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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTD4969N-35G	-	RFQ	2646	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD49	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	9.4a（TA），41A（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±20V	837 PF @ 15 V	-	1.38W（TA），26.3W（tc）
NTMFS4926NT1G	0.5900	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4926	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	17.3 NC @ 10 V	±20V	1004 pf @ 15 V	-	920MW（TA），21.6W （TC）
FDN8601	1.0400	RFQ	5	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN860	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	2.7a（ta）	6V，10V	109mohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 50 V	-	1.5W（TA）
FDT86106LZ	1.4400	RFQ	5705	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86106	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	3.2A（ta）	4.5V，10V	108MOHM @ 3.2A，10V	2.2V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 50 V	-	2.2W（ta）
FQD8P10TM-F085	1.4100	RFQ	1665年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD8P10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	100 v	6.6A（TC）	10V	530mohm @ 3.3a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	470 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
PN2907ABU	0.3600	RFQ	516	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2907		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												60 V	800 MA				20NA（ICBO）		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2N6725	-	RFQ	7810	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-237AA	2N6725		1 w	TO-237	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000												50 V	1 a				-		npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	4000 @ 1A，5V	-
2N4403BU	0.3700	RFQ	38	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4403		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000												40 V	600 MA				-		PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
2N4410	-	RFQ	6762	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4410		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000												80 V	200 ma				10NA（ICBO）		NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
2N5087BU	-	RFQ	7120	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5087		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000												50 V	100 ma				50NA		PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 100µA，5V	40MHz
MMBF4391LT1	-	RFQ	8159	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBF43				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMBF4393LT1	-	RFQ	6292	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBF43				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MMBF5484LT1	-	RFQ	8425	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBF54				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMBFJ177LT1	-	RFQ	9383	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBFJ1				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N5461	-	RFQ	7132	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C〜135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5461		350兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	P通道								7pf @ 15V					40 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA
IRLW510ATM	-	RFQ	5562	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRLW51	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	5.6A（TC）	5V	440MOHM @ 2.8A，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	3.8W（37W），37W（tc）
FJP5021OTU	-	RFQ	5690	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000												500 v	5 a				10µA（ICBO）		NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 600mA，5V	18MHz
KSB1022TU	-	RFQ	9142	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB10		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000												60 V	7 a				100µA（ICBO）		pnp-达灵顿	2V @ 14mA，7a	2000 @ 3a，3v	-
FQD5N30TF	-	RFQ	6634	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	300 v	4.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQPF2P40	-	RFQ	3194	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	400 v	1.34A（TC）	10V	6.5OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FQU30N06LTU	-	RFQ	2128	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU3	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	60 V	24A（TC）	5V，10V	39mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1040 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FQD30N06TF	-	RFQ	2710	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	22.7A（TC）	10V	45mohm @ 11.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HUF764073	-	RFQ	2835	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUF76	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	60 V	13A（TC）	4.5V，10V	92MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FQP19N20CTSTU	-	RFQ	3686	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	19a（tc）	10V	170MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	139W（TC）
FQPF16N25C	-	RFQ	3977	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	250 v	15.6A（TC）	10V	270MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FQP3P50	1.6900	RFQ	2630	Onmi	QFET®	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道	500 v	2.7A（TC）	10V	4.9ohm @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	85W（TC）
J105_D27Z	-	RFQ	1110	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J105		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道								-					25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA		3欧姆
J106	-	RFQ	9334	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J106		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道								-					25 v	200 ma @ 15 V	2 V @ 1 µA		6欧姆
J105_D74Z	-	RFQ	5126	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J105		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道								-					25 v	500 ma @ 15 V	4.5 V @ 1 µA		3欧姆
FQPF5N50CYDTU	1.5000	RFQ	667	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF5N50CYDTU	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²