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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RM12N650TI	0.6700	RFQ	5804	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N650TI		8541.10.0080	5,000		n通道	650 v	11.5A（TC）	10V	360MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA		±30V	870 pf @ 50 V	-	32.6W（TC）
RM20N60LD	0.1400	RFQ	3021	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM20N60LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	60 V	20A（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	500 pf @ 30 V	-	45W（TC）
RM120N30DF	0.3800	RFQ	2658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 60a，10V	2.2V @ 250µA		±20V	4200 PF @ 15 V	-	75W（TC）
RM3010S6	0.0640	RFQ	2549	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3010S6TR		8541.10.0080	30,000		n通道	30 V	10a（10a）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
RM138	0.0320	RFQ	3450	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM138TR		8541.10.0080	30,000		n通道	50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.4V @ 250µA		±20V	27 PF @ 25 V	-	350MW（TA）
RM8N650IP	0.5200	RFQ	9897	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650IP		8541.10.0080	4,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	540MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM10N100S8	0.3100	RFQ	1648年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N100S8TR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	10a（10a）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1640 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RM4P20ES6	0.0690	RFQ	2421	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4P20ES6TR		8541.10.0080	30,000		P通道	20 v	3A（3A），4.1A（4.1A）（TC）	2.5V，4.5V	52MOHM @ 4.1A，4.5V	1V @ 250µA		±12V	740 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
RM135N100HD	0.9400	RFQ	5381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM135N100HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	100 v	135a（TC）	10V	4.6mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	6400 PF @ 50 V	-	210W（TC）
RM052N100DF	0.6500	RFQ	7185	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM052N100DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	70A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA		+20V，-12V	9100 PF @ 25 V	-	142W（TC）
RM8N650HD	0.5200	RFQ	3581	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	80W（TC）
RM80N30LD	0.1900	RFQ	3404	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM80N30LDTR		8541.10.0080	25,000		n通道	30 V	80A（TC）	5V，10V	6.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	83W（TC）
RM185N30DF	0.7300	RFQ	8931	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM185N30DFTR		8541.10.0080	40,000		n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.4MOHM @ 95A，10V	2V @ 250µA		±20V	8800 pf @ 15 V	-	95W（TC）
RM5N800T2	0.6700	RFQ	6990	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800T2		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
RM47N600T7	2.9600	RFQ	3602	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM47N600T7		8541.10.0080	1,800		n通道	600 v	47A（TJ）	10V	81MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±20V	3111.9 pf @ 25 V	-	417W
RM35P30LD	0.1450	RFQ	4886	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM35P30LDTR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	1345 PF @ 15 V	-	34.7W（TC）
RM12N100S8	0.3800	RFQ	9381	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM12N100S8TR		8541.10.0080	40,000		n通道	100 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2250 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RMD1N25ES9	0.0600	RFQ	7475	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD1N25ES9TR		8541.10.0080	30,000		n通道	25 v	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	600mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA		±12V	30 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
RM2333A	0.0680	RFQ	4902	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM233333ATR		8541.10.0080	30,000		P通道	12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA		±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
RM30P30D3	0.2200	RFQ	5866	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30P30D3TR		8541.10.0080	25,000		P通道	30 V	30a（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA		±20V	2150 pf @ 25 V	-	40W（TA）
RM6N100S4V	0.1600	RFQ	9753	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4VTR		8541.10.0080	30,000		n通道	100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD		8541.10.0080	4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA		±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM120N30T2	0.3300	RFQ	1989	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30T2		8541.10.0080	5,000		n通道	30 V	120a（ta）	10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA		±20V	3550 pf @ 25 V	-	120W（ta）
RM210N75HD	0.9200	RFQ	2322	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM210N75HDTR		8541.10.0080	8,000		n通道	75 v	210a（TC）	10V	4mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA		±20V	11000 PF @ 25 V	-	330W（TC）
RM5N40S2	0.0690	RFQ	2036	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N40S2TR		8541.10.0080	30,000		n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	593 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
CMBT2907A-T	0.0240	RFQ	2763	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-CMBT2907A-TTR	Ear99	8541.10.0080	3,000													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，10v	200MHz
RM13P40S8	0.2700	RFQ	7991	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM13P40S8TR		8541.10.0080	40,000		P通道	40 V	13A（TA）	10V	15mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2800 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
RM5N800TI	0.6700	RFQ	6037	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N800TI		8541.10.0080	5,000		n通道	800 v	5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA		±30V	1320 PF @ 50 V	-	32.4W（TC）
RMD0A8P20ES9	0.0600	RFQ	7140	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RMD0A8	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	SOT-363-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RMD0A8P20ES9TR		8541.10.0080	30,000	2（p 通道（双）		20V	800mA（ta）		1.2OHM @ 500mA，4.5V	1V @ 250µA	0.0018C @ 4.5V		87pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²