RFQ
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257）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RM70P40LD	0.3800	RFQ	7749	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM70P40LD	8541.10.0080	4,000		P通道		40 V	70A（TC）	10V	10mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	5380 pf @ 20 V	-	130W（TC）
RM8N700TI	0.6800	RFQ	7906	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM8N700TI	8541.10.0080	5,000		n通道		700 v	8a（TJ）	10V	600MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	680 pf @ 50 V	-	31.7W（TC）
RM2N650IP	0.3000	RFQ	7388	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650IP	8541.10.0080	40,000		n通道		650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
RM3400	0.4100	RFQ	7462	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3400Tr	8541.10.0080	30,000		n通道		30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA		±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N200T7	8541.10.0080	1,800		n通道		200 v	132a（TC）	10V	10.9MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4970 pf @ 100 V	-	429W（TC）
RM2312	0.0440	RFQ	5226	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2312TR	8541.10.0080	30,000		n通道		20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 4.5A，4.5V	1.2V @ 250µA		±12V	500 pf @ 8 V	-	1.25W（TA）
RM40N600T7	1.3200	RFQ	1226	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RM40N	标准		306 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N600T7	8541.10.0080	300			400V，40a，10ohm，15V											151 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	1.12mj（在）（610µJ）上）	149 NC	21NS/203NS
RM130N100HD	0.7000	RFQ	4397	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM130N100HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道		100 v	130a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA		±20V	4570 pf @ 25 V	-	120W（TC）
RM21N700TI	1.3300	RFQ	9246	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N700TI	8541.10.0080	5,000		n通道		700 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 10.5a，10v	3.5V @ 250µA		±30V	1950 pf @ 50 V	-	34W（TC）
RM50N60DF	0.5600	RFQ	3189	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N60DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA		±20V	4000 PF @ 30 V	-	75W（TC）
RM150N100HD	0.9500	RFQ	1451	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM150N100HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道		100 v	150a（TC）	10V	4.2MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA		+20V，-12V	6680 pf @ 50 V	-	275W（TC）
RM170N30DF	0.6900	RFQ	5272	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM170N30DFTR	8541.10.0080	40,000		n通道		30 V	170a（TC）	4.5V，10V	1.65MOHM @ 85A，10V	2V @ 250µA		±20V	7300 PF @ 15 V	-	75W（TC）
2N7002KA	0.0420	RFQ	3372	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-2N7002KATR	8541.10.0080	30,000		n通道		60 V	115mA（ta）	5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	225MW（TA）
RM27P30LD	0.1500	RFQ	5544	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM27P30LDTR	8541.10.0080	25,000		P通道		30 V	27a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	930 PF @ 15 V	-	31.3W（TC）
RM120N60T2	0.5500	RFQ	2318	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N60T2	8541.10.0080	5,000		n通道		60 V	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 60a，10v	2.4V @ 250µA		±20V	4000 PF @ 30 V	-	180W（TC）
RM17N800HD	1.5300	RFQ	8118	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道		800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM3139K	0.0360	RFQ	2553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723			MOSFET （金属 o化物）		SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3139KTR	8541.10.0080	80,000		P通道		20 v	660ma（ta）	1.8V，4.5V	520MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA		±12V	170 pf @ 16 V	-	150MW（TA）
RM3415	0.0560	RFQ	8856	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3415TR	8541.10.0080	30,000		P通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	45mohm @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA		±10V	950 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
RM21N650T2	1.2500	RFQ	7279	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650T2	8541.10.0080	5,000		n通道		650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA		±30V	2600 PF @ 50 V	-	188W（TC）
RM4503S8	0.1900	RFQ	1978年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM4503		MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4503S8TR	8541.10.0080	40,000	n和p通道			30V	10a（10a），9.1A（9.1A）		10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V，30nc @ 10V		1550pf @ 15V，1600pf @ 15V	-
RM45N600T7	2.9000	RFQ	7621	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM45N600T7	8541.10.0080	1,800		n通道		600 v	44.5A（TJ）	10V	90MOHM @ 15.6A，10V	4V @ 250µA		±30V	2808 PF @ 100 V	-	431W
RM4N700IP	0.3500	RFQ	1818年	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N700IP	8541.10.0080	4,000		n通道		700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.5V @ 250µA		±30V	280 pf @ 50 V	-	46W（TC）
RM110N85T2	0.5800	RFQ	5450	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM110N85T2	8541.10.0080	4,000		n通道		85 v	110A（TC）	10V	6mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA		±20V	3870 pf @ 40 V	-	145W（TC）
RM6N100S4	0.1400	RFQ	9965	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N100S4TR	8541.10.0080	30,000		n通道		100 v	6a（6a）	10V	140MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	690 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
RM16P60LD	0.2600	RFQ	3845	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM16P60LDTR	8541.10.0080	25,000		P通道		60 V	16A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 25µA		±20V	1810 PF @ 30 V	-	25W（TC）
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM25N30DNTR	8541.10.0080	25,000		n通道		30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
RM50N200HD	1.2200	RFQ	3890	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N200HDTR	8541.10.0080	8,000		n通道		200 v	51A（TC）	10V	32mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA		±20V	1598 PF @ 100 V	-	214W（TC）
RM140N82T2	0.5400	RFQ	9860	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM140N82T2TR	8541.10.0080	5,000		n通道		82 v	140a（TC）	10V	6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	7900 PF @ 40 V	-	220W（TC）
RM5N60S4	0.1500	RFQ	5893	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N60S4TR	8541.10.0080	30,000		n通道		60 V	5A（5A）	4.5V，10V	55MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA		±20V	450 pf @ 25 V	-	2W（TA）
RM30N100LD	0.3500	RFQ	2353	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM30N100LDTR	8541.10.0080	25,000		n通道		100 v	30A（TC）	10V	31mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	85W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²