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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJPF5027RYDTU	-	RFQ	5817	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF5027			40 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																800 v	3 a						10µA（ICBO）	NPN	2V @ 300mA，1.5a	15 @ 200ma，5v	15MHz
FDMS86540	1.7200	RFQ	9758	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	20A（20A），50A（tc）	8V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6435 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
NVD5C434NT4G	3.5700	RFQ	5248	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C434		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	163a（TC）	10V	2.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	80.6 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	117W（TC）
FGHL50T65MQD	4.7800	RFQ	450	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGHL50	标准		268 w	TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGHL50T65MQD	Ear99	8541.29.0095	450			400V，50a，10ohm，15V											32 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	200 a	1.8V @ 15V，50a	1.05mj（在）上（700µJ）off）	94 NC	23ns/120ns
tip41c	-	RFQ	6309	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41			65 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																100 v	6 a						700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
NVMFS6H801NLWFT1G	1.2308	RFQ	7030	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS6		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS6H801NLWFT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		80 V	24A（24A），160A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5126 pf @ 40 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
NTR4503NT3	-	RFQ	8217	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR450		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	110mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 24 V	-	420MW（TA）
MCH6431-P-TL-H	-	RFQ	6323	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH64		-		6-MCPH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			5A（TJ）		-	-				-	-
FDD86326	2.1800	RFQ	3825	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD863		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	8a（8a ta），37a tc（TC）	6V，10V	23mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1035 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），62W（TC）
BC857BWT1G	0.1600	RFQ	42	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
mpsa63zl1g	-	RFQ	6844	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA63			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
KSH42CTF	-	RFQ	4080	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH42			1.75 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																100 v	6 a						50µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
NTMS5P02R2G	0.9300	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS5		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		20 v	3.95a（ta）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.4A，4.5V	1.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±10V	1900 pf @ 16 V	-	790MW（TA）
FQP7N60	-	RFQ	1285	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	7.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.7A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1430 pf @ 25 V	-	142W（TC）
MPS6562_D26Z	-	RFQ	1631年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPS656			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																25 v	1 a						100NA	PNP	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，1V	60MHz
KSP63TA	-	RFQ	5319	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP63			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2SK2464-TL-E	1.1000	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
MMBT3416LT3G	0.1800	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3416			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																40 V	100 ma						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 3mA，50mA	75 @ 2mA，4.5V	-
MCH3211-TL-E	0.1600	RFQ	510	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2SB1216T-TL-H	-	RFQ	7297	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB1216			1 w	TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700																100 v	4 a						1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，5V	130MHz
MCH5818-TL-E	-	RFQ	2233	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
FJV3101RMTF	-	RFQ	6273	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV310			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
ECH8305-TL-E	0.2300	RFQ	69	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		8-ech	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		60 V	4A（ta）		85MOHM @ 2A，10V	-	34 NC @ 10 V		1680 pf @ 20 V	-	1.6W（TA）
MMBT3416LT3	0.0200	RFQ	80	Onmi	-	大部分	过时的				MMBT3416					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
2SK4177-DL-1E	-	RFQ	9948	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SK4177		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1500 v	2A（TA）	10V	13ohm @ 1A，10V	-	37.5 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 30 V	-	80W（TC）
NTB75N03L09G	-	RFQ	1540年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB75		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	75A（TC）	5V	8mohm @ 37.5a，5v	2V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±20V	5635 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
ECH8697R-TL-W	0.6200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8697		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			24V	10a		11.6mohm @ 5A，4.5V	-	6NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
BCW66GLT1G	0.2100	RFQ	13	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW66			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	800 MA						20NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
MCH6660-TL-H	-	RFQ	4980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6660		MOSFET （金属 o化物）	800MW	6-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	2a，1.5a		136mohm @ 1A，4.5V	-	1.8NC @ 4.5V		128pf @ 10V	逻辑级别门
TIG074E8-TL-H	-	RFQ	3566	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TIG074	标准			SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			-												-	400 v		150 a	5.4V @ 2.5V，100a	-		-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²