晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SMMUN2213LT1G	0.3300	询价	200	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMUN2213			246毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V		47欧姆	47欧姆
BC184L_J35Z	-	询价	2976	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC184			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															30V	500毫安					15nA（ICBO）	NPN	250mV@5mA、100mA	130@100mA，5V	150兆赫
BC140-016	1.0000	询价	7944	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
FQP11N40C	1.7100	询价	2	onsemi	QFET®	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FQP11		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		400V	10.5A（温度）	10V	530毫欧@5.25A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±30V	1090pF@25V	-	135W（温度）
FJP5021R	-	询价	3357	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FJP5021			50W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200															500V	5A					10μA（ICBO）	NPN	1V@600mA，3A	15@600mA，5V	18兆赫
FDS6982	-	询价	1236	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	6.3A、8.6A		28毫欧@6.3A，10V	3V@250μA	12nC@5V		760pF@10V	逻辑电平门
NTND31225CZTAG	0.3700	询价	7	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XFLGA	NTND31225		MOSFET（金属O化物）	125毫W（塔）	6-XLLGA (0.9x0.65)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000	N 和 P 沟道互补			20V	220mA（Ta）、127mA（Ta）		1.5欧姆@100mA，4.5V，5欧姆@100mA，4.5V	1V@250μA	-		12.3pF@15V，12.8pF@15V	-
FDMS7670	1.4000	询价	8	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	频域地铁76		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMS7670TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	21A（Ta）、42A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@21A，10V	3V@250μA	56nC@10V	±20V	15V时为4105pF	-	2.5W（Ta）、62W（Tc）
FQP65N06	2.4400	询价	5321	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FQP65		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	65A（温度）	10V	16毫欧@32.5A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±25V	2410pF@25V	-	150W（温度）
NDS8936	-	询价	3558	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NDS893		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	5.3A		35毫欧@5.3A，10V	2.8V@250μA	30nC@10V		720pF@15V	逻辑电平门
BD140	-	询价	3427	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD140			1.25W	TO-126	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500															80V	1.5A					100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
ISL9V3040P3	2.9800	询价	3021	onsemi	生态SPARK®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	ISL9V3040	逻辑		150W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			300V、1kΩ、5V											-	430伏	21A	1.6V@4V，6A	-	17nC	-/4.8μs
FDS6912	-	询价	5039	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	6A		28毫欧@6A，10V	3V@250μA	10nC@5V		740pF@15V	逻辑电平门
FDS8672S	1.9200	询价	2	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS8672		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	4.8毫欧@18A，10V	3V@1mA	41nC@10V	±20V	2670pF@15V	-	2.5W（塔）
NVB6411ANT4G	-	询价	7123	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NVB6411		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	77A（温度）	10V	14毫欧@72A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	3700pF@25V	-	217W（温度）
NTP90N02G	-	询价	8956	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP90N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		24V	90A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@90A，10V	3V@250μA	29nC@4.5V	±20V	2120pF@20V	-	85W（温度）
NTB5605PT4G	-	询价	7899	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB5605		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		60V	18.5A（塔）	5V	140mOhm@8.5A，5V	2V@250μA	22nC@5V	±20V	1190pF@25V	-	88W（温度）
NVC6S5A354PLZT1G	-	询价	9009	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	雷士6S5		MOSFET（金属O化物）		6-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		60V	4A（塔）	4V、10V	100mOhm@2A，10V	2.6V@1mA	14nC@10V	±20V	600pF@20V	-	1.9W（塔）
FDU8796_F071	-	询价	第1477章	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FDU87		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道		25V	35A（温度）	4.5V、10V	5.7毫欧@35A，10V	2.5V@250μA	52nC@10V	±20V	13V时为2610pF	-	88W（温度）
FQAF65N06	-	询价	2795	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3全包	FQAF6		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		60V	49A（温度）	10V	16毫欧@24.5A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±25V	2410pF@25V	-	86W（温度）
NSBA114YDXV6T1	-	询价	8709	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSBA114			500毫W	SOT-563	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V	-	10k欧姆	47k欧姆
NTMTSC4D2N10GTXG	6.6400	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-TDFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	21A（Ta）、178A（Tc）	10V	4.2毫欧@88A，10V	4V@450μA	159nC@10V	±20V	10450pF@50V	-	3.9W（Ta）、267W（Tc）
4MN10MH-TL-E	0.2000	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
FGD3050G2V	2.3200	询价	7536	onsemi	汽车、AEC-Q101、EcoSPARK®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FGD3050	逻辑		150W	DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人														-	500V	32A	1.2V@4V，6A	-	22nC
FDC3616N	-	询价	6707	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-SSOT 写入，SuperSOT™-6 FLMP	FDC3616		MOSFET（金属O化物）		SuperSOT™-6 FLMP	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	3.7A（塔）	6V、10V	70毫欧@3.7A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	1215pF@50V	-	2W（塔）
3LN01S-TL-E	-	询价	第1143章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	3LN01		MOSFET（金属O化物）		SMCP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	150mA（塔）	1.5V、4V	3.7欧姆@80mA，4V	-	1.58nC@10V	±10V	7pF@10V	-	150毫W（塔）
SCH1337-TL-W	-	询价	1011	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SCH133		MOSFET（金属O化物）		SOT-563/SCH6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		P沟道		30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@1A，10V	2.6V@1mA	10V时为3.9nC	±20V	172pF@10V	-	800毫W（塔）
HUFA75333P3	-	询价	3727	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	胡法75		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道		55V	66A（温度）	10V	16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
FCU4300N80Z	1.3000	询价	1	onsemi	SuperFET® II	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FCU4300		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道		800V	1.6A（温度）	10V	4.3欧姆@800mA，10V	4.5V@160μA	10V时为8.8nC	±20V	100V时为355pF	-	27.8W（温度）
联电2NT1	-	询价	6419	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	MC2			150毫W	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	UMC2NT1网络	EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	60@5mA，10V	-	22k欧姆	22k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²