晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
DTA124ERLRA	-	询价	5180	onsemi	*	大部分	的积极				DTA124					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	2,000
KSD1691OS	-	询价	7803	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSD1691		1.3W		TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000														60V	5A		10μA（ICBO）			NPN	300mV@200mA，2A	100 @ 2A，1V	-
2SC3576	0.0800	询价	35	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
FCH060N80-F155	18.1600	询价	7046	onsemi	SuperFET® II	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	FCH060	MOSFET（金属O化物）			TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道	800V	56A（温度）	10V	60毫欧@29A，10V	4.5V@5.8mA	350nC@10V	±20V	14685pF@100V	-	500W（温度）
FMB857B	-	询价	2100	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FMB85		700毫W		超级SOT™-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000														45V	500毫安		15nA（ICBO）			国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	-
2SJ646-E	0.2100	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2SK3704	-	询价	8303	onsemi	-	包	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3704	MOSFET（金属O化物）			TO-220ML	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道	60V	45A（塔）	4V、10V	14毫欧@23A，10V	-	67nC@10V	±20V	3500pF@20V	-	2W（Ta）、30W（Tc）
BC557CG	-	询价	4903	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BC557		625毫W		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000														45V	100毫安		100纳安			国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	320兆赫
DTC143TM3T5H	-	询价	3728	onsemi	*	大部分	的积极				故障码143					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	8,000
NTB30N06	-	询价	3203	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	650
NVMFS5C680NLT1G	1.0800	询价	第1639章	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5	MOSFET（金属O化物）			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	60V	8.1A（Ta）、21A（Tc）	4.5V、10V	27.5毫欧@7.5A，10V	2.2V@13μA	5.8nC@10V	±20V	330pF@25V	-	3.4W（Ta）、24W（Tc）
2SC536KG-NP-AA	0.0200	询价	27号	onsemi	*	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
NSVBCP69T1G	0.4400	询价	31	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NSVBCP69		1.5W		SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000														20V	1A		10μA（ICBO）			国民党	500mV@100mA，1A	85@500mA，1V	60兆赫
NVMJD027N06CLTWG	0.6426	询价	3596	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NVMJD027	-	3.2W（Ta）、24W（Tc）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMJD027N06CLTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	7.7A（Ta）、21A（Tc）		27毫欧@9A，10V	2.2V@13μA	5nC@10V		335pF@30V	-
FDD6N50FTM	1.2800	询价	105	onsemi	UniFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD6N50	MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	500V	5.5A（温度）	10V	1.15欧姆@2.75A，10V	5V@250μA	19.8nC@10V	±30V	960pF@25V	-	89W（温度）
2SA1341-TB-E	0.2900	询价	162	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
FQB6N60CTM	-	询价	3847	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB6	MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	600伏	5.5A（温度）	10V	2欧姆@2.75A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±30V	810pF@25V	-	125W（温度）
FDB8443-F085	-	询价	4831	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB844	MOSFET（金属O化物）			D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	25A（塔）	10V	5.5毫欧@80A，10V	4V@250μA	185nC@10V	±20V	9310pF@25V	-	188W（温度）
DTC114TET1	-	询价	9370	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	故障码114		200毫W		SC-75、SOT-416	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安		500纳安			NPN - 预偏置	250mV@1mA、10mA	160@5mA，10V		10欧姆
NTD23N03RT4G	-	询价	5803	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币23元	MOSFET（金属O化物）			DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	3.8A（Ta）、17.1A（Tc）	4V、5V	45毫欧@6A，10V	2V@250μA	4.5V时为3.76nC	±20V	225pF@20V	-	1.14W（Ta）、22.3W（Tc）
IRFP460C	-	询价	2828	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	IRFP4	MOSFET（金属O化物）			TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	500V	20A（温度）	10V	240毫欧@10A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±30V	6000pF@25V	-	235W（温度）
CPH3303-TL-E	0.1600	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
NTBG040N120SC1	24.3300	询价	第760章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	NTBG040	SiCFET（碳化硅）			D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	1200伏	60A（温度）	20V	56毫欧@35A，20V	4.3V@10mA	106nC@20V	+25V、-15V	800V时为1789pF	-	357W（温度）
FDD3860	1.2200	询价	10	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD386	MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	6.2A（塔）	10V	36毫欧@5.9A，10V	4.5V@250μA	31nC@10V	±20V	1740pF@50V	-	3.1W（Ta）、69W（Tc）
BC858CDW1T1G	-	询价	7876	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BC858		380毫W		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														30V	100毫安		15nA（ICBO）			2 PNP（双）	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	100兆赫兹
MPSA65_D27Z	-	询价	2439	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA65		625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000														30V	1.2A		100nA（ICBO）			PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	100兆赫兹
NVTJD4158CT1G	-	询价	9197	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NVTJD41	-			SC-88/SC70-6/SOT-363	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-		250mA（塔）		-	-				-	-
FQPF4N25	-	询价	7422	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF4	MOSFET（金属O化物）			TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	2.8A（温度）	10V	1.75欧姆@1.4A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	32W（温度）
IRLS640A	1.7200	询价	5	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IRLS640	MOSFET（金属O化物）			TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	200V	9.8A（温度）	5V	180毫欧@4.9A，5V	2V@250μA	56nC@5V	±20V	1705pF@25V	-	40W（温度）
FMG2G75US60	-	询价	8439	onsemi	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	晚上7点-GA	FMG2		310W	标准	晚上7点-GA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	半桥												-	600伏	75A	2.8V@15V，75A	250微安	不	7.056nF@30V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²