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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDV301N_D87Z	-	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV301		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		25 v	220mA（ta）	2.7V，4.5V	4ohm @ 400mA，4.5V	1.06V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	8V	9.5 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
FCH104N60F	7.0000	RFQ	2977	Onmi	Hiperfet™，Polar™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH104		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	37A（TC）	10V	104mohm @ 18.5a，10v	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	5950 pf @ 100 V	-	357W（TC）
HGT1S10N120亿	-	RFQ	4434	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HGT1S10	标准		298 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，10a，10ohm，15V											npt	1200 v	35 a	80 a	2.7V @ 15V，10a	（320µJ）（在800µJ上）	100 NC	23ns/165ns
NTTFS015P03P8ZTWG	0.8000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS015		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		30 V	13.4A（TA），47.6A （TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	62.3 NC @ 10 V	±25V	2706 pf @ 15 V	-	2.66W（TA），33.8W（tc）
2N4125RLM	0.0200	RFQ	7123	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
NTHD5904NT1G	-	RFQ	2264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
FDD8880-G	-	RFQ	4373	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FD8880-GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
2SK3820-DL-1E	-	RFQ	9462	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SK3820		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	26a（26a）	4V，10V	60mohm @ 13a，10v	-	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 20 V	-	1.65W（TA），50W（TC）
NVTFS4C25NTAG	0.9400	RFQ	2005	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	10.1a（ta），22.1a（tc）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	3W（TA），14.3W（TC）
FDWS9420-F085	-	RFQ	9591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS9		MOSFET （金属 o化物）	75W	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	20A（TC）		5.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	43nc @ 10V		2100pf @ 20V	-
NVMFS5C430NLWFAFT1G	2.6400	RFQ	9551	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
NTTFS4941NTWG	-	RFQ	4153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4941		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	8.3a（ta），46a（tc）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	22.8 NC @ 10 V	±20V	1619 PF @ 15 V	-	840MW（TA），25.5W（tc）
irfu120atu	-	RFQ	5690	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		100 v	8.4A（TC）	10V	200mohm @ 4.2A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
NTMFS4983NFT3G	-	RFQ	1771年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4983		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	22a（22a），106a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	47.9 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 15 V	-	1.7W（TA），38W（TC）
NTMD6N03R2G	-	RFQ	6872	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD6		MOSFET （金属 o化物）	1.29W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6a		32MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		950pf @ 24V	逻辑级别门
2SK937Y4-AA	0.1400	RFQ	4	Onmi	*	大部分	过时的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,219
NVMTS1D1N04CTXG	3.9686	RFQ	7187	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMTS1D1N04CTXGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	48.8A（TA），277A （TC）	10V	1.1MOHM @ 50A，10V	4V @ 210µA	86 NC @ 10 V	±20V	5410 PF @ 25 V	-	4.7W（TA），153W（tc）
SBC856BDW1T1G	0.4800	RFQ	14	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SBC856			380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65V	100mA						15NA（icbo）	2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
efc4622r-rwe-tr	-	RFQ	8486	Onmi	-	大部分	过时的	-	-	-	EFC4622		-	-	-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
NVMD4N03R2G	1.3700	RFQ	5434	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NVMD4		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	4a		60mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	16NC @ 10V		400pf @ 20V	逻辑级别门
FQPF9N25CYDTU	-	RFQ	7877	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF9N25CYDTU-488	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FDMC86340	2.0300	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		80 V	（14A）（TA），48A （TC）	8V，10V	6.5MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	3885 pf @ 40 V	-	2.3W（TA），54W（tc）
HUFA76629D3	-	RFQ	2028	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
FQU1N50TU	-	RFQ	7580	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道		500 v	1.1A（TC）	10V	9ohm @ 550mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FCPF190N65FL1	-	RFQ	7426	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF190		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	3055 PF @ 100 V	-	39W（TC）
FDD3706	-	RFQ	3322	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD370		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	14.7a（ta），50a （TC）	2.5V，10V	9mohm @ 16.2a，10v	1.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V	1882 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），44W（tc）
NTD50N03R	-	RFQ	2808	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD50		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		25 v	7.8A（ta），45a（tc）	4.5V，11.5V	12mohm @ 30a，11.5V	2V @ 250µA	15 NC @ 11.5 V	±20V	750 pf @ 12 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
NTTFS5C670NLTWG	0.8737	RFQ	8022	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS5		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	16A（16A），70A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
ECH8420-TL-H	0.9800	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8420		MOSFET （金属 o化物）		8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	14A（TA）	1.8V，4.5V	6.8mohm @ 7A，4.5V	-	29 NC @ 4.5 V	±12V	2430 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
FDA16N50-F109	3.0200	RFQ	346	Onmi	Unifet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FDA16N50		MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²