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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
RM100N60T7	0.6800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N60T7	8541.10.0080	1,800		n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）
RMD0A8P20ES9	0.0600	RFQ	7140	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RMD0A8	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD0A8P20ES9TR	8541.10.0080	30,000	2（p 通道（双）		20V	800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	0.0018C @ 4.5V		87pf @ 10V	-
RM4P30S6	0.0520	RFQ	2091	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P30S6TR	8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
rmp3n90ip	0.3300	RFQ	8056	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-rmp3n90ip	8541.10.0080	4,000		n通道	900 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA		±30V	850 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RM8810	0.0900	RFQ	4687	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM88	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8810TR	8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		20V	7a（ta）		20mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	14NC @ 4.5V		1295pf @ 10V	-
RM3134	0.0600	RFQ	2255	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM313	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3134Tr	8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		20V	750mA（TA）		380MOHM @ 650mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		120pf @ 16V	-
RM140N150T2	1.5100	RFQ	2150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N150T2	8541.10.0080	5,000		n通道	150 v	140a（TC）	10V	6.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		±20V	5900 PF @ 75 V	-	320W（TC）
RM20N150LD	0.2600	RFQ	1142	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N150LDTR	8541.10.0080	25,000		n通道	150 v	20A（TA）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	600 pf @ 75 V	-	68W（TA）
RM5N800IP	0.6900	RFQ	4172	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800IP	8541.10.0080	4,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
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RM35N30DN	0.2500	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35N30DNTR	8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA		±20V	1265 pf @ 15 V	-	35W（TC）
RM3401	0.0440	RFQ	3553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3401TR	8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
RM6602	0.1300	RFQ	9658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RM660	MOSFET （金属 o化物）	1.2W（TA）	TSOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6602TR	8541.10.0080	30,000	n和p通道		30V	3.5A（TA），2.7a ta（2.7a）		58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v	2.2V @ 250µA，2.5V @ 250µA	5NC @ 10V		210pf @ 15V，199pf @ 15V	-
RM11N800T2	1.4400	RFQ	7116	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM11N800T2	8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	11A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
RM80N30DN	0.2900	RFQ	6630	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-ppak（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DNTR	8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 24a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3190 pf @ 25 V	-	66W（TC）
RM150N40DF	0.5600	RFQ	3261	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N40DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道	40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.8MOHM @ 75A，10V	2.2V @ 250µA		±20V	7150 pf @ 20 V	-	88W（TC）
2N7002DS6	0.0480	RFQ	9024	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	350MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002DS6TR	8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		60V	250mA（ta）		5ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA	-		-	-
RM21N700T2	1.3300	RFQ	4395	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700T2	8541.10.0080	5,000		n通道	700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	200W（TC）
RMD7N40DN	0.2400	RFQ	1566年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RMD7N	MOSFET （金属 o化物）	1.9W（ta），12W（（（（（（（）	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD7N40DNTR	8541.10.0080	25,000	2 n 通道（双）		40V	（7A（ta），20A （TC）		20mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 10V		720pf @ 20V	-
RM12N650IP	0.5400	RFQ	5130	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650IP	8541.10.0080	40,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）
RM2308	0.0690	RFQ	1219	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2308Tr	8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	105mohm @ 3a，10v	1.9V @ 250µA		±20V	247 pf @ 30 V	-	1.7W（TA）
RM002N30DF	0.3200	RFQ	9560	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM002N30DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4345 pf @ 15 V	-	187W（TC）
RM3401Y	0.0460	RFQ	5047	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3401YTR	8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
RM2305	0.0490	RFQ	2178	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2305Tr	8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM50N200T2	1.2200	RFQ	3702	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N200T2	8541.10.0080	5,000		n通道	200 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA		±20V	1598 PF @ 100 V	-	214W（TC）
RM4N700S4	0.3200	RFQ	2116	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N700S4TR	8541.10.0080	30,000		n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±30V	304 pf @ 50 V	-	5.2W（TC）
RM3010	0.1300	RFQ	6757	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010TR	8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM35P100T2	0.4700	RFQ	6451	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P100T2	8541.10.0080	5,000		P通道	100 v	35A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	6516 pf @ 25 V	-	104W（TC）
RM8N650LD	0.5200	RFQ	4458	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650LDTR	8541.10.0080	25,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM2N650LD	0.3000	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650LDTR	8541.10.0080	25,000		n通道	650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²