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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQD7P06TM_F080	-	RFQ	1349	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FQPF3N90_NL	-	RFQ	8863	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
IRF540A	-	RFQ	1834年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF54		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	28a（TC）	10V	52mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRFS644B_FP001	-	RFQ	5541	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFS6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFU220BTU_F080	-	RFQ	9676	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70	n通道		200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MMBFJ305	-	RFQ	1824年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ3			225兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道									-												30 V	8 ma @ 15 V	500 mv @ 1 na
SFR9034TF	-	RFQ	2255	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFR903		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道		60 V	14A（TC）	10V	140MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±25V	1155 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
TLC530FTU	-	RFQ	1117	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	TLC530		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		330 v	7a（ta）		-	-				-	-
TLC530TU	-	RFQ	9396	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	TLC530		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		330 v	7a（ta）		-	-				-	-
MMBT4401M3T5G	0.3400	RFQ	61	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	MMBT4401			265兆	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	8,000															40 V	600 MA									-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FDMS7578	-	RFQ	4054	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS75		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		25 v	（17a）（28a）（28a）TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1625 PF @ 13 V	-	2.5W（TA），33W（tc）
FDMS7580	1.6200	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS75		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		25 v	（15A）（29A）（29A）（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1190 pf @ 13 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
FDS4675-F085	-	RFQ	9539	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS46		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		40 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 4.5 V	±20V	4350 PF @ 20 V	-	2.4W（TA）
FDS9431A-F085	-	RFQ	9595	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS94		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FDZ375P	2.9200	RFQ	532	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	FDZ37		MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道		20 v	3.7a（ta）	1.5V，4.5V	78MOHM @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	865 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
FGH60N60SMD	6.6800	RFQ	2165	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH60	标准		600 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		400V，60a，3ohm，15V											39 ns	现场停止	600 v	120 a	180 a	2.5V @ 15V，60a	1.26mj（在）（450µJ）上）	189 NC	18NS/104NS
FDD86326	2.1800	RFQ	3825	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD863		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		80 V	8a（8a ta），37a tc（TC）	6V，10V	23mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1035 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），62W（TC）
NTMFS4899NFT1G	-	RFQ	5787	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4899		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		30 V	10.4a（ta），75a（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 12 V	-	920MW（TA），48W（tc）
NDF04N62ZG	-	RFQ	6014	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF04		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		620 v	4.4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4.5V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	28W（TC）
NTD4854NT4G	-	RFQ	5682	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		25 v	15.7A（ta），128a tc）	4.5V，10V	3.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	49.2 NC @ 4.5 V	±20V	4600 PF @ 12 V	-	1.43W（ta），93.75W（tc）
NTMFS4835NT1G	-	RFQ	3710	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4835		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		30 V	13A（13A），130A （TC）	4.5V，11.5V	3.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 11.5 V	±20V	3100 pf @ 12 V	-	890MW（TA），62.5W（tc）
FDD3860	1.2200	RFQ	10	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD386		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		100 v	6.2a（ta）	10V	36mohm @ 5.9a，10v	4.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1740 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），69w（tc）
FQH8N100C	5.5900	RFQ	8735	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FQH8N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1000 v	8A（TC）	10V	1.45OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	3220 PF @ 25 V	-	225W（TC）
FDI025N06	-	RFQ	3143	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FDI025		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		60 V	265a（TC）	10V	2.5MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	226 NC @ 10 V	±20V	14885 PF @ 25 V	-	395W（TC）
NVD5803NT4G	-	RFQ	3395	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD580		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	85A（TC）	5V，10V	5.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	83W（TC）
NVTP2955G	-	RFQ	3278	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	NVTP29		-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	-			-		-	-				-	-
FDMC7664	-	RFQ	1085	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC76		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	18.8a（ta），24a （TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 18.8A，10V	3V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4865 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），45W（tc）
FDMS7670AS	1.2900	RFQ	182	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS7670		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	22a（22A），42a（tc）	4.5V，10V	3mohm @ 21a，10v	3V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	4225 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
FQA28N50_F109	-	RFQ	6882	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA2		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	28.4a（TC）	10V	160MOHM @ 14.2A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
FQD6N60CTM-WS	-	RFQ	7740	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD6N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		600 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	80W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²