晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
FDD5N50UTF_WS	-	询价	3815	onsemi	FRFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					500V	3A（温度）	10V	2欧姆@1.5A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	650pF@25V	-	40W（温度）
NVMFS5C442NWFT1G	-	询价	4376	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					40V	140A（温度）	10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	3.7W（Ta）、83W（Tc）
3SK264-5-TG-E	-	询价	2032	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	15V		表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	3SK26	200兆赫	场效应管		4-CP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	10毫安	-	23分贝											2.2分贝			6V
BS170RL1G	-	询价	2820	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BS170		MOSFET（金属O化物）		TO-92 (TO-226)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道					60V	500mA（塔）	10V	5欧姆@200mA，10V	3V@1mA		±20V	60pF@10V	-	350毫W（塔）
J304	-	询价	7903	onsemi	-	大部分	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	J304	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	J304FS	EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		15毫安		-	-											-
HUFA76413DK8T-F085	-	询价	2442	onsemi	汽车、AEC-Q101、UltraFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HUFA76413		MOSFET（金属O化物）	2.5W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						60V	5.1A		49毫欧@5.1A，10V	3V@250μA	23nC@10V		620pF@25V	逻辑电平门
MMBTA63	-	询价	第1782章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBTA63			350毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		30V	1.2A				100nA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	125兆赫
FDME1034CZT	1.0500	询价	第1449章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFDFN 裸露焊盘	FDME1034		MOSFET（金属O化物）	600毫W	6-MicroFET (1.6x1.6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000	N 和 P 沟道						20V	3.8A、2.6A		66毫欧@3.4A，4.5V	1V@250μA	4.2nC@4.5V		300pF@10V	逻辑电平门
2SK3816-1E	-	询价	8175	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	197
NVMFS5C442NWFAFT3G	-	询价	4212	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	29A（Ta）、140A（Tc）	10V	2.3毫欧@50A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	2100pF@25V	-	3.7W（Ta）、83W（Tc）
KSD1621RTF	-	询价	7138	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	KSD1621			500毫W	SOT-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,000																		25V	2A				100nA（ICBO）	NPN	400mV@75mA，1.5A	100@100mA，2V	150兆赫
BC849CLT1G	0.1400	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC849			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		30V	100毫安				15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
TF252TH-5-TL-H	-	询价	7589	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	TF252			100毫W	3-VTFP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道												3.1pF@2V							2V时为210μA	1V@1μA								1毫安
2SC4105N	0.4600	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	650
NDS0610-PG	-	询价	4160	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	-		1（无限制）	REACH 不出行	488-NDS0610-PGTR	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					60V	120mA（塔）	4.5V、10V	10欧姆@500mA，10V	3.5V@1mA	10V时为2.5nC	±20V	79pF@25V	-	360毫W（塔）
FQI6N60CTU	-	询价	7708	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	FQI6		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	5.5A（温度）	10V	2欧姆@2.75A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±30V	810pF@25V	-	125W（温度）
FDD8445	1.3800	询价	5	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD844		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					40V	70A（温度）	10V	8.7毫欧@50A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	4050pF@25V	-	79W（温度）
MJE15034	-	询价	2275	onsemi	-	管子	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	MJE15			2W	TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	MJE15034OS	EAR99	8541.29.0075	50																		350伏	4A				10μA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	10 @ 2A，5V	30兆赫兹
CPH6614-TL-H	0.1800	询价	36	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NTB75N03RG	-	询价	2481	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					25V	9.7A（Ta）、75A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2V@250μA	13.2nC@10V	±20V	1333pF@20V	-	1.25W（Ta）、74.4W（Tc）
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	询价	6564	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					80V	14A（Ta）、61A（Tc）	6V、10V	8.3毫欧@16A，10V	4V@270μA	23nC@10V	±20V	1450 pF @ 40 V	-	3.8W（Ta）、75W（Tc）
SBC846BDW1T1G-M01	-	询价	2453	onsemi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	单片机846			380毫W	SC-88/SC70-6/SOT-363	-			REACH 不出行	488-SBC846BDW1T1G-M01	EAR99	8541.21.0095	1																		65V	100毫安				15nA（ICBO）		600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V
FJV4112RMTF	-	询价	4917	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FJV411			200毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																		40V	100毫安				100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	200兆赫	47欧姆
NTHL027N65S3HF	21.5700	询价	第334章	onsemi	FRFET®、SuperFET® III	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NTHL027		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	75A（温度）	10V	27.4毫欧@35A，10V	5V@3mA	225nC@10V	±30V	7630 pF @ 400 V	-	595W（温度）
NTD4809N-35H	0.2000	询价	108	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
MPS4356RLRA	0.0800	询价	14	onsemi	*	大部分	的积极									TO-92	-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,000
NSTB1004DXV5T1G	-	询价	9448	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-553	NSTB10			-	SOT-553	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																		-	-				-	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	-	-	-	-	-
NTMFS4C10NT1G-001	-	询价	4819	onsemi	-	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,500人		N沟道					30V	8.2A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	6.95毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	18.6nC@10V	±20V	987pF@15V	-	750毫W（塔）
FDG6301N-F085	-	询价	6016	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	FDG6301		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-88 (SC-70-6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						25V	220毫安		4欧姆@220mA，4.5V	1.5V@250μA	0.4nC@4.5V		9.5pF@10V	逻辑电平门
FDBL0150N80	5.1600	询价	8974	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	FDBL0150		MOSFET（金属O化物）		8-HPSOF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					80V	300A（温度）	10V	1.4毫欧@80A，10V	4V@250μA	188nC@10V	±20V	12800pF@25V	-	429W（Tj）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²