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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RM2003	0.0620	RFQ	9948	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	RM200	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2003Tr		8541.10.0080	30,000	n和p通道		20V	3A（3A）		35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V		260pf @ 10V，325pf @ 10V	-
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KATR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650IP		8541.10.0080	4,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM138	0.0320	RFQ	3450	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM138TR		8541.10.0080	30,000		n通道	50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.4V @ 250µA		±20V	27 PF @ 25 V	-	350MW（TA）
RM140N82T2	0.5400	RFQ	9860	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N82T2TR		8541.10.0080	5,000		n通道	82 v	140a（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	7900 PF @ 40 V	-	220W（TC）
RM80N30DF	0.1600	RFQ	3287	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	81A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA		±20V	2295 pf @ 15 V	-	59W（TC）
RM5N40S2	0.0690	RFQ	2036	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N40S2TR		8541.10.0080	30,000		n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	593 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000		n通道	30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA		±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
RM45N600T7	2.9000	RFQ	7621	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM45N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道	600 v	44.5A（TJ）	10V	90MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±30V	2808 PF @ 100 V	-	431W
RM052N100DF	0.6500	RFQ	7185	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM052N100DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9100 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM100N65DF	0.6500	RFQ	6339	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM100N65DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	65 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9500 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM5N800LD	0.6900	RFQ	2148	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	81W（TC）
RM4N700IP	0.3500	RFQ	1818年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N700IP		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM4P20ES6	0.0690	RFQ	2421	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P20ES6TR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM5N700IP	0.4700	RFQ	8989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4,000		n通道	700 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	460 pf @ 50 V	-	49W（TC）
RM6N100S4	0.1400	RFQ	9965	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM5N60S4	0.1500	RFQ	5893	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N60S4TR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM16P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA		±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
RM15P60LD	0.1500	RFQ	6517	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P60LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	60 V	13A（TC）	10V	90mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1080 pf @ 15 V	-	31.2W（TC）
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7		8541.10.0080	1,800		n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM48N100D3	0.2980	RFQ	7315	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM48N100D3TR		8541.10.0080	25,000		n通道	100 v	48A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	3280 pf @ 50 V	-	61W（TC）
2N7002K	0.0330	RFQ	9136	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KTR		8541.10.0080	30,000		n通道	60 V	300mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	1.9V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）
RM35P30LD	0.1450	RFQ	4886	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1345 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
CMBT2907A-T	0.0240	RFQ	2763	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2907A-TTR	Ear99	8541.10.0080	3,000													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，10v	200MHz
RM25P30S8	0.3500	RFQ	8986	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25P30S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	3960 pf @ 15 V	-	3.5W（TA）
RM2305	0.0490	RFQ	2178	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2305Tr		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM130N200HD	3.8400	RFQ	4700	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	200 v	132a（TC）	10V	10.7MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²