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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BS270-D74Z	0.4200	RFQ	17	Onmi	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS270		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道				60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
FJZ945OTF	-	RFQ	5489	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ945			100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
NTMT190N65S3H	5.4500	RFQ	9	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN			MOSFET （金属 o化物）		4-TDFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMT190N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				650 v	16A（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 1.4mA	31 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 400 V	-	129W（TC）
NDS8435A	-	RFQ	4697	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS843		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q4210279C	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MPSA42_D81Z	-	RFQ	7158	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA42			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																	300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
NVMFS6B14NT3G	-	RFQ	8636	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				100 v	55A（TC）	10V	15mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	1300 pf @ 50 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
FDG8842CZ	0.6200	RFQ	5738	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG8842		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道					30V，25V	750mA，410mA		400MOHM @ 750mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.44NC @ 4.5V		120pf @ 10V	逻辑级别门
FDMS7608	1.2300	RFQ	6920	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7608		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	12a，15a		10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1510pf @ 15V	逻辑级别门
NVD5C648NLT4G	3.0400	RFQ	1431	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C648		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				60 V	18A（18A），89A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 45A，10V	2.1V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），72W（72W）TC）
NTP5864NG	-	RFQ	2352	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP586		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	63A（TC）	10V	12.4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	107W（TC）
NVHL072N65S3	8.2200	RFQ	5979	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet®III	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL072		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道				650 v	44A（TC）	10V	72MOHM @ 22a，10v	4.5V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 400 V	-	312W（TC）
CPH3148-TL-E	0.4400	RFQ	3	Onmi	-	大部分	积极的		-	表面安装	SC-96				900兆	3-CPH	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				3,000																	100 v	2 a	1µA（ICBO）	PNP	240mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	260MHz
FDR8305N	-	RFQ	7609	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-lsop （0.130英寸，宽3.30mm）	FDR83		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）					20V	4.5a		22mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	23nc @ 4.5V		1600pf @ 10V	逻辑级别门
FDMS7580	1.6200	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS75		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				25 v	（15A）（29A）（29A）（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1190 pf @ 13 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
mpsw42rlrag	-	RFQ	5865	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSW42			1 w	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																	300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
FQD2N80TM	-	RFQ	1023	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2N80		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				800 v	1.8A（TC）	10V	6.3OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
NTMFS4C10NBT3G	-	RFQ	4259	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				30 V	16.4a（TA），46A （TC）	4.5V，10V	6.95mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 V	±20V	987 PF @ 15 V	-	2.51W（TA），23.6W（tc）
NTMD2P01R2G	-	RFQ	7133	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD2P		MOSFET （金属 o化物）	710MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTMD2P01R2GOS	Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）					16V	2.3a		100mohm @ 2.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18NC @ 4.5V		750pf @ 16V	逻辑级别门
2N3819	-	RFQ	9575	Onmi	-	大部分	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N3819	-	JFET		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		100mA	-	-											-
2SA1345	0.0700	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2SA1597-TB-E	0.3400	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	3,000
NTB75N03-06T4	-	RFQ	8194	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				30 V	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
MTD20P03HDL1G	-	RFQ	9312	Onmi	*		过时的					MTD20					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	75
2SK3745L	-	RFQ	8319	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3745		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FI（LS）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道				1500 v	2A（TA）	10V	13ohm @ 1A，10V	-	37.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
NVMFD5485NLWFT1G	1.2055	RFQ	7009	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5483		MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）					60V	5.3a		44mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		560pf @ 25V	逻辑级别门
FDB8880-ON	-	RFQ	1551年	Onmi	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道				30 V	11a（11a），54a（tc）	4.5V，10V	11.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 15 V	-	55W（TC）
FMBS5401	-	RFQ	9463	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FMBS5			700兆	SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BSS138-T	-	RFQ	4294	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		EFCP1313-4CC-037	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道				50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	27 PF @ 25 V	-	360MW（TA）
FDMS86320	1.6800	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	10.5A（ta），22a（tc）	8V，10V	11.7mohm @ 10.5a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 40 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
MMBF170LT1	-	RFQ	5825	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF17		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MMBF170LT1OSTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	225MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²