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257）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM3075S8(N) Rectron USA RM3075S8（n） 0.1700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM3075 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3075S8（n）tr 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 6.8A（ta），4.6a ta（4.6a） 27mohm @ 6.8a，10v 2.3V @ 10µA 14NC @ 10V，16NC @ 10V 383pf @ 15V -
RM42P30DN Rectron USA RM42P30DN 0.1550
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM42P30DNTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 42A（TC） 4.5V，10V 14mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2215 PF @ 15 V - 37W（TC）
RM3134 Rectron USA RM3134 0.0600
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RM313 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3134Tr 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 20V 750mA（TA） 380MOHM @ 650mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V 120pf @ 16V -
2N7002DS6 Rectron USA 2N7002DS6 0.0480
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 2N7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-2N7002DS6TR 8541.10.0080 30,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 5ohm @ 500mA，10v 1.9V @ 250µA - - -
RM60P60HD Rectron USA RM60P60HD 0.5400
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM60P60HDTR 8541.10.0080 8,000 P通道 60 V 61a（ta） 6V，10V 22mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA ±20V 3200 PF @ 25 V - 171W（TA）
RM21N650T7 Rectron USA RM21N650T7 1.6000
RFQ
 ECAD 1597年 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM21N650T7 8541.10.0080 1,800 n通道 650 v 21a（TC） 10V 180mohm @ 10.5a，10v 3.5V @ 250µA ±30V 1950 pf @ 50 V - 200W（TC）
RM2309 Rectron USA RM2309 0.0360
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2309Tr 8541.10.0080 30,000 P通道 30 V 3.1a（ta） 4.5V，10V 70MOHM @ 3A，10V 3V @ 250µA ±20V 226 pf @ 15 V - 1W（ta）
RM140N150T2 Rectron USA RM140N150T2 1.5100
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM140N150T2 8541.10.0080 5,000 n通道 150 v 140a（TC） 10V 6.2MOHM @ 70A，10V 4V @ 250µA ±20V 5900 PF @ 75 V - 320W（TC）
RM2020ES9 Rectron USA RM2020ES9 0.0550
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RM2020 MOSFET （金属 o化物） （150MW）（800MW）（800MW） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2020ES9TR 8541.10.0080 30,000 n和p通道 20V 750mA（ta），800mA（ta） 1.2OHM @ 500mA，4.5V，380MOHM @ 650mA，4.5V 1V @ 250µA，1.1V @ 250µA 0.0018NC @ 10V，0.75NC @ 4.5V 87pf @ 10v，120pf @ 16V -
RM2309E Rectron USA RM2309E 0.0540
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2309ETR 8541.10.0080 30,000 P通道 30 V - 4.5V，10V 38mohm @ 1A，10V 2.5V @ 250µA ±20V - -
RM30P55LD Rectron USA RM30P55LD 0.3300
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM30P55LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 55 v 30A（TC） 10V 40mohm @ 15a，10v 4V @ 250µA ±20V 3500 PF @ 30 V - 65W（TC）
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 80A（TC） 4.5V，10V 3.8mohm @ 24a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 3190 pf @ 25 V - 66W（TC）
RM150N40DF Rectron USA RM150N40DF 0.5600
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM150N40DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 40 V 150a（TC） 4.5V，10V 1.8MOHM @ 75A，10V 2.2V @ 250µA ±20V 7150 pf @ 20 V - 88W（TC）
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0.3300
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4,000 n通道 650 v 4A（TC） 10V 1.2OHM @ 2.5A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 280 pf @ 50 V - 46W（TC）
RM21N700T2 Rectron USA RM21N700T2 1.3300
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM21N700T2 8541.10.0080 5,000 n通道 700 v 21a（TC） 10V 190mohm @ 10.5a，10v 3.5V @ 250µA ±30V 1950 pf @ 50 V - 200W（TC）
RM20N150LD Rectron USA RM20N150LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM20N150LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 150 v 20A（TA） 10V 65mohm @ 10a，10v 4.5V @ 250µA ±20V 600 pf @ 75 V - 68W（TA）
RM80N20DN Rectron USA RM80N20DN 0.2600
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-ppak（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N20DNTR 8541.10.0080 25,000 n通道 20 v 80A（TC） 1.8V，4.5V 3.5MOHM @ 15a，4.5V 1V @ 250µA ±12V 5500 pf @ 10 V - 66W（TC）
RM35N30DN Rectron USA RM35N30DN 0.2500
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM35N30DNTR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 12A，10V 3V @ 250µA ±20V 1265 pf @ 15 V - 35W（TC）
RM5N800TI Rectron USA RM5N800TI 0.6700
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N800TI 8541.10.0080 5,000 n通道 800 v 5A（TC） 10V 1.2OHM @ 2A，10V 4.5V @ 250µA ±30V 1320 PF @ 50 V - 32.4W（TC）
RMD0A8P20ES9 Rectron USA RMD0A8P20ES9 0.0600
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RMD0A8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RMD0A8P20ES9TR 8541.10.0080 30,000 2（p 通道（双） 20V 800mA（ta） 1.2OHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 0.0018C @ 4.5V 87pf @ 10V -
RM120N40T2 Rectron USA RM120N40T2 0.5100
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM120N40T2 8541.10.0080 5,000 n通道 40 V 120A（TC） 4.5V，10V 4mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 5400 PF @ 20 V - 130W（TC）
RM10N30D2 Rectron USA RM10N30D2 0.0720
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-PQFN （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM10N30D2TR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 10a（10a） 4.5V，10V 12mohm @ 11a，10v 2V @ 250µA ±20V 1415 pf @ 15 V - 730MW（TA）
RM002N30DF Rectron USA RM002N30DF 0.3200
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） - rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM002N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 2.4mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 4345 pf @ 15 V - 187W（TC）
RM2P60S2 Rectron USA RM2P60S2 0.0390
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2P60S2TR 8541.10.0080 30,000 P通道 60 V 1.9a（ta） 4.5V，10V 215MOHM @ 1.8A，10V 3V @ 250µA ±20V 358 pf @ 30 V - 1.4W（TA）
RM12N100LD Rectron USA RM12N100LD 0.1600
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 12A（TC） 4.5V，10V 112mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 1535 pf @ 15 V - 34.7W（TC）
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 n通道 200 v 51A（TC） 10V 32mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA ±20V 1598 PF @ 100 V - 214W（TC）
RM20N650HD Rectron USA RM20N650HD 1.0400
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM20N650HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 650 v 20A（TC） 10V 210mohm @ 10a，10v 5V @ 250µA ±30V 2600 PF @ 50 V - 180W（TC）
RM12P30S8 Rectron USA RM12P30S8 0.1650
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12P30S8TR 8541.10.0080 40,000 P通道 30 V 12a（12a） 4.5V，10V 15mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA ±20V 1750 pf @ 15 V - （3W）（TA）
RM50N60IP Rectron USA RM50N60IP 0.2200
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N60IP 8541.10.0080 4,000 n通道 60 V 50A（TC） 10V 20mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 900 pf @ 25 V - 80W（TC）
RM2305B Rectron USA RM2305B 0.0390
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2305BTR 8541.10.0080 30,000 P通道 20 v 3A（3A），4.1A（4.1A）（TC） 1.8V，4.5V 52MOHM @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA ±12V 740 pf @ 4 V - 1.7W（TA）
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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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