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晶体管(17799)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
	2N3772G	7.7000	询价		56	0.00000000	onsemi	-	托盘	过时的	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	2N3772		150W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	100												60V	20A	10毫安	NPN	4V@4A、20A	15@10A，4V	200kHz
	2N5172_D26Z	-	询价		7615	0.00000000	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5172		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	2,000												25V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	250mV@1mA、10mA	100@10mA，10V	-
	FDD2582	1.2500	询价		5085	0.00000000	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD258	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	150伏	3.7A（Ta）、21A（Tc）	6V、10V	66mOhm@7A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±20V	1295pF@25V	-	95W（温度）
	BC847CWT1G	0.1700	询价		108	0.00000000	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847		150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	3,000												45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
	2N7002LT1G	0.2800	询价		611	0.00000000	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	60V	115mA（温度）	5V、10V	7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	50pF@25V	-	225毫W（塔）
	SBCP53-16T1G	0.4200	询价		9	0.00000000	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SBCP53		1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0075	1,000												80V	1.5A	100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	50兆赫
	NTR4171PT1G	0.4500	询价		5464	0.00000000	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR4171	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	30V	2.2A（塔）	2.5V、10V	75毫欧@2.2A，10V	1.4V@250μA	15.6nC@10V	±12V	720pF@15V	-	480毫W（塔）
	FDMS3672	3.1000	询价		2	0.00000000	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMS36	MOSFET（金属O化物）		8-MLP (5x6)、Power56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	100伏	7.4A（Ta）、22A（Tc）	6V、10V	23毫欧@7.4A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	2680pF@50V	-	2.5W（Ta）、78W（Tc）
	BC548A	-	询价		6153	0.00000000	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC548		500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	2,000												30V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	300兆赫

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AD9208BBPZ-3000196-LFBGA 裸露焊盘
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