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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NGTB40N65FL2WG	5.7000	RFQ	4535	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准		366 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V											72 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（970µJ）（在440µJ上）	170 NC	84NS/177NS
FAM65CR51DZ2	-	RFQ	4956	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	12-SSIP裸露的垫，形成的导线	FAM65			160 w	标准	APMCD-B16	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12	2独立														-	650 v	33 a		-								不	4.86 NF @ 400 V
NXH450B100H4Q2F2PG	225.0600	RFQ	35	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				234 w	标准	56-PIM（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH450B100H4Q2F2PG	Ear99	8541.29.0095	12	2独立														-	1000 v	101 a		2.25V @ 15V，150a							600 µA	是的	9.342 NF @ 20 V
FDMS9410-F085	-	RFQ	1214	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMS94		MOSFET （金属 o化物）			Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	50A（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 20 V	-	75W（TJ）
FDD850N10L	1.1800	RFQ	14	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD850		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	15.7A（TC）	5V，10V	75mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	28.9 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	50W（TC）
MPS5172RLM	-	RFQ	4486	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS517			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																25 v	100 ma									100NA				NPN	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	-
KSD73O	-	RFQ	8217	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD73			30 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200																60 V	5 a									5mA（iCBO）				NPN	2V @ 500mA，5a	70 @ 1A，10V	20MHz
mps6428rlra	0.0200	RFQ	80	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																50 V	200 ma									25NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 10mA，5V	700MHz
2SK4198FS	-	RFQ	9241	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK4198		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.34OHM @ 2.5a，10V	-	14.3 NC @ 10 V	±30V	360 pf @ 30 V	-	2W（TA），30W（TC）
J106	-	RFQ	9334	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J106			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道									-												25 v	200 ma @ 15 V	2 V @ 1 µA				6欧姆
2SB1700	-	RFQ	6365	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,054
MPS6717	-	RFQ	6703	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS671			1 w		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MPS6717OS	Ear99	8541.29.0095	5,000																80 V	500 MA									100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
BD240BTU	-	RFQ	7847	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD240			30 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																80 V	2 a									300µA				PNP	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
2N5400G	-	RFQ	4384	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2N5400			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																120 v	600 MA									100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	40 @ 10mA，5v	400MHz
MJH11017G	5.5400	RFQ	2632	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJH11017			150 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																150 v	15 a									1ma				pnp-达灵顿	4V @ 150mA，15a	400 @ 10a，5v	3MHz
BC636-16ZL1	0.0400	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	1
HGTG11N120CN	-	RFQ	4308	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG11N120	标准		298 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150			960V，11A，10欧姆，15V												npt	1200 v	43 a	80 a	2.4V @ 15V，11a	400µJ（在）上，1.3MJ（OFF）	100 NC	23ns/180ns
NVMFS5C628NT1G	3.0400	RFQ	8707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C628NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
2SD734E-AA	0.2700	RFQ	307	Onmi	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
NVMFS5833NT1G	-	RFQ	8081	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5833		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	16A（TA）	10V	7.5mohm @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	32.5 NC @ 10 V	±20V	1714 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），112W（tc）
FDB3682	2.3900	RFQ	2829	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB368		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	6A（6A），32a（tc）	6V，10V	36mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	95W（TC）
FQD13N10TM	0.7900	RFQ	7040	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD13N10		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	10A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
SMBT1565LT1G	0.0200	RFQ	63	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTMFS4847NAT1G	-	RFQ	6761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	11.5A（ta），85a tc）	4.5V，11.5V	4.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±16V	2614 pf @ 12 V	-	880MW（TA），48.4W（tc）
KSB834O	-	RFQ	5434	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSB834			1.5 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																60 V	3 a									100µA（ICBO）				PNP	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	9MHz
kse802stu	-	RFQ	4850	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSE80			40 W		TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920																80 V	4 a									100µA				npn-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
2SA1417T-TD-E	0.6100	RFQ	8817	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA1417			500兆		pcp	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																100 v	2 a									100NA（ICBO）				PNP	400mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	120MHz
NSBC114YPDXV6T5	0.0600	RFQ	176	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
NDF11N50ZH	-	RFQ	7411	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF11		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 25 V	-	39W（TC）
BC550C	-	RFQ	9570	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC550			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BC550COS	Ear99	8541.21.0075	5,000																45 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²