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257）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM150N100ADF Rectron USA RM150N100ADF 0.8000
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N100ADFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 100 v 128a（TC） 10V 4.2MOHM @ 20A，10V 2.4V @ 250µA ±20V 3650 pf @ 50 V - 125W（TC）
RM90N40DF Rectron USA RM90N40DF 0.4100
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM90N40DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 40 V 90A（TC） 4.5V，10V 4mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 5400 PF @ 20 V - 65W（TC）
RM50P30D3 Rectron USA RM50P30D3 0.2300
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50P30D3TR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 50A（TC） 4.5V，10V 8.7MOHM @ 30a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 3448 pf @ 15 V - 38W（TC）
RM5N650LD Rectron USA RM5N650LD 0.4500
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 650 v 5A（TC） 10V 900mohm @ 2.5a，10v 3.5V @ 250µA ±30V 460 pf @ 50 V - 49W（TC）
RM3407 Rectron USA RM3407 0.1200
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3407Tr 8541.10.0080 12,000 P通道 30 V 4.3a（ta） 4.5V，10V 52MOHM @ 4A，10V 3V @ 250µA ±20V 700 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
RM50P30DF Rectron USA RM50P30DF 0.4200
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50P30DFTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 50A（TC） 10V 7mohm @ 10a，10v 2.2V @ 250µA ±20V 3590 pf @ 15 V - 35W（TC）
RM15N650TI Rectron USA RM15N650TI 0.9200
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM15N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 15A（TC） 10V 260MOHM @ 8A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 1360 pf @ 50 V - 33.5W（TC）
BSS127 Rectron USA BSS127 0.0390
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-BSS127TR 8541.10.0080 30,000 n通道 600 v 21ma（ta） 4.5V，10V 500ohm @ 16mA，10v 2.6V @ 8µA ±20V 28 PF @ 25 V - 500MW（TA）
RM50N60TI Rectron USA RM50N60TI 0.2400
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N60TI 8541.10.0080 5,000 n通道 60 V 50a（ta） 10V 20mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2050 pf @ 30 V - 85W（ta）
RM50N60LD Rectron USA RM50N60LD 0.2400
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N60LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 60 V 50A（TC） 10V 20mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2050 pf @ 30 V - 85W（TC）
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 40 V 40a（TC） 10V 14mohm @ 12a，10v 3V @ 250µA ±20V 2960 pf @ 20 V - 80W（TC）
RM150N150HD Rectron USA RM150N150HD 1.7500
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N150HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 150 v 150a（TC） 10V 7.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 250µA ±20V 5500 PF @ 75 V - 320W（TC）
RM10N40S8 Rectron USA RM10N40S8 0.2900
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM10N MOSFET （金属 o化物） 2.1W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM10N40S8TR 8541.10.0080 40,000 2 n 通道（双） 40V 10A（TC） 15mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 26nc @ 4.5V 2000pf @ 20V -
RM80N150T2 Rectron USA RM80N150T2 0.8800
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N150T2 8541.10.0080 5,000 n通道 150 v 80A（TC） 10V 12.5MOHM @ 40a，10v 4.5V @ 250µA ±20V 3200 PF @ 75 V - 210W（TC）
RM20P30D3 Rectron USA RM20P30D3 0.2300
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM20P30D3TR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 20A（TA） 4.5V，10V 15mohm @ 15a，10v 1.9V @ 250µA ±20V 2130 PF @ 25 V - 35W（TA）
RM5N800HD Rectron USA RM5N800HD 0.6700
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N800HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 800 v 5A（TC） 10V 1.2OHM @ 2A，10V 4.5V @ 250µA ±30V 1320 PF @ 50 V - 98W（TC）
RM110N150HD Rectron USA RM110N150HD 1.4400
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM110N150HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 150 v 113A（TC） 10V 8.8mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA ±20V 4362 PF @ 75 V - 273W（TC）
RM150N60HD Rectron USA RM150N60HD 0.6700
RFQ
 ECAD 5813 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N60HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 60 V 150a（TC） 10V 4.5MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA ±20V 6500 PF @ 25 V - 220W（TC）
RM1505S Rectron USA RM1505S 0.3900
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM1505STR 8541.10.0080 40,000 n通道 150 v 5.1a（ta） 10V 65mohm @ 5.1A，10V 4.5V @ 250µA ±20V 730 PF @ 75 V - （3W）（5W）（5W tc）
RM1002 Rectron USA RM1002 0.0440
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM1002TR 8541.10.0080 30,000 n通道 100 v 2A（TA） 10V 220MOHM @ 1A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 190 pf @ 50 V - 1.1W（TA）
RM40N100LD Rectron USA RM40N100LD 0.3800
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 40a（TC） 10V 17mohm @ 28a，10v 4V @ 250µA ±20V 3400 PF @ 30 V - 140W（TC）
RM4N700LD Rectron USA RM4N700LD 0.3500
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4N700LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 700 v 4A（TC） 10V 1.4OHM @ 2A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 280 pf @ 50 V - 46W（TC）
RM180N60T2 Rectron USA RM180N60T2 0.7300
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM180N60T2 8541.10.0080 5,000 n通道 60 V 180a（TC） 10V 2.9mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA ±20V 4500 pf @ 30 V - 220W（TC）
RM8205F Rectron USA RM8205F 0.0680
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 RM8205 MOSFET （金属 o化物） 1.14W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8205FTR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 17mohm @ 1A，4.5V，20mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA - 1035pf @ 20V -
RM2310 Rectron USA RM2310 0.0600
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2310TR 8541.10.0080 30,000 n通道 60 V 3A（3A） 4.5V，10V 105mohm @ 3a，10v 1.9V @ 250µA ±20V 247 pf @ 30 V - 1.7W（TA）
RM60P04Y Rectron USA RM60P04Y 0.1200
RFQ
 ECAD 6387 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM60P04YTR 8541.10.0080 30,000 P通道 60 V 4A（TC） 4.5V，10V 120MOHM @ 4A，10V 3V @ 250µA ±20V 930 PF @ 30 V - 1.5W（TC）
RM42N200DF Rectron USA RM42N200DF 1.2400
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM42N200DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 200 v 42A（TC） 10V 32mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA ±20V 1598 PF @ 100 V - 150W（TC）
RM12N650LD Rectron USA RM12N650LD 0.5400
RFQ
 ECAD 1516年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 650 v 11.5A（TC） 10V 360MOHM @ 7A，10V 4V @ 250µA ±30V 870 pf @ 50 V - 101W（TC）
RM150N60T2 Rectron USA RM150N60T2 0.5800
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N60T2 8541.10.0080 5,000 n通道 60 V 150a（TC） 10V 4.5MOHM @ 75A，10V 4V @ 250µA ±20V 6500 PF @ 25 V - 220W（TC）
RM8N700IP Rectron USA RM8N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8N700IP 8541.10.0080 4,000 n通道 700 v 8A（TC） 10V 600MOHM @ 4A，10V 4V @ 250µA ±30V 590 pf @ 50 V - 69W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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