RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
KSB1116AGTA	-	RFQ	3286	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSB11		750兆w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	1 a				100NA（ICBO）		PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
MMBTA42LT1G	0.2200	RFQ	252	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													300 v	500 MA				100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
NST847AMX2T5G	0.0611	RFQ	4776	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0402（（1006公制）			225兆	3-X2DFN （1x0.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													45 v	100 ma				15NA（icbo）		NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
2SC4485S-AN	0.1500	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
CPH5848-F-TL-E	0.1800	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
KSA1242YTU	-	RFQ	6130	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSA12		10 W	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,040													20 v	5 a				100µA（ICBO）		PNP	1V @ 100mA，4a	160 @ 500mA，2V	180MHz
FJC1308PTF	-	RFQ	5291	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	FJC13		500兆	SOT-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													30 V	3 a				500NA		PNP	450mv @ 150mA，1.5a	80 @ 500mA，2V	-
KSD1020YTA	-	RFQ	5468	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020		350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													25 v	700 MA				100NA（ICBO）		NPN	400mv @ 70mA，700mA	120 @ 100mA，1V	170MHz
HUFA76619D3ST	-	RFQ	5822	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		100 v	18A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±16V	767 PF @ 25 V	-	75W（TC）
FQPF2P40	-	RFQ	3194	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF2	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		400 v	1.34A（TC）	10V	6.5OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
MJW1302AG	4.2000	RFQ	344	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MJW1302		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30													230 v	15 a				50µA（ICBO）		PNP	2V @ 1a，10a	50 @ 7a，5v	30MHz
FJX4013RTF	-	RFQ	8829	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX401		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma				100NA（ICBO）		pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
PN4393_D26Z	-	RFQ	4784	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN439		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道									14pf @ 20V					30 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
MPS4250G	-	RFQ	8545	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS425		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													40 V	50 mA				10NA（ICBO）		PNP	250mv @ 500µA，10mA	250 @ 10mA，5V	-
MJE15035	-	RFQ	1918年	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MJE15		2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MJE15035OS	Ear99	8541.29.0075	50													350 v	4 a				10µA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	10 @ 2a，5v	30MHz
FDAF75N28	-	RFQ	3443	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FDAF75	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360	n通道		280 v	46A（TC）	10V	41MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±30V	6700 PF @ 25 V	-	215W（TC）
FQB46N15TM_AM002	-	RFQ	4376	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB4	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		150 v	45.6A（TC）	10V	42MOHM @ 22.8A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），210W（tc）
MJD210RL	-	RFQ	6196	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD21		1.4 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,800													25 v	5 a				100NA（ICBO）		PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
mmun2236lt1g	0.2200	RFQ	11	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2236		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma				500NA		npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms
KSC2785OBU	-	RFQ	2793	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2785		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													50 V	150 ma				100NA（ICBO）		NPN	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 1mA，6v	300MHz
BC558B_J35Z	-	RFQ	6884	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma				15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
BC547ARL1	-	RFQ	3015	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC547		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	100 ma				15NA		NPN	250mv @ 500µA，10mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FDD5N50TF_WS	-	RFQ	2766	Onmi	Unifet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD5	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
FQP3P20	1.5600	RFQ	618	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP3P20-488	Ear99	8541.29.0095	50	P通道		200 v	2.8A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）
KSD2012YTU	-	RFQ	5339	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD2012		25 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													60 V	3 a				100µA（ICBO）		NPN	1V @ 200mA，2a	100 @ 500mA，5V	3MHz
TIP42BG	1.0700	RFQ	2812	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													80 V	6 a				700µA		PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
FQB6N25TM	-	RFQ	4357	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB6	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		250 v	5.5A（TC）	10V	1OHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），63W（tc）
BF423	-	RFQ	9176	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF423		830兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	BF423OS	Ear99	8541.21.0095	5,000													250 v	500 MA				10NA（ICBO）		PNP	500mv @ 2mA，20mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
MJD122G	0.9900	RFQ	3	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD122		20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													100 v	8 a				10µA		npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
SS9018GBU	-	RFQ	6769	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	SS9018		400MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		-											15V	50mA						NPN		72 @ 1mA，5V	1.1GHz			-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²