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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	年级	资格
NTD4906NT4G	-	RFQ	6671	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	10.3a（ta），54a（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1932 PF @ 15 V	-	1.38W（TA），37.5W（tc）
2N3906BU	0.3600	RFQ	32	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N3906			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																40 V	200 ma						-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDG6303N_G	-	RFQ	9100	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG6303		MOSFET （金属 o化物）	300MW		SC-88 （SC-70-6）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			25V	500mA		450MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		50pf @ 10V	逻辑级别门
NTMFS5C430NT3G	1.8724	RFQ	1863年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	35A（35A），185A （TC）	10V	1.7MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），106W（tc）
FDC638APZ	0.6300	RFQ	64	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638		MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	43mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
FQP18N50V2	-	RFQ	3989	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	18A（TC）	10V	265MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	3290 pf @ 25 V	-	208W（TC）
FQI9N15TU	-	RFQ	2015	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI9		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），75W（（（（（（（（（（
NDF11N50ZG	-	RFQ	5649	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NDF11		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	12A（TC）	10V	520MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 25 V	-	39W（TC）
MCH6660-TL-W	-	RFQ	7006	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	MCH6660		MOSFET （金属 o化物）	800MW		6-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	2a，1.5a		136mohm @ 1A，4.5V	1.3V @ 1mA	1.8NC @ 4.5V		128pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
FGA90N30TU	-	RFQ	4984	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA90	标准		219 w		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	90 a	220 a	1.4V @ 15V，20A	-	87 NC	-
FDT86244	0.8900	RFQ	2093	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT86		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		150 v	2.8A（TC）	6V，10V	128MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	395 pf @ 75 V	-	2.2W（ta）
FQB65N06TM	-	RFQ	1159	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB6		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	65A（TC）	10V	16mohm @ 32.5a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	2410 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
FQD5N40TF	-	RFQ	9982	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		400 v	3.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FDPF7N50F	-	RFQ	4825	Onmi	Unifet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF7		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	6A（TC）	10V	1.15OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FQB17P06TM	-	RFQ	8772	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	17a（TC）	10V	120MOHM @ 8.5a，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），79W（tc）
IRFP460C	-	RFQ	2828	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IRFP4		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	240mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	6000 pf @ 25 V	-	235W（TC）
NTJD4001NT2G	-	RFQ	8400	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NTJD4001		MOSFET （金属 o化物）	272MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	250mA		1.5OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	1.3nc @ 5V		33pf @ 5V	-
FMS6G15US60	-	RFQ	7785	Onmi	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS6			73 W	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器														-	600 v	15 a		2.7V @ 15V，15a				250 µA	是的	935 PF @ 30 V
smun5330dw1t1g	0.1060	RFQ	1482	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	Smun5330			187MW		SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v	-	1KOHMS	1KOHMS
FDMS8670	-	RFQ	6652	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS86		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	24A（24A），42A （TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 24A，10V	3V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3940 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
NTMYS9D3N06CLTWG	2.1550	RFQ	8899	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NTMYS9						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMYS9D3N06CLTWGTR			3,000					（14a）（TA），50A （TC）
FDMT80040DC	11.7100	RFQ	435	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	FDMT80040		MOSFET （金属 o化物）			8 Dual Cool™88	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	420a（TC）	6V，10V	0.56MOHM @ 64a，10V	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	26110 PF @ 20 V	-	156W（TC）
FDN336P	0.4500	RFQ	25	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN336		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	1.3a（ta）	2.5V，4.5V	200mohm @ 1.3A，4.5V	1.5V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±8V	330 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
ISL9V5045S3ST-F085	5.2100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ISL9V5045	逻辑		300 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			300V，1KOHM，5V												-	480 v	51 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
NVTJD4158CT1G	-	RFQ	9197	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NVTJD41		-			SC-88/SC70-6/SOT-363	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			250mA（ta）		-	-				-	-
FMS7G10US60S	-	RFQ	7853	Onmi	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS7			66 W	单相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器														-	600 v	10 a		2.7V @ 15V，10a				250 µA	是的	710 PF @ 30 V
NTLJS3A18PZTWG	-	RFQ	4673	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS3A		MOSFET （金属 o化物）			6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
ISL9V3036S3ST-F085C	-	RFQ	8783	Onmi	-	大部分	上次购买	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		150 w		D²Pak-3（TO-263-3）	-				488-ISL9V3036S3ST-F085C	Ear99	8541.29.0095	1			-											2.1 µs	-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	700NS/4.8µs										汽车	AEC-Q101
NTTFSS1D1N02P1E	1.0303	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Powerwdfn	NTTFSS1		MOSFET （金属 o化物）			9-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFSS1D1N02P1ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	39A（TA），264A（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 27A，10V	2V @ 934µA	60 NC @ 10 V	±16V	4360 pf @ 13 V	-	2W（ta），89w（tc）
NVMFS5833NLT1G	-	RFQ	9397	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5833		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	16A（TA）	10V	7.5mohm @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	32.5 NC @ 10 V	±20V	1714 PF @ 25 V	-	3.7W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²