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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RM3404	0.0480	RFQ	3718	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3404Tr		8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	±20V	255 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM002N30DF	0.3200	RFQ	9560	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM002N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	4345 pf @ 15 V	-	187W（TC）
RM2P60S2	0.0390	RFQ	2132	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2P60S2TR		8541.10.0080	30,000	P通道	60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	215MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA	±20V	358 pf @ 30 V	-	1.4W（TA）
RM12N100LD	0.1600	RFQ	6776	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	100 v	12A（TC）	4.5V，10V	112mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1535 pf @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM50N200T2	1.2200	RFQ	3702	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N200T2		8541.10.0080	5,000	n通道	200 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	±20V	1598 PF @ 100 V	-	214W（TC）
RM20N650HD	1.0400	RFQ	5912	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N650HDTR		8541.10.0080	8,000	n通道	650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	180W（TC）
RM12P30S8	0.1650	RFQ	7635	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12P30S8TR		8541.10.0080	40,000	P通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	±20V	1750 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
RM50N60IP	0.2200	RFQ	1701	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60IP		8541.10.0080	4,000	n通道	60 V	50A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	900 pf @ 25 V	-	80W（TC）
RM2305B	0.0390	RFQ	9804	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2305BTR		8541.10.0080	30,000	P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	1.8V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA	±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM12N650IP	0.5400	RFQ	5130	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650IP		8541.10.0080	40,000	n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	±30V	870 pf @ 50 V	-	101W（TC）
RM4N650T2	0.4500	RFQ	6988	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650T2		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM2308	0.0690	RFQ	1219	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2308Tr		8541.10.0080	30,000	n通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	105mohm @ 3a，10v	1.9V @ 250µA	±20V	247 pf @ 30 V	-	1.7W（TA）
RM45P20D3	0.2500	RFQ	9074	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM45P20D3TR		8541.10.0080	25,000	P通道	19 v	45A（TC）	1.8V，4.5V	7mohm @ 20a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	3500 PF @ 10 V	-	80W（TC）
RM8N650TI	0.5200	RFQ	1596年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650TI		8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	8a（TJ）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	31.7W（TC）
RM110N82T2	0.4400	RFQ	9356	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM110N82T2		8541.10.0080	5,000	n通道	82 v	110A（TC）	10V	7mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	6400 PF @ 40 V	-	200W（TC）
RM2A3P60S4	0.1000	RFQ	2753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2A3P60S4TR		8541.10.0080	30,000	P通道	60 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	180MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	600 pf @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM2306E	0.0550	RFQ	7571	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2306Etr		8541.10.0080	30,000	n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	31mohm @ 6.7a，10v	3V @ 250µA	±20V	370 pf @ 15 V	-	1.39W（TA）
RM5A1P30S6	0.0760	RFQ	4647	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5A1P30S6TR		8541.10.0080	30,000	P通道	30 V	5.1a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.2V @ 250µA	±20V	1280 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
RM80N60LD	0.3100	RFQ	7058	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N60LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	60 V	80A（TC）	10V	8.5mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	4000 PF @ 30 V	-	110W（TC）
2N7002KD1	0.0300	RFQ	1143	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KD1TR		8541.10.0080	30,000	n通道	60 V	350mA（ta）	5V，10V	2.8ohm @ 200mA，10v	1.9V @ 250µA	±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM2N650LD	0.3000	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
RM5N700LD	0.4700	RFQ	4418	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM6005AR	0.1400	RFQ	3382	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6005ARTR		8541.10.0080	30,000	n通道	60 V	5A（5A）	10V	35mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	979 PF @ 30 V	-	2W（TA）
RMA7P20ED1	0.0290	RFQ	7509	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMA7P20ED1TR		8541.10.0080	40,000	P通道	20 v	700mA（TC）	2.5V，4.5V	420MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	±8V	52 pf @ 4 V	-	900MW（TA）
DTC123JCA	0.0410	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DTC123JCATR	Ear99	8541.10.0080	30,000											50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM40P07	0.1450	RFQ	3800	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40P07TR		8541.10.0080	40,000	P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	1750 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
RM100N30DF	0.3600	RFQ	1653	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	5000 pf @ 15 V	-	65W（TC）
RM11N800T2	1.4400	RFQ	7116	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM11N800T2		8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	11A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
RM8N650LD	0.5200	RFQ	4458	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650LDTR		8541.10.0080	25,000	n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM30N250DF	1.2100	RFQ	4091	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N250DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	250 v	29A（TC）	10V	64mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	±20V	1584 PF @ 100 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²