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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NDT03N40ZT1G	-	RFQ	7209	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT03	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223（TO-261）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		400 v	500mA（TC）	10V	3.4OHM @ 600mA，10V	4.5V @ 50µA	6.6 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 50 V	-	2W（TC）
MJ11030G	-	RFQ	1044	Onmi	-	托盘	过时的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	MJ110		300 w	TO-204（TO-3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100													90 v	50 a	2mA	npn-达灵顿	3.5V @ 500mA，50a	1000 @ 25a，5v	-
BC549C	-	RFQ	5692	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC549		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
NSS40200UW6T1G	-	RFQ	9307	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	NSS40200		875 MW	6-WDFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 20mA，2a	150 @ 1A，2V	140MHz
FQA34N20L	-	RFQ	5784	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA3	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	34A（TC）	5V，10V	75mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	72 NC @ 5 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	210W（TC）
FDD9410L-F085	-	RFQ	3206	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9410	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	50A（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 20 V	-	75W（TC）
FH105A-TR-E	-	RFQ	1672年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FH105		150MW	6-MCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		10dB @ 1.5GHz											10V	30mA		NPN		0.95 @ 10mA，5V	8GHz	1.4dB @ 1.5GHz
BCW33	-	RFQ	3364	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW33		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													32 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	200MHz
BCW69	-	RFQ	9384	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW69		350兆	SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 2mA，5V	-
FQB2N80TM	-	RFQ	6130	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		800 v	2.4A（TC）	10V	6.3OHM @ 900mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），85W（tc）
MPSA56_D27Z	-	RFQ	3696	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA56		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													80 V	500 MA	100NA	PNP	200mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
MCH3421-TL-E	0.1800	RFQ	225	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		3-MCPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		100 v	800mA（ta）		890MOHM @ 400mA，10V	-	4.8 NC @ 10 V		165 pf @ 20 V	-	900MW（TA）
NSVBCP53-16T3G	0.4200	RFQ	9185	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSVBCP53		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000													80 V	1.5 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	50MHz
FDD8444	2.3000	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD844	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	145a（TC）	10V	5.2MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	6195 PF @ 25 V	-	153W（TC）
KSC5026MOS	0.9500	RFQ	9307	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC5026		20 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													800 v	1.5 a	10µA（ICBO）	NPN	2V @ 150mA，750mA	20 @ 100mA，5V	15MHz
2N5657G	-	RFQ	9486	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N5657		20 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													350 v	500 MA	100µA	NPN	10V @ 100mA，500mA	30 @ 100mA，10v	10MHz
NTD23N03R	-	RFQ	8327	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD23	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		25 v	3.8A（TA），17.1A（TC）	4V，5V	45mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	3.76 NC @ 4.5 V	±20V	225 pf @ 20 V	-	1.14W（TA），22.3W（tc）
2SC3331S	-	RFQ	6061	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	40
NVH082N65S3F	5.5464	RFQ	7556	Onmi	SuperFet®III，FRFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NVH082N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）
NTHL065N65S3F	12.5200	RFQ	4135	Onmi	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NTHL065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	46A（TC）	10V	65mohm @ 23A，10V	5V @ 4.6mA	98 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 400 V	-	337W（TC）
BCX70H	-	RFQ	1560年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	200 ma	20NA	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	125MHz
mpsa05rlrag	-	RFQ	6709	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA05		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													60 V	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
MMBT2907AWT1	-	RFQ	1585年	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBT2907				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NVMYS6D2N06CLTWG	1.6500	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS6	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		60 V	（17a）（ta），71a（tc）		6.1MOHM @ 35A，10V	2V @ 53µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.6W（61W），61W（tc）
mpsa13rlrm	-	RFQ	6500	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA13		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
MTP23P06VG	-	RFQ	4334	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MTP23	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道		60 V	23A（TC）	10V	120MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±15V	1620 PF @ 25 V	-	90W（TC）
KSD1273PTSTU	-	RFQ	5690	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1273		2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50													60 V	3 a	100µA	NPN	1V @ 50mA，2a	800 @ 500mA，4V	30MHz
BF240	-	RFQ	3598	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF240		350MW	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000		-											40V	50mA		NPN		65 @ 1mA，10v	1.1GHz	-
NVMFS5C466NWFT1G	1.6800	RFQ	9075	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		40 V	（15A）（TA），49A （TC）	10V	8.1MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 25 V	-	3.5W（37W），37W（tc）
NTMFS020N06CT1G	1.5600	RFQ	5557	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS020	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		60 V	（9a）（28a）（28a tc）	10V	19.6mohm @ 4A，10V	4V @ 20µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 30 V	-	3.4W（TA），31W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²