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257）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
RM50N200HD Rectron USA RM50N200HD 1.2200
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50N200HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 200 v 51A（TC） 10V 32mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA ±20V 1598 PF @ 100 V - 214W（TC）
RM30N100LD Rectron USA RM30N100LD 0.3500
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM30N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 30A（TC） 10V 31mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2000 pf @ 25 V - 85W（TC）
RM20N60LD Rectron USA RM20N60LD 0.1400
RFQ
 ECAD 3021 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM20N60LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 60 V 20A（TC） 10V 35mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 500 pf @ 30 V - 45W（TC）
RM120N30DF Rectron USA RM120N30DF 0.3800
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM120N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 120A（TC） 4.5V，10V 2.35MOHM @ 60a，10V 2.2V @ 250µA ±20V 4200 PF @ 15 V - 75W（TC）
RM4P20ES6 Rectron USA RM4P20ES6 0.0690
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4P20ES6TR 8541.10.0080 30,000 P通道 20 v 3A（3A），4.1A（4.1A）（TC） 2.5V，4.5V 52MOHM @ 4.1A，4.5V 1V @ 250µA ±12V 740 pf @ 4 V - 1.7W（TA）
RM135N100HD Rectron USA RM135N100HD 0.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM135N100HDTR 8541.10.0080 8,000 n通道 100 v 135a（TC） 10V 4.6mohm @ 60a，10v 4.5V @ 250µA ±20V 6400 PF @ 50 V - 210W（TC）
RM80N30LD Rectron USA RM80N30LD 0.1900
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N30LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 80A（TC） 5V，10V 6.5MOHM @ 30a，10v 3V @ 250µA ±20V 2330 pf @ 15 V - 83W（TC）
RM12N100S8 Rectron USA RM12N100S8 0.3800
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N100S8TR 8541.10.0080 40,000 n通道 100 v 12a（12a） 4.5V，10V 10mohm @ 12a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2250 pf @ 50 V - 3.1W（TA）
RM15P30S8 Rectron USA RM15P30S8 0.2400
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM15P30S8TR 8541.10.0080 40,000 P通道 30 V 15A（TA） 10V 12mohm @ 15a，10v 2.2V @ 250µA ±20V 2900 PF @ 15 V - 3.1W（TA）
RM30P30D3 Rectron USA RM30P30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM30P30D3TR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 30a（TA） 4.5V，10V 10mohm @ 15a，10v 2V @ 250µA ±20V 2150 pf @ 25 V - 40W（TA）
RM170N30DF Rectron USA RM170N30DF 0.6900
RFQ
 ECAD 5272 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM170N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 170a（TC） 4.5V，10V 1.65MOHM @ 85A，10V 2V @ 250µA ±20V 7300 PF @ 15 V - 75W（TC）
RM40N40LD Rectron USA RM40N40LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM40N40LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 40 V 42A（TC） 4.5V，10V 11.5MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 1314 PF @ 15 V - 34.7W（TC）
RM12N650TI Rectron USA RM12N650TI 0.6700
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM12N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 11.5A（TC） 10V 360MOHM @ 7A，10V 4V @ 250µA ±30V 870 pf @ 50 V - 32.6W（TC）
RMP3N90LD Rectron USA rmp3n90ld 0.3300
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-rmp3n90ld 8541.10.0080 4,000 n通道 900 v 3A（TC） 10V 3.2OHM @ 1.5A，10V 5V @ 250µA ±30V 850 pf @ 25 V - 50W（TC）
RM35P30LD Rectron USA RM35P30LD 0.1450
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM35P30LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 30 V 35A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 1345 PF @ 15 V - 34.7W（TC）
RM3139K Rectron USA RM3139K 0.0360
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 MOSFET （金属 o化物） SOT-723 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM3139KTR 8541.10.0080 80,000 P通道 20 v 660ma（ta） 1.8V，4.5V 520MOHM @ 1A，4.5V 1.1V @ 250µA ±12V 170 pf @ 16 V - 150MW（TA）
RM78N100LD Rectron USA RM78N100LD 0.4400
RFQ
 ECAD 1744年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM78N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 78A（TC） 4.5V，10V 8.5mohm @ 39a，10v 2.2V @ 250µA ±20V 5480 pf @ 50 V - 125W（TC）
RM50P40LD Rectron USA RM50P40LD 0.2300
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM50P40LDTR 8541.10.0080 25,000 P通道 40 V 52A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 18a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 3500 pf @ 15 V - 52.1W（TC）
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
RFQ
 ECAD 1150 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5,000 n通道 650 v 21a（TC） 10V 180mohm @ 10.5a，10v 4V @ 250µA ±30V 2600 PF @ 50 V - 33.8W（TC）
RM48N100D3 Rectron USA RM48N100D3 0.2980
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM48N100D3TR 8541.10.0080 25,000 n通道 100 v 48A（TC） 4.5V，10V 13.6mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA +20V，-12V 3280 pf @ 50 V - 61W（TC）
RM4503S8 Rectron USA RM4503S8 0.1900
RFQ
 ECAD 1978年 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM4503 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM4503S8TR 8541.10.0080 40,000 n和p通道 30V 10a（10a），9.1A（9.1A） 10mohm @ 10a，10v，20mohm @ 9.1a，10v 3V @ 250µA 13nc @ 4.5V，30nc @ 10V 1550pf @ 15V，1600pf @ 15V -
RM2301E Rectron USA RM2301E 0.0410
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2301ETR 8541.10.0080 30,000 P通道 20 v 2.6a（ta） 2.5V，4.5V 120MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 250µA ±10V 325 pf @ 10 V - 1W（ta）
RM2003 Rectron USA RM2003 0.0620
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 RM200 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM2003Tr 8541.10.0080 30,000 n和p通道 20V 3A（3A） 35mohm @ 3A，4.5V，75MOHM @ 2.5A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 5NC @ 4.5V，3.2NC @ 4.5V 260pf @ 10V，325pf @ 10V -
RM25N30DN Rectron USA RM25N30DN 0.1400
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN-EP（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM25N30DNTR 8541.10.0080 25,000 n通道 30 V 25A（TC） 4.5V，10V 10mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA ±20V 1530 pf @ 15 V - 25W（TC）
2N7002KA Rectron USA 2N7002KA 0.0420
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2N7002 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-2N7002KATR 8541.10.0080 30,000 n通道 60 V 115ma（ta） 5V，10V 3ohm @ 500mA，10v 2V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 225MW（TA）
RM8N650IP Rectron USA RM8N650IP 0.5200
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM8N650IP 8541.10.0080 4,000 n通道 650 v 8A（TC） 10V 540MOHM @ 4A，10V 3.5V @ 250µA ±30V 680 pf @ 50 V - 80W（TC）
RM138 Rectron USA RM138 0.0320
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM138TR 8541.10.0080 30,000 n通道 50 V 220mA（ta） 4.5V，10V 3.5OHM @ 220mA，10V 1.4V @ 250µA ±20V 27 PF @ 25 V - 350MW（TA）
RM140N82T2 Rectron USA RM140N82T2 0.5400
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM140N82T2TR 8541.10.0080 5,000 n通道 82 v 140a（TC） 10V 6mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA ±20V 7900 PF @ 40 V - 220W（TC）
RM80N30DF Rectron USA RM80N30DF 0.1600
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM80N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n通道 30 V 81A（TC） 4.5V，10V 5.5MOHM @ 30a，10V 2.5V @ 250µA ±20V 2295 pf @ 15 V - 59W（TC）
RM5N40S2 Rectron USA RM5N40S2 0.0690
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM5N40S2TR 8541.10.0080 30,000 n通道 40 V 5A（5A） 4.5V，10V 32MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA ±20V 593 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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