A5P30S8	0.1900	RFQ	7721	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM6A5	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6A5P30S8TR	8541.10.0080	40,000	2（p 通道（双）		30V	6.5A（TA）		25mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	12.6nc @ 4.5V		1345pf @ 15V	-
RMA7N20ED1	0.0290	RFQ	9077	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMA7N20ED1TR	8541.10.0080	40,000		n通道	20 v	700mA（TC）	2.5V，4.5V	260MOHM @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA		±8V	40 pf @ 10 V	-	550MW（TA）
RM12N650T2	0.6700	RFQ	2682	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650T2	8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²