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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID
NTMS4101PR2	-	RFQ	2686	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS41		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTMS4101PR2OS	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		20 v	6.9a（ta）	2.5V，4.5V	19mohm @ 6.9a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	32 NC @ 4.5 V	±8V	3200 PF @ 10 V	-	1.38W（TJ）
WPB4002-1E	-	RFQ	6380	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	WPB40		MOSFET （金属 o化物）		TO-3P-3L	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	23a（23A）	10V	360MOHM @ 11.5A，10V	-	84 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 30 V	-	2.5W（220W）（220W）TC）
NTMSD3P102R2SG	-	RFQ	1389	Onmi	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMSD3		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		20 v	2.34A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 3.05a，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	730MW（TA）
FDD9510L-F085	-	RFQ	6347	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9510		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		40 V	50A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±16V	2020 PF @ 20 V	-	75W（TJ）
NTD85N02R-001	-	RFQ	7016	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD85		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		24 V	12a（12A），85a tc（85a tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	17.7 NC @ 5 V	±20V	2050 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），78.1W（tc）
IRLS640A	1.7200	RFQ	5	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRLS640		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	9.8A（TC）	5V	180MOHM @ 4.9A，5V	2V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	1705 PF @ 25 V	-	40W（TC）
NTMFS4837NHT3G	-	RFQ	7609	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	10.2A（ta），75a（tc）	4.5V，11.5V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	23.8 NC @ 4.5 V	±20V	3016 pf @ 12 V	-	880MW（TA），48W （TC）
FQD2N40TF	-	RFQ	8328	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD2		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		400 v	1.4A（TC）	10V	5.8ohm @ 700mA，10v	5V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
NVTFS5124PLTAG	0.8100	RFQ	8887	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5124		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道		60 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	260MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	（3w（ta），18W（tc）
NDS8858H	-	RFQ	4176	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS885		MOSFET （金属 o化物）	1W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			30V	6.3a，4.8a		35MOHM @ 4.8A，10V	2.8V @ 250µA	30nc @ 10V		720pf @ 15V	逻辑级别门
MMBFJ202	0.5000	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ2			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道									-											40 V	900 µA @ 20 V	800 mv @ 10 na
FDFMA2P857	-	RFQ	4937	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	FDFMA2		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	120MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.4W（TA）
NTD5865NT4G	-	RFQ	8423	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD58		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	43A（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1261 PF @ 25 V	-	71W（TC）
FQP13N50	-	RFQ	8200	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP13		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	170W（TC）
FDV301N_D87Z	-	RFQ	9540	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV301		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		25 v	220mA（ta）	2.7V，4.5V	4ohm @ 400mA，4.5V	1.06V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	8V	9.5 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
FCH104N60F	7.0000	RFQ	2977	Onmi	Hiperfet™，Polar™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH104		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	37A（TC）	10V	104mohm @ 18.5a，10v	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	5950 pf @ 100 V	-	357W（TC）
HGT1S10N120亿	-	RFQ	4434	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HGT1S10	标准		298 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，10a，10ohm，15V											npt	1200 v	35 a	80 a	2.7V @ 15V，10a	（320µJ）（在800µJ上）	100 NC	23ns/165ns
NTTFS015P03P8ZTWG	0.8000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS015		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		30 V	13.4A（TA），47.6A （TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 12A，10V	3V @ 250µA	62.3 NC @ 10 V	±25V	2706 pf @ 15 V	-	2.66W（TA），33.8W（tc）
NTHD5904NT1G	-	RFQ	2264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD59		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.3a，4.5V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	465 pf @ 16 V	-	640MW（TA）
FDD8880-G	-	RFQ	4373	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-FD8880-GTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1260 pf @ 15 V	-	55W（TC）
2SK3820-DL-1E	-	RFQ	9462	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SK3820		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	26a（26a）	4V，10V	60mohm @ 13a，10v	-	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 20 V	-	1.65W（TA），50W（TC）
NVTFS4C25NTAG	0.9400	RFQ	2005	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	10.1a（ta），22.1a（tc）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	3W（TA），14.3W（TC）
FDWS9420-F085	-	RFQ	9591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDWS9		MOSFET （金属 o化物）	75W	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	20A（TC）		5.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	43nc @ 10V		2100pf @ 20V	-
NVMFS5C430NLWFAFT1G	2.6400	RFQ	9551	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
NTTFS4941NTWG	-	RFQ	4153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4941		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	8.3a（ta），46a（tc）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	22.8 NC @ 10 V	±20V	1619 PF @ 15 V	-	840MW（TA），25.5W（tc）
irfu120atu	-	RFQ	5690	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		100 v	8.4A（TC）	10V	200mohm @ 4.2A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
NTMFS4983NFT3G	-	RFQ	1771年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4983		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	22a（22a），106a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	47.9 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 15 V	-	1.7W（TA），38W（TC）
NTMD6N03R2G	-	RFQ	6872	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD6		MOSFET （金属 o化物）	1.29W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6a		32MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		950pf @ 24V	逻辑级别门
2SK937Y4-AA	0.1400	RFQ	4	Onmi	*	大部分	过时的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,219
NVMTS1D1N04CTXG	3.9686	RFQ	7187	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFNW（8.3x8.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMTS1D1N04CTXGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	48.8A（TA），277A （TC）	10V	1.1MOHM @ 50A，10V	4V @ 210µA	86 NC @ 10 V	±20V	5410 PF @ 25 V	-	4.7W（TA），153W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²