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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SA2210	-	RFQ	5566	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA2210			2 w	TO-220F-3SG	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100																50 V	20 a						10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 350mA，7a	150 @ 1A，2V	140MHz
KSP76BU	-	RFQ	3058	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSP76			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																50 V	500 MA						500NA	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
MJD2955G	0.9400	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD2955			1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75																60 V	10 a						50µA	PNP	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
BC636_J35Z	-	RFQ	3148	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC636			1 w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																45 v	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FQD5N30TM	-	RFQ	5059	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		300 v	4.4A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
2SC3808	-	RFQ	3179	Onmi	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MCH3414-EBM-TL-E	0.0800	RFQ	99	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC327A	-	RFQ	8264	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC327			625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	800 MA						100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FDMS3606AS	-	RFQ	2828	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3606		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	13a，27a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1695pf @ 15V	逻辑级别门
SGL60N90DG3TU	-	RFQ	2783	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL60	标准		180 w	TO-264-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	375			-											1.5 µs	沟	900 v	60 a	120 a	2.7V @ 15V，60a	-	260 NC	-
2SD1803T-TL-E	0.8300	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1803			1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																50 V	5 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	200 @ 500mA，2V	180MHz
NTMFSC0D9N04CL	5.0500	RFQ	8318	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFSC0		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	313a（TC）	4.5V，10V	-	2V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 20 V	-	83w（ta）
NTD5C632NLT4G	4.8200	RFQ	1936年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	29a（ta），155a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	（4W）（115W（ta）（TC）
IMD10AMT1G	0.4000	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	IMD10			285MW	SC-74R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	500mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5v / 68 @ 100mA，5V	-	13KOHMS，130OHMS	10KOHMS
NTD4809NA-1G	-	RFQ	5704	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	9.6a（ta），58a tc）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1456 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
FCP099N65S3	5.9000	RFQ	4580	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP099		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.5V @ 3mA	61 NC @ 10 V	±30V	2480 pf @ 400 V	-	227W（TC）
NTMFS5C628NLT3G	4.0800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	150a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
5LP01M-TL-HX	-	RFQ	9536	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	5LP01		-		MCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			70mA（TJ）		-	-				-	-
MMBT3416LT3G	0.1800	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3416			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																40 V	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 3mA，50mA	75 @ 2mA，4.5V	-
FDMC7208	1.8000	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC7208		MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	12a，16a		9mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	18NC @ 10V		1130pf @ 15V	逻辑级别门
BD439	-	RFQ	7053	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD439			36 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																60 V	4 a						100µA（ICBO）	NPN	800mv @ 300mA，3a	40 @ 500mA，1V	3MHz
2SD1816S-TL-E	1.3600	RFQ	880	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1816			1 w	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																100 v	4 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 200mA，2a	140 @ 500mA，5V	180MHz
2SB1228	0.5700	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
KSD1408GTU	-	RFQ	2712	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1408			25 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																80 V	4 a						30µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 300mA，3a	40 @ 500mA，5V	8MHz
BC848CDXV6T5G	-	RFQ	9674	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BC848			500MW	SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响	BC848CDXV6T5GOS	Ear99	8541.21.0075	8,000																30V	100mA						15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FJPF5027RYDTU	-	RFQ	5817	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5027			40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																800 v	3 a						10µA（ICBO）	NPN	2V @ 300mA，1.5a	15 @ 200ma，5v	15MHz
FDB060AN08A0	3.8200	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB060		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	16a（16a），80A（tc）	6V，10V	6mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5150 pf @ 25 V	-	255W（TC）
2N4410_D74Z	-	RFQ	4627	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4410			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																80 V	200 ma						10NA（ICBO）	NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
2SB1216T-TL-H	-	RFQ	7297	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1216			1 w	TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																100 v	4 a						1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，5V	130MHz
MCH6660-TL-H	-	RFQ	4980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6660		MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	2a，1.5a		136mohm @ 1A，4.5V	-	1.8NC @ 4.5V		128pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²