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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQB6N60TM	-	RFQ	4952	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB6		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	6.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.1a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
EFC4627R-Tr	0.4300	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	EFC4627		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	4-EFCP（1.01x1.01）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	-	13.4NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
PCG20N60A4W	-	RFQ	6515	Onmi	-	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCG20N60A4W	Ear99	8541.29.0095	1
2N4401TFR	0.3700	RFQ	31	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4401			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															40 V	600 MA					-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FDU8796	-	RFQ	8762	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU87		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2610 PF @ 13 V	-	88W（TC）
NTD4959NH-1G	-	RFQ	9022	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	（9A）（ta），58a tc（TC）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 11.5 V	±20V	2155 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
KSH45H11ITU	-	RFQ	9445	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSH45			1.75 w	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,040															80 V	8 a					10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
BD242B	-	RFQ	2683	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD242			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															80 V	3 a					300µA	PNP	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
ISL9V3040S3ST	2.8400	RFQ	7728	Onmi	Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ISL9V3040	逻辑		150 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			300V，1KOHM，5V											-	430 v	21 a	1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
FDV301N_D87Z	-	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV301		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		25 v	220mA（ta）	2.7V，4.5V	4ohm @ 400mA，4.5V	1.06V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	8V	9.5 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
NTD4906NT4G	-	RFQ	6671	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD49		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	10.3a（ta），54a（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1932 PF @ 15 V	-	1.38W（TA），37.5W（tc）
mpsa55rlra	-	RFQ	4938	Onmi	*	（CT）	过时的				MPSA55					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
FDP6030BL	-	RFQ	7174	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	40a（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	60W（TC）
FDG316P	-	RFQ	9163	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG316		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	190MOHM @ 1.6A，10V	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	165 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
FDU8878	-	RFQ	8282	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FDU88		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	15mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 15 V	-	40W（TC）
FQD24N08TF	-	RFQ	5266	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		80 V	19.6a（TC）	10V	60mohm @ 9.8A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	750 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
2SC6097-E	-	RFQ	2439	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC6097			800兆	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500															60 V	3 a					1µA（ICBO）	NPN	135mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，2V	390MHz
FDD8453LZ-F085	1.5400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）
NTLJS3A18PZTWG	-	RFQ	4673	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NTLJS3A		MOSFET （金属 o化物）		6-WDFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道		20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
FQB20N06LTM	-	RFQ	8991	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
TIP32B	-	RFQ	3796	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示32			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	TIP32BOS	Ear99	8541.29.0095	50															80 V	3 a					300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FDS4935A	1.0000	RFQ	18	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS49		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			30V	7a		23mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	21nc @ 5V		1233pf @ 15V	逻辑级别门
NVMFD5C478NLT1G	1.7300	RFQ	6544	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5		MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA），23W（tc）	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			40V	10.5A（ta），29a（tc）		14.5MOHM @ 7.5A，10V	2.2V @ 20µA	8.1nc @ 10V		420pf @ 25V	-
NVMFS5C680NLWFT1G	0.6427	RFQ	4412	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	8.1a（ta），21a （TC）	4.5V，10V	27.5MOHM @ 7.5A，10V	2.2V @ 13µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.4W（24W），24W tc）
NTD20P06LG	-	RFQ	8240	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道		60 V	15.5A（TA）	5V	150MOHM @ 7.5A，5V	2V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1190 pf @ 25 V	-	65W（TC）
KSC3953CSTU	-	RFQ	6579	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC3953			1.3 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,920															120 v	200 ma					100NA（ICBO）	NPN	1V @ 3mA，30mA	40 @ 10mA，10v	400MHz
NVD5C464NT4G	1.8700	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C464		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	16a（16a），59a（tc）	10V	5.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
SMMBTA14LT3G	0.0653	RFQ	5003	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBTA14			225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															30 V	300 MA					100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
NST3946DP6T5G	0.4100	RFQ	8594	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NST3946			350MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000															40V	200mA					-	NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	200MHz，250MHz
KSB1149YSTU	-	RFQ	5437	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSB11			1.3 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920															100 v	3 a					10µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.2V @ 1.5mA，1.5a	4000 @ 1.5A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²