SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
FQP30N06 onsemi FQP30N06 1.5100
RFQ
ECAD 3788 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP30 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 30A(TC) 10V 40mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±25V 945 PF @ 25 V - 79W(TC)
FQU13N06LTU onsemi FQU13N06LTU 0.9000
RFQ
ECAD 877 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FQU13N06 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 60 V 11A(TC) 5V,10V 115MOHM @ 5.5A,10V 2.5V @ 250µA 6.4 NC @ 5 V ±20V 350 pf @ 25 V - 2.5W(TA),28W(tc)
FQI7N10TU onsemi FQI7N10TU -
RFQ
ECAD 6072 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FQI7 MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 7.3A(TC) 10V 350MOHM @ 3.65a,10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±25V 250 pf @ 25 V - 3.75W(ta),40W(TC)
FQU2N60CTU onsemi FQU2N60CTU -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FQU2N60 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 600 v 1.9A(TC) 10V 4.7ohm @ 950mA,10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 235 pf @ 25 V - 2.5W(TA),44W(tc)
FQP1P50 onsemi FQP1P50 -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP1 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 500 v 1.5A(TC) 10V 10.5ohm @ 750mA,10v 5V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 350 pf @ 25 V - 63W(TC)
FQPF9N25 onsemi FQPF9N25 -
RFQ
ECAD 8013 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF9 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 6.7A(TC) 10V 420MOHM @ 3.35A,10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 25 V - 45W(TC)
HUFA76619D3ST onsemi HUFA76619D3ST -
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUFA76 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 18A(TC) 4.5V,10V 85mohm @ 18a,10v 3V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±16V 767 PF @ 25 V - 75W(TC)
FQP9N50C onsemi FQP9N50C -
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP9 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 9A(TC) 10V 800MOHM @ 4.5A,10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1030 pf @ 25 V - 135W(TC)
FQD6N40CTM onsemi FQD6N40CTM 1.2000
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD6N40 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 400 v 4.5A(TC) 10V 1欧姆 @ 2.25a,10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±30V 625 pf @ 25 V - 2.5W(ta),48W(tc)
FQPF5N50C onsemi FQPF5N50C -
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A(TC) 10V 1.4OHM @ 2.5A,10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±30V 625 pf @ 25 V - 38W(TC)
HUFA76609D3S onsemi HUFA76609D3S -
RFQ
ECAD 8653 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUFA76 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 100 v 10A(TC) 4.5V,10V 160MOHM @ 10a,10v 3V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±16V 425 pf @ 25 V - 49W(TC)
FQD3N60TM onsemi FQD3N60TM -
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD3 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 2.4A(TC) 10V 3.6OHM @ 1.2A,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 450 pf @ 25 V - 2.5W(ta),50W(50W)(TC)
FQB12P10TM onsemi FQB12P10TM -
RFQ
ECAD 7796 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB1 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 100 v 11.5A(TC) 10V 290MOHM @ 5.75A,10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 3.75W(ta),75W((((((((((
FQB5N30TM onsemi FQB5N30TM -
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FQB5 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 5.4A(TC) 10V 900MOHM @ 2.7a,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 pf @ 25 V - 3.13W(ta),70W(tc)
HUF75321D3S onsemi HUF75321D3S -
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUF75 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 55 v 20A(TC) 10V 36mohm @ 20a,10v 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 pf @ 25 V - 93W(TC)
FQD10N20TM onsemi FQD10N20TM -
RFQ
ECAD 6874 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 7.6A(TC) 10V 360MOHM @ 3.8A,10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 670 pf @ 25 V - 2.5W(TA),51W(TC)
FQPF17P06 onsemi FQPF17P06 -
RFQ
ECAD 6190 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF1 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 12A(TC) 10V 120mohm @ 6a,10v 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±25V 900 pf @ 25 V - 39W(TC)
FQD7N30TF onsemi FQD7N30TF -
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 Onmi QFET® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FQD7 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 300 v 5.5A(TC) 10V 700MOHM @ 2.75a,10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 V - 2.5W(ta),50W(50W)(TC)
FQP6N50 onsemi FQP6N50 -
RFQ
ECAD 9454 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP6 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 5.5A(TC) 10V 1.3OHM @ 2.8a,10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±30V 790 pf @ 25 V - 98W(TC)
FDZ298N onsemi FDZ298N -
RFQ
ECAD 4956 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 9-WFBGA FDZ29 MOSFET (金属 o化物) 9-BGA(1.5x1.6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a(6a) 2.5V,4.5V 27mohm @ 6a,4.5V 1.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±12V 680 pf @ 10 V - 1.7W(TA)
FQPF5N60 onsemi FQPF5N60 -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF5 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 2.8A(TC) 10V 2ohm @ 1.4A,10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±30V 730 PF @ 25 V - 40W(TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HUF75 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 49A(TC) 10V 24mohm @ 49a,10v 4V @ 250µA 75 NC @ 20 V ±20V 1060 pf @ 25 V - 128W(TC)
FQA44N08 onsemi FQA44N08 -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA4 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 80 V 49.8A(TC) 10V 34mohm @ 24.9a,10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±25V 1430 pf @ 25 V - 163W(TC)
FQP7N60 onsemi FQP7N60 -
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP7 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 7.4A(TC) 10V 1欧姆 @ 3.7A,10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1430 pf @ 25 V - 142W(TC)
HUFA75337P3 onsemi HUFA753373 -
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 HUFA75 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 n通道 55 v 75A(TC) 10V 14mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 109 NC @ 20 V ±20V 1775 PF @ 25 V - 175W(TC)
FQA14N30 onsemi FQA14N30 -
RFQ
ECAD 1778年 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FQA1 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 300 v 15A(TC) 10V 290MOHM @ 7.5A,10V 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ±30V 1360 pf @ 25 V - 160W(TC)
HUF75652G3 onsemi HUF75652G3 10.2100
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 HUF75652 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 75A(TC) 10V 8mohm @ 75a,10v 4V @ 250µA 475 NC @ 20 V ±20V 7585 pf @ 25 V - 515W(TC)
HGTG18N120BND onsemi hgtg18nnnnnnnnnnnnnd -
RFQ
ECAD 8484 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 HGTG18N120 标准 390 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 960V,18a,3ohm,15V 75 ns npt 1200 v 54 a 160 a 2.7V @ 15V,18A 1.9MJ(在)上,1.8MJ off) 165 NC 23ns/170ns
FQAF17P10 onsemi FQAF17P10 -
RFQ
ECAD 4462 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 FQAF1 MOSFET (金属 o化物) to-3pf 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 12.4A(TC) 10V 190mohm @ 6.2a,10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 56W(TC)
HUFA76629D3S onsemi HUFA76629D3S -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 HUFA76 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 100 v 20A(TC) 4.5V,10V 52MOHM @ 20a,10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1285 PF @ 25 V - 110W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库