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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FJV992FMTF	0.3200	RFQ	71	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV992		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													120 v	50 mA	-	PNP	300mv @ 1mA，10mA	300 @ 1mA，6v	50MHz
NSCT2907ALT3G	-	RFQ	8386	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSCT29		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2SC6089-CA	0.7500	RFQ	15	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NTMT190N65S3H	5.4500	RFQ	9	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		MOSFET （金属 o化物）		4-TDFN （8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMT190N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	16A（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 1.4mA	31 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 400 V	-	129W（TC）
NDF02N60ZH	-	RFQ	3756	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF02	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.4A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	16 NC @ 10 V	±30V	325 pf @ 25 V	-	24W（TC）
FJZ945OTF	-	RFQ	5489	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-623F	FJZ945		100兆	SOT-623F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
NVMFS5C442NLWFT1G	-	RFQ	2428	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	27a（27a），127a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
FDD6N50FTM	1.2800	RFQ	105	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD6N50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	5.5A（TC）	10V	1.15OHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	19.8 NC @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	89W（TC）
NTD5862N-1G	-	RFQ	8850	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD58	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	98A（TC）	10V	5.7MOHM @ 45A，10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	115W（TC）
BS270-D74Z	0.4200	RFQ	17	Onmi	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS270	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道	60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
NTD5413NT4G	-	RFQ	1199	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD54	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	30a（TA）	10V	26mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	68W（TC）
NTMFS4836NT3G	-	RFQ	4684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（11a）（ta），90a （TC）	4.5V，11.5V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	2677 PF @ 12 V	-	890MW（TA），55.6W（tc）
FD6M033N06	-	RFQ	6945	Onmi	Power-SPM™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M033	MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）		60V	73a		3.3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	129nc @ 10V		6010pf @ 25V	-
FDD4141-F085	-	RFQ	4284	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD4141	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	10.8A（ta），50a（tc）	4.5V，10V	12.3mohm @ 12.7a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2775 PF @ 20 V	-	2.4W（TA），69W（tc）
FCD620N60ZF	1.9600	RFQ	10	Onmi	Hiperfet™，Polar™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD620	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	620MOHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1135 PF @ 25 V	-	89W（TC）
2SC6015-TD-E	-	RFQ	4418	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
CPH3123-TL-E	-	RFQ	8757	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH3123		900兆	3-CPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-CPH3123-TL-ETRE	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	650mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	390MHz
FDY1002PZ-G	-	RFQ	7671	Onmi	PowerTrench®	大部分	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		MOSFET （金属 o化物）	446MW（TA）	SOT-563	-				488-FDY1002PZ-G			1	2个p通道		20V	830mA ta）		500MOHM @ 830mA，4.5V	1V @ 250µA	3.1nc @ 4.5V		135pf @ 10V	逻辑级别门
2SC2271E-AE	-	RFQ	7419	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			900兆	3-MP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC2271E-AE-488			1													300 v	100 ma	1µA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	50MHz
NTD4857N-35G	-	RFQ	8221	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	12a（12a），78a tc（78a tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	1960 pf @ 12 V	-	1.31W（TA），56.6W（tc）
FQD17P06TM	1.0400	RFQ	7300	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD17P06	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	12A（TC）	10V	135mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
2SD1804S-E	0.3300	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
2SA1331-4-TB-E	0.0700	RFQ	171	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
FDMS7670AS	1.2900	RFQ	182	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS7670	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	22a（22A），42a（tc）	4.5V，10V	3mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	4225 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
mps2907arl1g	-	RFQ	4784	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS290		625兆	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
FQP2P40-F080	1.3300	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	400 v	2A（TC）	10V	6.5OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	63W（TC）
ISL9N302AP3	-	RFQ	6874	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ISL9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 15 V	-	345W（TC）
NVTFS6H850NWFTAG	1.2000	RFQ	4824	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS6	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	80 V	（11a）（ta），68a tc（TC）	10V	9.5mohm @ 10a，10v	4V @ 70µA	19 nc @ 10 V	±20V	1140 pf @ 40 V	-	3.2W（ta），107W（tc）
FQA33N10L	-	RFQ	3695	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道	100 v	36a（TC）	5V，10V	52MOHM @ 18A，10V	2V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	163W（TC）
FDS8958A	0.8500	RFQ	4228	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道		30V	7a，5a		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	16NC @ 10V		575pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²