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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
CPH3215-TL-H	-	RFQ	6952	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3215			900兆		3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	1.5 a						100NA（ICBO）			NPN	225mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	500MHz
FJX992TF	0.4400	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	FJX992			235兆		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																120 v	100 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 1mA，10mA	200 @ 2mA，6v	100MHz
FQPF9N08L	-	RFQ	2460	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	7A（TC）	5V，10V	210MOHM @ 3.5A，10V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	23W（TC）
5HN01M-TL-E	-	RFQ	4639	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	5HN01		MOSFET （金属 o化物）			MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		50 V	（100mA）（TA）	4V，10V	7.5OHM @ 50mA，10V	-	1.4 NC @ 10 V	±20V	6.2 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
NTTFS4C55NTAG	-	RFQ	7229	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4		-			8-WDFN（3.3x3.3）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		-			-		-	-				-	-
NTD4809NHT4G	-	RFQ	3520	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD48		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	9.6a（ta），58a tc）	4.5V，11.5V	9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	2155 pf @ 12 V	-	1.3W（ta），52W（（ta）
NSBC143ZF3T5G	0.4000	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC143			254兆		SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																50 V	100 ma						500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
D45C11	-	RFQ	4725	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D45C			60 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	300																80 V	4 a						10µA			PNP	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	32MHz
2SA1709S-AN	-	RFQ	3311	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SA1709			1 w		3-nmp	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2166-2SA1709S-AN-488	Ear99	8541.29.0075	2,500																100 v	2 a						100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	120MHz
FJP3305H2	-	RFQ	5727	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP3305			75 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200																400 v	4 a						1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	26 @ 1A，5V	4MHz
NVMFD5485NLT1G	1.1465	RFQ	2243	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5483		MOSFET （金属 o化物）	2.9W		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）			60V	5.3a		44mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		560pf @ 25V	逻辑级别门
MJB41C	-	RFQ	4635	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MJB41			2 w		D²Pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mjb41cos	Ear99	8541.29.0095	50																100 v	6 a						700µA			NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	3MHz
2SD1061R	0.5700	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MJD122TF	-	RFQ	9398	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD12			1.75 w		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000																100 v	8 a						10µA			npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
NSS60101DMTTBG	0.6200	RFQ	9567	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSS60101			2.27W		6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																60V	1a						100NA（ICBO）			2 NPN （双）	180mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，2V	180MHz
SMMBTA92LT3G	0.4400	RFQ	7263	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBTA92			300兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
MUN2133T1G	0.0233	RFQ	1765年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2133			230兆		SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
MSD601-RT1	-	RFQ	8734	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSD60			200兆		SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						100NA			NPN	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	-
NGTB45N60S1WG	-	RFQ	3579	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB45	标准		300 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，45A，10OHM，15V											70 ns	沟	600 v	90 a	180 a	2.4V @ 15V，45a	1.25mj（在）上，530µJ off）	125 NC	72NS/132NS
FDMC6696P	0.2100	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMC6696P-488			1
2SC6097-TL-E	0.8800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SC6097			800兆		TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700																60 V	3 a						1µA（ICBO）			NPN	135mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，2V	390MHz
2SB1167S	0.2800	RFQ	13	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
NVMFS5C670NLWFAFT1G	2.0600	RFQ	1255	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	61W（TC）
FJP5021RTU	-	RFQ	2844	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021			50 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																500 v	5 a						10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
NXH75M65L4Q1PTG	78.3462	RFQ	2011	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				86 W	标准	53-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH75M65L4Q1PTG	Ear99	8541.29.0095	21	半桥														沟渠场停止	650 v	59 a		2.22V @ 15V，75a				300 µA	是的	5.665 NF @ 30 V
2SK3827	-	RFQ	7946	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3827		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		100 v	40a（ta）	4V，10V	34mohm @ 20a，10v	2.6V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 20 V	-	1.75W（TA），60W（TC）
2n6426rlrag	-	RFQ	8939	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	2N6426			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																40 V	500 MA						1µA			npn-达灵顿	1.5V @ 500µA，500mA	30000 @ 100mA，5V	-
KSD1020GTA	-	RFQ	3364	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020			350兆		TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 70mA，700mA	200 @ 100mA，1V	170MHz
BC238A_J35Z	-	RFQ	6170	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC238			500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																25 v	100 ma						15NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
KSC945LTA	-	RFQ	9168	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC945			250兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	350 @ 1mA，6v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²