晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
FQN1N60CBU	-	询价	7756	onsemi	QFET®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	FQN1		MOSFET（金属O化物）			TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			600伏	300mA（温度）	10V	11.5欧姆@150mA，10V	4V@250μA	6.2nC@10V	±30V	170pF@25V	-	1W（Ta）、3W（Tc）
2N6341G	-	询价	2016年	onsemi	-	托盘	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	2N6341			200W		TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100																	150伏	25A						50微安			NPN	1.8V@2.5A、25A	50@500mA，2V	40兆赫
FCP067N65S3	6.5000	询价	5063	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FCP067		MOSFET（金属O化物）			TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	44A（温度）	10V	67毫欧@22A，10V	4.5V@4.4mA	78nC@10V	±30V	3090 pF @ 400 V	-	312W（温度）
HUF76629D3ST-F085	-	询价	6371	onsemi	汽车、AEC-Q101、UltraFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	匈牙利福林76		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			100伏	20A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@20A，10V	3V@250μA	43nC@10V	±16V	1280pF@25V	-	150W（温度）
FDN8601	1.0400	询价	5	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FDN860		MOSFET（金属O化物）			SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	2.7A（塔）	6V、10V	109毫欧@1.5A，10V	4V@250μA	5nC@10V	±20V	210pF@50V	-	1.5W（塔）
RFD3055LESM	-	询价	第1467章	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RFD30		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行	RFD3055LESM-NDR	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			60V	11A（温度）	5V	107mOhm@8A，5V	3V@250μA	11.3nC@10V	±16V	350pF@25V	-	38W（温度）
FCD9N60NTM	2.5400	询价	1	onsemi	SupreMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FCD9N60		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			600伏	9A（温度）	10V	385毫欧@4.5A，10V	5V@250μA	17.8nC@10V	±30V	1000 pF @ 100 V	-	92.6W（温度）
SFT1450-TL-H	-	询价	2071	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SFT145		MOSFET（金属O化物）			TP-FA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	700		N沟道			40V	21A（塔）	10V	28毫欧@10.5A，10V	2.6V@1mA	14.4nC@10V	±20V	715pF@20V	-	1W（Ta）、23W（Tc）
MJ11030G	-	询价	1044	onsemi	-	托盘	过时的	-55°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE	MJ110			300W		TO-204 (TO-3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100																	90V	50A						2毫安			NPN-达林顿	3.5V@500mA，50A	1000 @ 25A，5V	-
NVMFS5C410NWFET1G	2.2759	询价	8851	onsemi	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMFS5C410NWFET1GTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人
NTJD4401NT4G	-	询价	1895年	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NTJD4401		MOSFET（金属O化物）	270毫W		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）				20V	第630章		375毫欧@630mA，4.5V	1.5V@250μA	3nC@4.5V		46pF@20V	逻辑电平门
FQD2N80TM	-	询价	1023	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD2N80		MOSFET（金属O化物）			TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			800V	1.8A（温度）	10V	6.3欧姆@900mA，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	550pF@25V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
NVTYS006N06CLTWG	0.7327	询价	9479	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56			MOSFET（金属O化物）			8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVTYS006N06CLTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			60V	16A（Ta）、71A（Tc）	4.5V、10V	6.8毫欧@35A，10V	2V@53μA	19nC@10V	±20V	1330pF@25V	-	3.2W（Ta）、63W（Tc）
FDW256P	-	询价	5143	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	FDW25		MOSFET（金属O化物）			8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			30V	8A（塔）	4.5V、10V	13.5毫欧@8A，10V	3V@250μA	38nC@5V	±25V	15V时为2267pF	-	1.3W（塔）
FGHL40S65UQ	-	询价	第1753章	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	FGHL40	标准		231 W		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	FGHL40S65UQOS	EAR99	8541.29.0095	30			400V，40A，6欧姆，15V												319纳秒	沟渠场站	650伏	80A	120A	1.7V@15V，40A	1.76mJ（开），362μJ（关）	306碳纳米	32纳秒/260纳秒
15GN01CA-TB-E	-	询价	1875年	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	15GN01			200毫W		3-CP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				-													8V	50毫安									NPN		200@10mA，5V	1.5GHz			-
15C01C-TB-E	-	询价	第1466章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	15C01			300毫W		3-CP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	15V	700毫安						100nA（ICBO）			NPN	300毫伏@10毫安、200毫安	300@10mA，2V	330兆赫
SDTC114EET1G	0.4100	询价	3	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	SDTC114			200毫W		SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安						500纳安			NPN - 预偏置	250mV@300μA，10mA	35@5mA，10V		10欧姆	10欧姆
FQU10N20CTU	0.3332	询价	3	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU10N20		MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道			200V	7.8A（温度）	10V	360毫欧@3.9A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	510pF@25V	-	50W（温度）
FCPF4300N80Z	2.4800	询价	993	onsemi	SuperFET® II	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF4300		MOSFET（金属O化物）			TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			800V	1.6A（温度）	10V	4.3欧姆@800mA，10V	4.5V@160μA	10V时为8.8nC	±20V	100V时为355pF	-	19.2W（温度）
2SK4097LS	1.7200	询价	第334章	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			TO-220FI(LS)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	100		N沟道			500V	8.3A（温度）		650mOhm@5A，10V	-	30nC@10V		750pF@30V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
MPS3392	-	询价	1862年	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	MPS339			625毫W		TO-92-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	500																	25V	100毫安						-			NPN	-	150@2mA，4.5V	-
FMS6G15US60	-	询价	7785	onsemi	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	25PM-AA	航班管理系统6			73 W	东部桥式调整器	25PM-AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	天线塔															-	600伏	15A		2.7V@15V，15A				250微安	是的	935pF@30V
NTPF250N65S3H	3.9400	询价	6153	onsemi	SuperFET® III	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			TO-220FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	13A（Tj）	10V	250mOhm@6.5A，10V	4V@1.1mA	24nC@10V	±30V	1261 pF @ 400 V	-	29W（温度）
NVH4L040N120SC1	40.0000	询价	第384章	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	NVH4L040		SiCFET（碳化硅）			TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVH4L040N120SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			1200伏	58A（温度）	20V	56毫欧@35A，20V	4.3V@10mA	106nC@20V	+25V、-15V	800V时为1762pF	-	319W（温度）
NJVMJB44H11T4G	1.6300	询价	7420	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NJVMJB44			2W		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	800																	80V	10A						10微安			NPN	1V@400mA，8A	40@4A，1V	50兆赫
MJ11029G	2.4000	询价	350	onsemi	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-MJ11029G-488			1
KSP45BU	-	询价	5284	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	KSP45			625毫W		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000																	350伏	300毫安						500纳安			NPN	750mV@5mA、50mA	50@10mA，10V	-
DTA124ERLRA	-	询价	5180	onsemi	*	大部分	的积极				DTA124						下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0095	2,000
KSD1691OS	-	询价	7803	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSD1691			1.3W		TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000																	60V	5A						10μA（ICBO）			NPN	300mV@200mA，2A	100 @ 2A，1V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²