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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MUN2211T1G	0.1800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2211			230兆		SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA			npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v		10 kohms	10 kohms
KSB1149OS	-	RFQ	9818	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB11			1.3 w		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																		100 v	3 a		10µA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.2V @ 1.5mA，1.5a	2000 @ 1.5A，2V	-
5HP01S-TL-E	-	RFQ	2997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	5HP01					SMCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NTP85N03G	-	RFQ	4584	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP85N		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				28 V	85A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 24 V	-	80W（TC）
MMBF102	-	RFQ	9711	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF10	-	JFET			SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		20mA	-	-											-
FDPF18N20FT	1.6300	RFQ	4568	Onmi	Unifet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF18		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1180 pf @ 25 V	-	41W（TC）
FMS7G20US60S	-	RFQ	5394	Onmi	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS7			89 w	单相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																-	600 v	20 a	2.7V @ 15V，20A	250 µA	是的	1.277 NF @ 30 V
MUN5235T1G	0.2000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5235			202兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
2SK3703	-	RFQ	5538	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3703		MOSFET （金属 o化物）			TO-220毫升	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道				60 V	30a（TA）	4V，10V	26mohm @ 15a，10v	-	40 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	-	（2W）（25W）（25W）TC）
FDMC86340ET80	3.6000	RFQ	8075	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86340		MOSFET （金属 o化物）			Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	（14a）（68a ta）（TC）	8V，10V	6.5MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	2775 PF @ 40 V	-	2.8W（ta），65W（tc）
BCX79_J35Z	-	RFQ	3089	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX79			625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		45 v	500 MA		10NA			PNP	600mv @ 2.5mA，100mA	80 @ 10mA，1V	-
RFP12N10L	1.2600	RFQ	8	Onmi	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RFP12N10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	RFP12N10L-NDR	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	12A（TC）	5V	200mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
NDB4050L	-	RFQ	1258	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDB405		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				50 V	15A（TC）	5V，10V	80Mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±16V	600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FDP039N08B-F102	7.9100	RFQ	622	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP039		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				80 V	120A（TC）	10V	3.9MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	9450 PF @ 40 V	-	214W（TC）
IRFU220BTU-AM002	-	RFQ	2423	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道				200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MTB16N25ET4	0.6500	RFQ	184	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NTTFS5C453NLTAG	2.7000	RFQ	9709	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	NTTFS5C453NLTAGOSTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				40 V	23A（23A），107A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 40a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），68W（tc）
KSC2786YTA	-	RFQ	1405	Onmi	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2786			250MW		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					18db〜22dB													20V	20mA					NPN		120 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz
FQPF8N90C	-	RFQ	8934	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FCD5N60-F085	-	RFQ	2477	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				600 v	4.6A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.6A，10V	5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	54W（TJ）
NVMFS5C628NLWFAFT1G	2.9500	RFQ	4320	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				60 V	28a（28a），150a（tc）	4.5V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	2V @ 135µA	52 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
KSP13TA	0.4100	RFQ	1	Onmi	-	（CT）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP13			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		30 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
NTR4501NT3G	-	RFQ	1248	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道				20 v	3.2A（ta）	1.8V，4.5V	80MOHM @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	200 pf @ 10 V	-	1.25W（TJ）
FDS6670AS	-	RFQ	9843	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS66		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	9mohm @ 13.5a，10v	3V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1540 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDT86244	0.8900	RFQ	2093	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道				150 v	2.8A（TC）	6V，10V	128MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	395 pf @ 75 V	-	2.2W（ta）
SI4435DY	1.0300	RFQ	4	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道				30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	24 NC @ 5 V	±20V	1604 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
NTMFS4C028NT1G	1.0100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道				30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.73mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1252 PF @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
FDMS3668S	-	RFQ	8452	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3668		MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	13a，18a		8mohm @ 13a，10v	2.7V @ 250µA	29nc @ 10V		1765pf @ 15V	逻辑级别门
2SC4485S-AN	0.1500	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
FDS6574A	-	RFQ	9731	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6574		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				20 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	6mohm @ 16a，4.5V	1.5V @ 250µA	105 NC @ 4.5 V	±8V	7657 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²