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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJD3076TM	-	RFQ	3889	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FJD3076		1 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													32 v	2 a				1µA（ICBO）		NPN	800mv @ 200mA，2a	130 @ 500mA，3v	100MHz
2SB544F-MP-AE	-	RFQ	8908	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
SPS9607RLM	0.0200	RFQ	42	Onmi	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
FDMS7606	-	RFQ	2258	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Powerwdfn	FDMS76	MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	11.5a，12a		11.4mohm @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		1400pf @ 15V	逻辑级别门
FDFS2P102	-	RFQ	8701	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDFS2	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	20 v	3.3a（ta）	4.5V，10V	125mohm @ 3.3a，10v	2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）
NJVMD45H11T4G	-	RFQ	9873	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NJVMD45H11				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NJVMD45H11T4GTR			1
NJVMJD41CT4G	0.9200	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD41		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													100 v	6 a				50µA		NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
NTMFS4108NT1G	-	RFQ	5514	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 21a，10V	2.5V @ 250µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	1.1W（TA），96.2W（tc）
BC517RL1	-	RFQ	2690	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC517		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	1 a				500NA		npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	30000 @ 20mA，2V	200MHz
SFT1202-E	0.8200	RFQ	819	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT1202		1 w	TP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													150 v	2 a				1µA（ICBO）		NPN	165mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，5V	140MHz
NTD40N03RT4	-	RFQ	2539	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD40	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	7.8A（ta），32A（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
MJE243	-	RFQ	5563	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE24		15 W	TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													100 v	4 a				-		NPN	300mv @ 50mA，500mA	40 @ 200ma，1V	40MHz
NTMFS4985NFT3G	-	RFQ	6980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4985	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	17.5A（TA），65A（tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	30.5 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.63W（TA），22.73W（tc）
FJAF6806DYDTBTU	-	RFQ	8916	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FJAF6806		50 W	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													750 v	6 a				1ma		NPN	5V @ 1a，4a	4 @ 4A，5V	-
NTD40N03RG	-	RFQ	1158	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD40	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	7.8A（ta），32A（tc）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 10A，10V	2V @ 250µA	5.78 NC @ 4.5 V	±20V	584 pf @ 20 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
NVMFS5C604NLWFT1G	6.1200	RFQ	5113	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	60 V	40a（TA），287A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
J113	0.5000	RFQ	4	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	J113		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	J113FS	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道								-					35 v	2 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA		100欧姆
2N4126BU	-	RFQ	2085	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4126		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													25 v	200 MA				50NA（iCBO）		PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
PN100_G	-	RFQ	8156	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1													45 v	500 MA				50NA		NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
MPS6726G	-	RFQ	5745	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS672		1 w	TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000													30 V	1 a				100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
KSA1378GBU	-	RFQ	7133	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSA13		300兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000													25 v	300 MA				100mA（ICBO）		PNP	600mv @ 30mA，300mA	200 @ 50mA，1V	-
TN6727A	-	RFQ	9039	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN6727		1 w	TO-226-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500													40 V	1.5 a				100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	50 @ 1a，1V	-
NVMFS6H800NWFT1G	4.4900	RFQ	6772	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	80 V	28a（28a）（203a tc）（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 330µA	85 NC @ 10 V	±20V	5530 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
2N3415_D27Z	-	RFQ	1359	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N341		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													25 v	500 MA				100NA（ICBO）		NPN	300mv @ 3mA，50mA	180 @ 2mA，4.5V	-
FJY3001R	-	RFQ	3986	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	FJY300		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma				100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	22 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
HUFA75623S3ST	-	RFQ	5606	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	22a（TC）	10V	64mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	52 NC @ 20 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FCP067N65S3	6.5000	RFQ	5063	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP067	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	44A（TC）	10V	67mohm @ 22a，10v	4.5V @ 4.4mA	78 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 400 V	-	312W（TC）
MCH5839-TL-W	-	RFQ	3879	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	5-SMD，平坦的铅	MCH58	MOSFET （金属 o化物）		SC-88AFL/MCPH5	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	266MOHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 1mA	1.7 NC @ 4.5 V	±10V	120 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
NVD5867NLT4G	-	RFQ	7335	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD586	MOSFET （金属 o化物）		DPAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6a（6a），22a （TC）	4.5V，10V	39mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	675 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），43W（tc）
EMC5DXV5T1G	0.3800	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-553	EMC5DXV5		500MW	SOT-553	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	4,000													50V	100mA				500NA		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v / 20 @ 5mA，10V	-	47KOHM，4.7KOHM	47KOHM，10KOHM

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²