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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RM42P30DN	0.1550	RFQ	4027	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM42P30DNTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2215 PF @ 15 V	-	37W（TC）
RM100N30DF	0.3600	RFQ	1653	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	5000 pf @ 15 V	-	65W（TC）
RMD0A8P20ES9	0.0600	RFQ	7140	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RMD0A8	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD0A8P20ES9TR		8541.10.0080	30,000	2（p 通道（双）		20V	800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	0.0018C @ 4.5V		87pf @ 10V	-
RM5A1P30S6	0.0760	RFQ	4647	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5A1P30S6TR		8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	5.1a（ta）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.2V @ 250µA		±20V	1280 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
RM9926	0.0840	RFQ	7144	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM99	MOSFET （金属 o化物）	1.25W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM9926TR		8541.10.0080	40,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		28mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		640pf @ 10V	-
RM40P07	0.1450	RFQ	3800	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40P07TR		8541.10.0080	40,000		P通道	40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	1750 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
CMBT2222A-T	0.0240	RFQ	198	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2222A-TTR	Ear99	8541.10.0080	12,000													40 V	600 MA	10NA	NPN	300mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
RM15N650T2	0.9200	RFQ	4091	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15N650T2		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 8A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	1360 pf @ 50 V	-	145W（TC）
CMBT2907A-T	0.0240	RFQ	2763	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2907A-TTR	Ear99	8541.10.0080	3,000													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，10v	200MHz
RM12N100LD	0.1600	RFQ	6776	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	12A（TC）	4.5V，10V	112mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1535 pf @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM25P30S8	0.3500	RFQ	8986	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25P30S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3960 pf @ 15 V	-	3.5W（TA）
RM50N60T2	0.2400	RFQ	2291	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60T2		8541.10.0080	5,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2050 pf @ 30 V	-	85W（TC）
RM2A8N60S4	0.1100	RFQ	9497	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2A8N60S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	2.8A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.5a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	715 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
RM75N60LD	0.2900	RFQ	6542	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM75N60LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	60 V	75A（TC）	10V	11.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA		±20V	2350 pf @ 25 V	-	110W（TC）
RM180N100T2	1.5100	RFQ	5783	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM180N100T2		8541.10.0080	5,000		n通道	100 v	180a（TC）	10V	3MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA		±20V	1150 PF @ 50 V	-	300W（TC）
DTC123JKA	0.0410	RFQ	8984	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DTC123JKATR	Ear99	8541.10.0080	30,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM2303	0.0450	RFQ	2195	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2303Tr		8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	2A（TA）	4.5V，10V	130MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	226 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RMA7P20ED1	0.0290	RFQ	7509	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMA7P20ED1TR		8541.10.0080	40,000		P通道	20 v	700mA（TC）	2.5V，4.5V	420MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	52 pf @ 4 V	-	900MW（TA）
DTC123JCA	0.0410	RFQ	1173	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-DTC123JCATR	Ear99	8541.10.0080	30,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	46.2科姆斯
RM10N30D2	0.0720	RFQ	9869	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N30D2TR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA		±20V	1415 pf @ 15 V	-	730MW（TA）
RM3075S8（n）	0.1700	RFQ	1414	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM3075	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3075S8（n）tr		8541.10.0080	40,000	n和p通道		30V	6.8A（ta），4.6a ta（4.6a）		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V，16NC @ 10V		383pf @ 15V	-
RM2P60S2	0.0390	RFQ	2132	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2P60S2TR		8541.10.0080	30,000		P通道	60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	215MOHM @ 1.8A，10V	3V @ 250µA		±20V	358 pf @ 30 V	-	1.4W（TA）
RM60P60HD	0.5400	RFQ	1158	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM60P60HDTR		8541.10.0080	8,000		P通道	60 V	61a（ta）	6V，10V	22mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA		±20V	3200 PF @ 25 V	-	171W（TA）
RM5N700LD	0.4700	RFQ	4418	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM6N800IP	0.7000	RFQ	8536	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800IP		8541.10.0080	4,000		n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA		±30V	1290 pf @ 50 V	-	98W（TC）
2N7002KD1	0.0300	RFQ	1143	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KD1TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	350mA（ta）	5V，10V	2.8ohm @ 200mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM3401	0.0440	RFQ	3553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3401TR		8541.10.0080	30,000		P通道	30 V	4.2A（ta）	2.5V，10V	55MOHM @ 4.2A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	880 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
RM3134	0.0600	RFQ	2255	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RM313	MOSFET （金属 o化物）	150MW	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3134Tr		8541.10.0080	30,000	2 n 通道（双）		20V	750mA（TA）		380MOHM @ 650mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.75nc @ 4.5V		120pf @ 16V	-
RM24N200TI	0.4400	RFQ	3535	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM24N200TI		8541.10.0080	5,000		n通道	220 v	24A（24A）	10V	80Mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 25 V	-	45W（TA）
RM100N60T7	0.6800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N60T7		8541.10.0080	1,800		n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	4800 PF @ 30 V	-	170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²