RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NVD5C434NT4G	3.5700	RFQ	5248	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C434		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	163a（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	80.6 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	117W（TC）
CPH6704-TL-E	0.1900	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	3,000
SGR15N40LTM	-	RFQ	2330	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SGR15	标准		45 W	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			-												沟	400 v		130 a	8V @ 4.5V，130a	-		-
NVMFS4C05NT3G	1.7100	RFQ	8703	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	24.7a（TA），116a （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1972 pf @ 15 V	-	3.61W（TA），79W（tc）
BCW65CLT1	-	RFQ	1015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW65			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																32 v	800 MA						20NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
NVMFSC0D9N04CL	5.5200	RFQ	7458	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	NVMFSC0		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	50a（50A），316a （TC）	10V	0.87MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	4.1W（TA），166W（tc）
BC636ZL1	0.0200	RFQ	40	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1
NSS40500UW3T2G	0.6900	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-WDFN暴露垫	NSS40500			875 MW	3-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	5 a						100NA（ICBO）	PNP	260mv @ 400mA，4a	180 @ 2a，2v	100MHz
FDI025N06	-	RFQ	3143	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI025		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	265a（TC）	10V	2.5MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	226 NC @ 10 V	±20V	14885 PF @ 25 V	-	395W（TC）
2SC4413-TL-E	0.3300	RFQ	174	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FCI7N60	2.9000	RFQ	990	Onmi	SuperFet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FCI7		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FQPF10N60CF	-	RFQ	1871年	Onmi	FRFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	50W（TC）
NTMFS4927NT3G	0.5700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4927		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	7.9a（ta），38a tc）	4.5V，10V	7.3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	913 PF @ 15 V	-	（920MW）（TA），20.8W tc）
NSBA144EDXV6T1G	0.1141	RFQ	6549	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA144			500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	100mA						500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
2SK4099L	-	RFQ	5656	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK4099		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		600 v	6.9a（TC）	10V	940MOHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NTMFS5844NLT1G	-	RFQ	1647年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5844		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	11.2a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），107W（tc）
ATP202-TL-H	-	RFQ	7623	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP202		MOSFET （金属 o化物）		Atpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	50a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 25a，10v	-	27 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	40W（TC）
CPH6122-TL-E	0.4500	RFQ	7227	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	CPH6122			1.3 w	6-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																30 V	3 a						100NA（ICBO）	PNP	180MV @ 75mA，1.5a	200 @ 500mA，2V	400MHz
MMBF170	0.4000	RFQ	4063	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF17		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	40 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
SBC846BDW1T1G-M01	-	RFQ	2453	Onmi	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC846			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	-			到达不受影响	488-SBC846BDW1T1G-M01	Ear99	8541.21.0095	1																65V	100mA						15NA（icbo）		600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v
2SC4134T-TL-E	-	RFQ	3990	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC4134			800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																100 v	1 a						100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 40mA，400mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
FGL12040WD	-	RFQ	3681	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	FGL12040	标准		391 w	TO-264-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	375			600V，40a，23ohm，15V											71 ns	沟渠场停止	1200 v	80 a	100 a	2.9V @ 15V，40a	4.1mj（在）上，1MJ（1MJ）	226 NC	45NS/560NS
NVMFWS004N10MCT1G	-	RFQ	8338	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powertdfn，5个线索	NVMFWS004		MOSFET （金属 o化物）		5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	下载				488-NVMFWS004N10MCT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	21a（21A），138a（tc）	10V	3.9mohm @ 48a，10v	4V @ 270µA	48 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），164w（tc）
NTD40N03RT4	-	RFQ	2539	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD40		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	7.8A（ta），32A（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
FCH041N65F-F155	-	RFQ	8923	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH041		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道		650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 7.6mA	294 NC @ 10 V	±20V	13020 PF @ 100 V	-	595W（TC）
SCH2817-TL-E	0.1000	RFQ	40	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
FDW2511NZ	-	RFQ	3232	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水			20V	7.1a		20mohm @ 7.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	17.3nc @ 4.5V		1000pf @ 10V	逻辑级别门
MPSA42RLRP	-	RFQ	8329	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA42			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																300 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 1mA，10v	50MHz
NVMFS6H800NWFT1G	4.4900	RFQ	6772	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
5HN02N	-	RFQ	9035	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		3-np	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-5HN02N-488			1		n通道		50 V	200ma（ta）	4V，10V	2.3OHM @ 100mA，10V	2.4V @ 100µA	1.86 NC @ 10 V	±20V	22 pf @ 10 V	-	400MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²