SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 (ID) - 最大
BF246B_J35Z onsemi BF246B_J35Z -
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BF246 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 - 25 v 60 ma @ 15 V 600 mv @ 10 na
FDC645N_F095 onsemi FDC645N_F095 -
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDC645 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 5.5A(ta) 4.5V,10V 26mohm @ 6.2a,10v 2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 V ±12V 1460 pf @ 15 V - 1.6W(TA)
NDD05N50ZT4G onsemi NDD05N50ZT4G -
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NDD05 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 4.7A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 18.5 NC @ 10 V ±30V 530 pf @ 25 V - 83W(TC)
FDPF12N50T onsemi FDPF12N50T 2.6100
RFQ
ECAD 956 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FDPF12 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 2166-FDPF12N50T-488 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 11.5A(TC) 10V 650MOHM @ 6A,10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1315 PF @ 25 V - 42W(TC)
NTB5404NT4G onsemi NTB5404NT4G -
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NTB54 MOSFET (金属 o化物) D²Pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 167a(TC) 5V,10V 4.5mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±20V 7000 pf @ 32 V - 5.4W(ta),254W(TC)
NTD4854NT4G onsemi NTD4854NT4G -
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NTD48 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 15.7A(ta),128a tc) 4.5V,10V 3.6mohm @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 49.2 NC @ 4.5 V ±20V 4600 PF @ 12 V - 1.43W(ta),93.75W(tc)
NTLJF3117PTAG onsemi NTLJF3117PTAG -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 NTLJF31 MOSFET (金属 o化物) 6-WDFN(2x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.3a(ta) 1.8V,4.5V 100mohm @ 2A,4.5V 1V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 V ±8V 531 PF @ 10 V Schottky 二极管(孤立) 710MW(TA)
NTMFS4835NT1G onsemi NTMFS4835NT1G -
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4835 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 13A(13A),130A (TC) 4.5V,11.5V 3.5MOHM @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 52 NC @ 11.5 V ±20V 3100 pf @ 12 V - 890MW(TA),62.5W(tc)
MMBF170LT3 onsemi MMBF170LT3 -
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 225MW(TA)
MMBF170LT3G onsemi MMBF170LT3G -
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBF17 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 500mA(ta) 10V 5ohm @ 200mA,10v 3V @ 1mA ±20V 60 pf @ 10 V - 225MW(TA)
MMBT5550LT3G onsemi MMBT5550LT3G 0.2100
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT5550 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 140 v 600 MA 100NA NPN 250mv @ 5mA,50mA 60 @ 10mA,5V -
MPF4393 onsemi MPF4393 -
RFQ
ECAD 7454 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MPF439 350兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 30 V 10pf @ 15v(vgs) 30 V 5 ma @ 15 V 500 mv @ 10 na 100欧姆
MPF4393G onsemi MPF4393G -
RFQ
ECAD 6815 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MPF439 350兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 30 V 10pf @ 15v(vgs) 30 V 5 ma @ 15 V 500 mv @ 10 na 100欧姆
BC182B onsemi BC182B -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC182 350兆 TO-92(to-226) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 180 @ 2mA,5v 200MHz
FDD3860 onsemi FDD3860 1.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FDD386 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 6.2a(ta) 10V 36mohm @ 5.9a,10v 4.5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1740 pf @ 50 V - 3.1W(TA),69w(tc)
FQH8N100C onsemi FQH8N100C 5.5900
RFQ
ECAD 8735 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FQH8N100 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 8A(TC) 10V 1.45OHM @ 4A,10V 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 3220 PF @ 25 V - 225W(TC)
FDB9406-F085 onsemi FDB9406-F085 3.4600
RFQ
ECAD 798 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB9406 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 110A(TC) 10V 1.8mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 138 NC @ 10 V ±20V 7710 PF @ 25 V - 176W(TJ)
FDMS8570SDC onsemi FDMS8570SDC -
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 Onmi PoterTrench®,SyncFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN FDMS85 MOSFET (金属 o化物) 8-pqfn(5x6) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 25 v 28a(28a)(60a tc)(TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 28a,10v 2.2V @ 1mA 42 NC @ 10 V ±12V 2825 PF @ 13 V ((() 3.3W(TA),59W(tc)
FDB38N30U onsemi FDB38N30U 3.3200
RFQ
ECAD 244 0.00000000 Onmi Unifet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FDB38N30 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 38A(TC) 10V 120mohm @ 19a,10v 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ±30V 3340 pf @ 25 V - 313W(TC)
FDMA1430JP onsemi FDMA1430JP -
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 30V 负载开关 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA14 6-microfet(2x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2.9a NPN,P通道
FGH50T65UPD onsemi FGH50T65UPD 5.9200
RFQ
ECAD 396 0.00000000 Onmi - 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FGH50 标准 340 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,6ohm,15V 53 ns 沟渠场停止 650 v 100 a 150 a 2.3V @ 15V,50a 2.7mj(在)上,740µJ off) 230 NC 32NS/160NS
FGD3N60UNDF onsemi FGD3N60UNDF 1.2700
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FGD3N60 标准 60 W TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 400V,3a,10ohm,15V 21 ns npt 600 v 6 a 9 a 2.52V @ 15V,3A (52µJ)(在30µJ)上(OFF) 1.6 NC 5.5NS/22NS
CPH6350-P-TL-E onsemi CPH6350-P-TL-E 0.3202
RFQ
ECAD 2788 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 - - CPH635 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
MMBFJ175LT3G onsemi MMBFJ175LT3G 0.4500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBFJ175 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 11pf @ 10V(vgs) 30 V 7 ma @ 15 V 3 V @ 10 na 125欧姆
NTK3134NT1H onsemi NTK3134NT1H -
RFQ
ECAD 8740 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-723 NTK3134 - SOT-723 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 - 890ma(ta) 1.5V,4.5V - - ±6V - -
NTMFS4983NFT1G onsemi NTMFS4983NFT1G 1.1500
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4983 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 22a(22a),106a (TC) 4.5V,10V 2.1MOHM @ 30a,10v 2.3V @ 1mA 47.9 NC @ 10 V ±20V 3250 pf @ 15 V - 1.7W(TA)
NTMFS4985NFT3G onsemi NTMFS4985NFT3G -
RFQ
ECAD 6980 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4985 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 17.5A(TA),65A(tc) 4.5V,10V 3.4mohm @ 30a,10v 2.3V @ 1mA 30.5 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 1.63W(TA),22.73W(tc)
NTMFS4C09NT3G onsemi NTMFS4C09NT3G 0.4314
RFQ
ECAD 3663 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 5.8mohm @ 30a,10v 2.1V @ 250µA 10.9 NC @ 4.5 V ±20V 1252 PF @ 15 V - (760MW)(TA),25.5W(tc)
NTTFS4C06NTWG onsemi NTTFS4C06NTWG -
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn NTTFS4 MOSFET (金属 o化物) 8-WDFN(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V (11a)(ta),67a(tc) 4.5V,10V 4.2MOHM @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 3366 pf @ 15 V - 810MW(TA),31W(((((((((((
TF262TH-4-TL-H onsemi TF262th-4-TL-H -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 3-SMD,平坦的铅 TF262 100兆 VTFP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 3.5pf @ 2V 140 µA @ 2 V 200 mV @ 1 µA 1 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库