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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | FQP30N06 | 1.5100 | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 10V | 40mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±25V | 945 PF @ 25 V | - | 79W(TC) | |||||||||||||
![]() | FQU13N06LTU | 0.9000 | ![]() | 877 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | FQU13N06 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 60 V | 11A(TC) | 5V,10V | 115MOHM @ 5.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 6.4 NC @ 5 V | ±20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),28W(tc) | |||||||||||||
![]() | FQI7N10TU | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | FQI7 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 7.3A(TC) | 10V | 350MOHM @ 3.65a,10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±25V | 250 pf @ 25 V | - | 3.75W(ta),40W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQU2N60CTU | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | FQU2N60 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 600 v | 1.9A(TC) | 10V | 4.7ohm @ 950mA,10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 235 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),44W(tc) | |||||||||||||
![]() | FQP1P50 | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 500 v | 1.5A(TC) | 10V | 10.5ohm @ 750mA,10v | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 350 pf @ 25 V | - | 63W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQPF9N25 | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 6.7A(TC) | 10V | 420MOHM @ 3.35A,10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 700 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUFA76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 18A(TC) | 4.5V,10V | 85mohm @ 18a,10v | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±16V | 767 PF @ 25 V | - | 75W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQP9N50C | - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 800MOHM @ 4.5A,10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1030 pf @ 25 V | - | 135W(TC) | |||||||||||||
![]() | FQD6N40CTM | 1.2000 | ![]() | 3505 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD6N40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 400 v | 4.5A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 2.25a,10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),48W(tc) | |||||||||||||
![]() | FQPF5N50C | - | ![]() | 3686 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 2.5A,10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 625 pf @ 25 V | - | 38W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUFA76609D3S | - | ![]() | 8653 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUFA76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 100 v | 10A(TC) | 4.5V,10V | 160MOHM @ 10a,10v | 3V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQD3N60TM | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 2.4A(TC) | 10V | 3.6OHM @ 1.2A,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 450 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQB12P10TM | - | ![]() | 7796 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FQB1 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 100 v | 11.5A(TC) | 10V | 290MOHM @ 5.75A,10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 800 pf @ 25 V | - | 3.75W(ta),75W(((((((((( | ||||||||||||||
![]() | FQB5N30TM | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FQB5 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 300 v | 5.4A(TC) | 10V | 900MOHM @ 2.7a,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 pf @ 25 V | - | 3.13W(ta),70W(tc) | ||||||||||||||
![]() | HUF75321D3S | - | ![]() | 1097 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUF75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 55 v | 20A(TC) | 10V | 36mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ±20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQD10N20TM | - | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 7.6A(TC) | 10V | 360MOHM @ 3.8A,10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±30V | 670 pf @ 25 V | - | 2.5W(TA),51W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQPF17P06 | - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 60 V | 12A(TC) | 10V | 120mohm @ 6a,10v | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±25V | 900 pf @ 25 V | - | 39W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQD7N30TF | - | ![]() | 1324 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FQD7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 300 v | 5.5A(TC) | 10V | 700MOHM @ 2.75a,10V | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 610 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQP6N50 | - | ![]() | 9454 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 5.5A(TC) | 10V | 1.3OHM @ 2.8a,10V | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 790 pf @ 25 V | - | 98W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FDZ298N | - | ![]() | 4956 | 0.00000000 | Onmi | PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 9-WFBGA | FDZ29 | MOSFET (金属 o化物) | 9-BGA(1.5x1.6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6a(6a) | 2.5V,4.5V | 27mohm @ 6a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±12V | 680 pf @ 10 V | - | 1.7W(TA) | ||||||||||||||
![]() | FQPF5N60 | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FQPF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 2.8A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.4A,10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 730 PF @ 25 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUF75329S3 | - | ![]() | 1031 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | HUF75 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 49A(TC) | 10V | 24mohm @ 49a,10v | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ±20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQA44N08 | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FQA4 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 80 V | 49.8A(TC) | 10V | 34mohm @ 24.9a,10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 1430 pf @ 25 V | - | 163W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQP7N60 | - | ![]() | 1285 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 7.4A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 3.7A,10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1430 pf @ 25 V | - | 142W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUFA753373 | - | ![]() | 7744 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | HUFA75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 14mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 109 NC @ 20 V | ±20V | 1775 PF @ 25 V | - | 175W(TC) | ||||||||||||||
![]() | FQA14N30 | - | ![]() | 1778年 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | n通道 | 300 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 7.5A,10V | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1360 pf @ 25 V | - | 160W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUF75652G3 | 10.2100 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | HUF75652 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 75A(TC) | 10V | 8mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 475 NC @ 20 V | ±20V | 7585 pf @ 25 V | - | 515W(TC) | |||||||||||||
![]() | hgtg18nnnnnnnnnnnnnd | - | ![]() | 8484 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | HGTG18N120 | 标准 | 390 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 960V,18a,3ohm,15V | 75 ns | npt | 1200 v | 54 a | 160 a | 2.7V @ 15V,18A | 1.9MJ(在)上,1.8MJ off) | 165 NC | 23ns/170ns | |||||||||||||
![]() | FQAF17P10 | - | ![]() | 4462 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | FQAF1 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pf | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 100 v | 12.4A(TC) | 10V | 190mohm @ 6.2a,10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||||
![]() | HUFA76629D3S | - | ![]() | 9110 | 0.00000000 | Onmi | Ultrafet™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | HUFA76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 4.5V,10V | 52MOHM @ 20a,10v | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±16V | 1285 PF @ 25 V | - | 110W(TC) |
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