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257）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM2A3P60S4 Rectron USA RM2A3P60S4 0.1000
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2A3P60S4TR 8541.10.0080 30,000 P通道 60 V 2.3a（ta） 4.5V，10V 180MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 600 pf @ 15 V - 1.5W（TA）
RM2304 Rectron USA RM2304 0.0450
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2304Tr 8541.10.0080 30,000 n通道 30 V 3.6a（ta） 4.5V，10V 58mohm @ 3.6A，10V 2.2V @ 250µA ±20V 230 pf @ 15 V - 1.7W（TA）
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0.0520
RFQ
 ECAD 2091 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30,000 P通道 30 V 4.2A（ta） 2.5V，10V 55MOHM @ 4.2A，10V 1.3V @ 250µA ±12V 880 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
RM120N40T2 Rectron USA RM120N40T2 0.5100
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM120N40T2 8541.10.0080 5,000 n通道 40 V 120A（TC） 4.5V，10V 4mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 5400 PF @ 20 V - 130W（TC）
RM5N800IP Rectron USA RM5N800IP 0.6900
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N800IP 8541.10.0080 4,000 n通道 800 v 5A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 680 pf @ 50 V - 81W（TC）
RM11N800T2 Rectron USA RM11N800T2 1.4400
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM11N800T2 8541.10.0080 5,000 n通道 800 v 11A（TC） 10V 420MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA ±30V 2600 PF @ 50 V - 188W（TC）
RM10N30D2 Rectron USA RM10N30D2 0.0720
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-PQFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM10N30D2TR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 12mohm @ 11a，10v 2V @ 250µA ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW（TA）
RM6602 Rectron USA RM6602 0.1300
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 RM660 MOSFET （金属 o化物） 1.2W（TA） TSOT-23-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM6602TR 8541.10.0080 30,000 n和p通道 30V 3.5A（TA），2.7a ta（2.7a） 58mohm @ 3.5a，10v，100mohm @ 2.7a，10v 2.2V @ 250µA，2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V，199pf @ 15V -
RM30N250DF Rectron USA RM30N250DF 1.2100
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM30N250DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 250 v 29A（TC） 10V 64mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA ±20V 1584 PF @ 100 V - 150W（TC）
RM27P30LDV Rectron USA RM27P30LDV 0.1600
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM27P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 27a（TC） 4.5V，10V 30mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 930 PF @ 15 V - 40W（TC）
RM75N60LD Rectron USA RM75N60LD 0.2900
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM75N60LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 60 V 75A（TC） 10V 11.5MOHM @ 30a，10v 4V @ 250µA ±20V 2350 pf @ 25 V - 110W（TC）
RM3401 Rectron USA RM3401 0.0440
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3401TR 8541.10.0080 30,000 P通道 30 V 4.2A（ta） 2.5V，10V 55MOHM @ 4.2A，10V 1.3V @ 250µA ±12V 880 pf @ 15 V - 1.2W（TA）
RM2303 Rectron USA RM2303 0.0450
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2303Tr 8541.10.0080 30,000 P通道 30 V 2A（TA） 4.5V，10V 130MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 226 pf @ 15 V - 1W（ta）
RM60N75LD Rectron USA RM60N75LD 0.4100
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM60N75LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 75 v 60a（TC） 10V 8.5mohm @ 30a，10v 4V @ 250µA ±20V 4400 PF @ 25 V - 140W（TC）
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM99 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 28mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
RM5N700LD Rectron USA RM5N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N700LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 700 v 5A（TC） 10V 950MOHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 460 pf @ 50 V - 49W（TC）
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0.8400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5,000 n通道 100 v 150a（TC） 10V 4.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 250µA +20V，-12V 6680 pf @ 50 V - 275W（TC）
RM24N200TI Rectron USA RM24N200TI 0.4400
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM24N200TI 8541.10.0080 5,000 n通道 220 v 24A（24A） 10V 80Mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 4200 PF @ 25 V - 45W（TA）
RM3404 Rectron USA RM3404 0.0480
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3404Tr 8541.10.0080 30,000 n通道 30 V 5.8A（ta） 4.5V，10V 31MOHM @ 5A，10V 2.4V @ 250µA ±20V 255 pf @ 15 V - 1.4W（TA）
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 n通道 200 v 51A（TC） 10V 32mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA ±20V 1598 PF @ 100 V - 214W（TC）
RM180N100T2 Rectron USA RM180N100T2 1.5100
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM180N100T2 8541.10.0080 5,000 n通道 100 v 180a（TC） 10V 3MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 250µA ±20V 1150 PF @ 50 V - 300W（TC）
RM25P30S8 Rectron USA RM25P30S8 0.3500
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM25P30S8TR 8541.10.0080 40,000 P通道 30 V 25A（TA） 4.5V，10V 9mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 3960 pf @ 15 V - 3.5W（TA）
RM2305 Rectron USA RM2305 0.0490
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2305Tr 8541.10.0080 30,000 P通道 20 v 3A（3A），4.1A（4.1A）（TC） 2.5V，4.5V 52MOHM @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA ±12V 740 pf @ 4 V - 1.7W（TA）
RM130N200HD Rectron USA RM130N200HD 3.8400
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM130N200HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 200 v 132a（TC） 10V 10.7MOHM @ 20A，10V 4V @ 250µA ±20V 4970 pf @ 100 V - 429W（TC）
RM3075S8(N) Rectron USA RM3075S8（n） 0.1700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM3075 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3075S8（n）tr 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 6.8A（ta），4.6a ta（4.6a） 27mohm @ 6.8a，10v 2.3V @ 10µA 14NC @ 10V，16NC @ 10V 383pf @ 15V -
RM2306E Rectron USA RM2306E 0.0550
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2306Etr 8541.10.0080 30,000 n通道 30 V 5.3a（ta） 4.5V，10V 31mohm @ 6.7a，10v 3V @ 250µA ±20V 370 pf @ 15 V - 1.39W（TA）
RM100N30DF Rectron USA RM100N30DF 0.3600
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM100N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 100A（TC） 4.5V，10V 2.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 5000 pf @ 15 V - 65W（TC）
RM42P30DN Rectron USA RM42P30DN 0.1550
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM42P30DNTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 42A（TC） 4.5V，10V 14mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2215 PF @ 15 V - 37W（TC）
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0.4500
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 4A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 280 pf @ 50 V - 46W（TC）
RM3134 Rectron USA RM3134 0.0600
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RM313 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3134Tr 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 750mA（TA） 380MOHM @ 650mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V 120pf @ 16V -
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196-LFBGA裸露的垫子

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