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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMA410NZ	0.9800	RFQ	47	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA410		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		20 v	9.5A（TA）	1.5V，4.5V	23mohm @ 9.5a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1080 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
FQD2N30TM	-	RFQ	8625	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		300 v	1.7A（TC）	10V	3.7OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
NGTD30T120F2SWK	-	RFQ	9465	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD30	标准			死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-												沟渠场停止	1200 v		200 a	2.4V @ 15V，40a	-		-
FQU2N50BTU	-	RFQ	2171	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	5.3OHM @ 800mA，10v	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
NGTB40N60L2WG	6.0800	RFQ	25	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		417 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V											73 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.61V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，280µJ off）	228 NC	98NS/213NS
FQU1N60TU	-	RFQ	3915	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道		600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FQA7N80_F109	-	RFQ	2253	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA7		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	7.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	198W（TC）
FGPF45N45TTU	-	RFQ	7733	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF4	标准		51.6 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-												沟	450 v		180 a	1.5V @ 15V，20A	-	100 NC	-
NTD5865NL-1G	-	RFQ	8318	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD58		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		60 V	46A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	71W（TC）
NGTB20N120IHTG	4.2251	RFQ	2767	Onmi	-	管子	不适合新设计				NGTB20					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
NTMFS4921NT1G	-	RFQ	7605	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		30 V	8.8a（ta），58.5a tc）	4.5V，11.5V	6.95mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 11.5 V	±20V	1400 pf @ 12 V	-	870MW（TA），38.5W（tc）
FQD3P20TM	-	RFQ	4060	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		200 v	2.4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），37W（TC）
HUFA75829D3ST	-	RFQ	2241	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA75		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		150 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 20 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FGPF50N33BTTU	-	RFQ	6867	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	FGPF5	标准		43 W	TO-220F-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-												沟	330 v	50 a	160 a	1.5V @ 15V，20A	-	35 NC	-
FCD380N60E	2.4600	RFQ	5228	Onmi	SuperFet®II	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD380		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	106W（TC）
NTLJS3180PZTAG	-	RFQ	8073	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS31		MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道		20 v	3.5A（ta）	1.5V，4.5V	38mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 16 V	-	700MW（TA）
SFT1431-W	-	RFQ	6229	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT143		MOSFET （金属 o化物）		IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道		35 v	11a（11a）	4V，10V	25mohm @ 5.5a，10v	2.6V @ 1mA	17.3 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
2SB883	1.2100	RFQ	8	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
KSD1413TU	-	RFQ	9860	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1413			2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															40 V	3 a						20µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 4mA，2a	2000 @ 1A，2V	-
NTH027N65S3F-F155	23.0900	RFQ	419	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTH027		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	75A（TC）	10V	27.4mohm @ 35a，10v	5V @ 7.5mA	259 NC @ 10 V	±30V	7690 pf @ 400 V	-	595W（TC）
FDS9435A-NBAD008	0.2200	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS9435A-NBAD008TR	Ear99	8541.29.0095	2,273	P通道		30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FDBL9401-F085T6	8.7500	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL9401		MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDBL9401-F085T6TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		40 V	58.4A（TA），240A （TC）		0.67MOHM @ 50a，10V	4V @ 290µA	148 NC @ 10 V	+20V，-16V	10000 PF @ 25 V	-	4.3W（TA），180.7W（tc）
FDS6676AS-G	0.5600	RFQ	24	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6676AS-GTR	Ear99	8541.29.0095	893	n通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	6mohm @ 14.5a，10v	3V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	2510 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FDS6673BZ-G	0.6600	RFQ	126	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FDS6673BZ-GTR	Ear99	8541.29.0095	758	P通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±25V	4700 PF @ 15 V	-	1W（ta）
NVMFWS021N10MCLT1G	0.4169	RFQ	2968	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFWS021N10MCLT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		100 v	8.4a（TA），31a （TC）	4.5V，10V	23mohm @ 7a，10v	3V @ 42µA	13 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 50 V	-	3.6W（ta），49W（tc）
NVMFS5C442NWFET1G	1.0181	RFQ	1941年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C442NWFET1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		40 V	29A（ta），140a（tc）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 90µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
FCP125N65S3R0	4.6400	RFQ	200	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP125		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.4mA	46 NC @ 10 V	±30V	1940 pf @ 400 V	-	181W（TC）
FQP4N20L	1.1900	RFQ	2	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP4		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	3.8A（TC）	5V，10V	1.35OHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5.2 NC @ 5 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FDD8N50NZTM	1.4100	RFQ	2338	Onmi	Unifet-II™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8N50		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		500 v	6.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.25A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±25V	735 PF @ 25 V	-	90W（TC）
NVMJD016N06CTWG	0.6108	RFQ	9076	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NVMJD016		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD016N06CTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²