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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMT80080DC	5.2300	RFQ	8	Onmi	Dual Cool™，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT80080		MOSFET （金属 o化物）			8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	36a（36a），254a（tc）	8V，10V	1.35MOHM @ 36a，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±20V	20720 PF @ 40 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
FQAF9P25	-	RFQ	7365	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF9		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		P通道		250 v	7.1A（TC）	10V	620MOHM @ 3.55A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	70W（TC）
2SB927T-AE	0.1100	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SB927T-AE-488			1
FQA7N80	-	RFQ	6629	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA7		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	7.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	198W（TC）
NTMS4840NR2G	-	RFQ	2867	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS48		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道		30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 15 V	-	680MW（TA）
NXH200T120H3Q2F2STG	198.2658	RFQ	2353	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				679 w	标准	56-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH200T120H3Q2F2STG	Ear99	8541.29.0095	12	半桥														沟渠场停止	1200 v	330 a		2.3V @ 15V，200a							500 µA	不	35.615 NF @ 25 V
2SK4084L	1.4100	RFQ	941	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FI（LS）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SK4084LS-488	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		500 v	9.6A（TC）		520MOHM @ 7A，10V	-	38.4 NC @ 10 V		1000 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
MGP15N40CLG	-	RFQ	6319	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MGP15	逻辑		150 w		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MGP15N40Clgos	Ear99	8541.29.0095	50			300V，6.5a，1KOHM												-	440 v	15 a	50 a	2.9V @ 4V，25a	-		- /4µs
BUV26	-	RFQ	8342	Onmi	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				85 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50																90 v	10 a									-			NPN	1.5V @ 1.2a，12a	-	-
NTMFS4C302NT3G	1.9192	RFQ	1547年	Onmi	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4C302NT3G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	41A（ta），230a （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	5780 pf @ 15 V	-	3.13W（TA），96W（tc）
2SA1318S-AA	0.0200	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
NXH400N100H4Q2F2SG	322.7400	RFQ	36	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				959 w	标准	42-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH400N100H4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	12	三级逆变器														沟渠场停止	1000 v	409 a		2.3V @ 15V，400A							500 µA	是的	26.093 NF @ 20 V
BC847AWT1G	0.2100	RFQ	37	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			150兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma									15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
2SC536KG-NP-AA	0.0200	RFQ	27	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
EFC6601R-Tr	0.9400	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，FCBGA	EFC6601		MOSFET （金属 o化物）	2W		EFCP2718-6CE-020	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			-	-		-	-	48nc @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
FGA40T65UQDF	-	RFQ	6336	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA40T65	标准		231 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			400V，40a，6ohm，15V											89 ns	npt	650 v	80 a	120 a	1.67V @ 15V，40a	（989µJ）（在310µJ上）	306 NC	32NS/271NS
FQPF7N65C	1.7000	RFQ	986	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF7		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	52W（TC）
PN4302	-	RFQ	3140	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN430			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道									-												30 V	500 µA @ 15 V	4 V @ 1 na
NGTB50N120FL2WG	-	RFQ	2539	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB50	标准		535 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	NGTB50N120FL2WGOS	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，10ohm，15V											256 ns	沟渠场停止	1200 v	100 a	200 a	2.2V @ 15V，50a	4.4MJ（在）上，1.4MJ off）	311 NC	118NS/282NS
HGTG20N60B3D	6.1500	RFQ	95	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG20N60	标准		165 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											55 ns	-	600 v	40 a	160 a	2V @ 15V，20A	（475µJ）（在1.05MJ上）	80 NC	-
NTHD5905T1	-	RFQ	7514	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59		MOSFET （金属 o化物）	1.1W		chipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTHD5905T1OS	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			8V	3a		90MOHM @ 3A，4.5V	450mv @ 250µA	9NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SC9611MX	-	RFQ	6573	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-SC9611MXTR	过时的		3,000
HUF76629D3ST-F085	-	RFQ	6371	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUF76		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	1280 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FPF2G120BF07ASP	-	RFQ	3746	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块	FPF2			156 w	标准	F2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	3独立														现场停止	650 v	40 a		2.2V @ 15V，40a							250 µA	是的
FDPF7N50U	-	RFQ	6885	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF7		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	39W（TC）
FGD5T120SH	1.7400	RFQ	1717年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD5T120	标准		69 W		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			600V，5A，30OHM，15V												沟渠场停止	1200 v	10 a	12.5 a	3.6V @ 15V，5A	（247µJ）（在），94µJ（94µJ）中	6.7 NC	4.8NS/24.8NS
NTLTS3107PR2G	0.7200	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的				NTLTS31						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
TE02555T	0.3300	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
2SA984KE-AA	0.0600	RFQ	10	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
NVMFD030N06CT1G	0.9440	RFQ	7892	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD030		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（TA），23W（tc）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFD030N06CT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			60V	7a（7A）（19a tc）（TC）		29.7MOHM @ 3A，10V	4V @ 13µA	4.7NC @ 10V		255pf @ 30V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²