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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 测试条件 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC328TF | - | ![]() | 5051 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC328 | 625毫W | TO-92-3 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 800毫安 | 100纳安 | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIS97_D26Z | - | ![]() | 2904 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | TIS97 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40V | 500毫安 | 10nA(ICBO) | NPN | - | 250@100μA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP214-TL-H | - | ![]() | 5089 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | ATPAK(2条读取+标签) | ATP214 | MOSFET(金属O化物) | ATPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 60V | 75A(塔) | 4V、10V | 8.1毫欧@38A,10V | - | 96nC@10V | ±20V | 4850pF@20V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86103L | 2.8400 | ![]() | 2295 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | FDMS86103 | MOSFET(金属O化物) | 8-PQFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 100伏 | 12A(Ta)、49A(Tc) | 4.5V、10V | 8毫欧@12A,10V | 3V@250μA | 60nC@10V | ±20V | 50V时为3710pF | - | 2.5W(Ta)、104W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42_J18Z | - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA42 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300伏 | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV@2mA、20mA | 40@30mA,10V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD32CTF-ON | - | ![]() | 3108 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 1.56W | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 100伏 | 3A | 50微安 | 国民党 | 1.2V@375mA,3A | 25@1A,4V | 3兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4403-D87Z | - | ![]() | 4937 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBT4403 | 350毫W | SOT-23-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40V | 600毫安 | - | 国民党 | 750mV@50mA、500mA | 100@150mA,2V | 200兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF720 | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 400V | 3.3A(温度) | 10V | 1.8欧姆@2A,10V | 4V@250μA | 20nC@10V | ±20V | 410pF@25V | - | 50W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC516-D27Z | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC516 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP-达林顿 | 1V@100μA,100mA | 30000@20mA,2V | 200兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUL45D2G | 2.0500 | ![]() | 第375章 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 布尔45 | 75W | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 5A | 100微安 | NPN | 500mV@400mA,2A | 10 @ 2A,1V | 13兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC558BRL | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | BC558 | 625毫W | TO-92 (TO-226) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 100毫安 | 100纳安 | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 180@2mA,5V | 360兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401LT1G | 0.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBT4401 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600毫安 | - | NPN | 750mV@50mA、500mA | 100@150mA,1V | 250兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD288OTU | - | ![]() | 第1737章 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | KSD288 | 25W | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 55V | 3A | 50μA(ICBO) | NPN | 1V@100mA,1A | 70@500mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA50N100BNTD2 | - | ![]() | 3023 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | FGA50N100 | 标准 | 156W | TO-3P | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 600V,60A,10欧姆,15V | 75纳秒 | NPT 和测量 | 1000伏 | 50A | 200A | 2.9V@15V,60A | - | 257 nC | 34纳秒/243纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD5802NT4G-TB01 | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | NVD580 | MOSFET(金属O化物) | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 40V | 16.4A(Ta)、101A(Tc) | 5V、10V | 4.4毫欧@50A,10V | 3.5V@250μA | 100nC@10V | ±20V | 5300pF@12V | - | 2.5W(Ta)、93.75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3040G2-F085 | 2.9200 | ![]() | 第643章 | 0.00000000 | onsemi | 汽车、AEC-Q101、EcoSPARK® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | FGB3040 | 逻辑 | 150W | D²PAK (TO-263) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | 400V | 41A | 1.25V@4V,6A | - | 21nC | 900纳秒/4.8微秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA06RLG | - | ![]() | 8759 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | MPSA06 | 625毫W | TO-92 (TO-226) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80V | 500毫安 | 100纳安 | NPN | 250毫伏@10毫安,100毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA25N120ANDTU | - | ![]() | 第1654章 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | FGA25N120 | 标准 | 310W | TO-3P | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 600V,25A,10欧姆,15V | 350纳秒 | 不扩散条约 | 1200伏 | 40A | 75A | 3.2V@15V,25A | 4.8mJ(开),1mJ(关) | 200℃ | 60纳秒/170纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9945 | 1.8100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | NDS994 | MOSFET(金属O化物) | 900毫W | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500人 | 2 个 N 沟道(双) | 60V | 3.5A | 100mOhm@3.5A,10V | 3V@250μA | 30nC@10V | 345pF@25V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF5021OTU | 1.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | FJPF5021 | 40W | TO-220F-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 500V | 5A | 10μA(ICBO) | NPN | 1V@600mA,3A | 20@600mA,5V | 15兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUB323ZG | - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BUB323 | 150W | D²PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 350伏 | 10A | 100微安 | NPN-达林顿 | 1.7V@250mA,10A | 500@5A,4.6V | 2兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBC847BPDW1T3G | 0.4400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | 单片机847 | 380毫W | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN、PNP | 600mV @ 5mA、100mA / 650mV @ 5mA、100mA | 200@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009H2 | - | ![]() | 5787 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | FJP13009 | 100W | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 400V | 12A | - | NPN | 3V@3A、12A | 15@5A,5V | 4兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5875NLT3G | - | ![]() | 9537 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | NVMFD5875 | MOSFET(金属O化物) | 3.2W | 8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-双) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 个 N 沟道(双) | 60V | 7A | 33毫欧@7.5A,10V | 3V@250μA | 20nC@10V | 540pF@25V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVF5P03T3G | 0.9600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | NVF5P03 | MOSFET(金属O化物) | SOT-223 (TO-261) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P沟道 | 30V | 3.7A(塔) | 4.5V、10V | 100mOhm@5.2A,10V | 3V@250μA | 38nC@10V | ±20V | 950pF@25V | - | 1.56W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN100_D74Z | - | ![]() | 第1257章 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | PN100 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 500毫安 | 50纳安 | NPN | 400毫伏@20毫安,200毫安 | 100@150mA,5V | 250兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD234STU | - | ![]() | 5057 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-225AA、TO-126-3 | BD234 | 25W | TO-126-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | 45V | 2A | 100μA(ICBO) | 国民党 | 600mV@100mA,1A | 25@1A,2V | 3兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5484_D26Z | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 25V | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 2N5484 | 400兆赫 | 结型场效应晶体管 | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | N沟道 | 5毫安 | - | - | 4分贝 | 15V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUB323ZT4 | - | ![]() | 8218 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BUB323 | 150W | D²PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | BUB323ZT4OS | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 350伏 | 10A | 100微安 | NPN-达林顿 | 1.7V@250mA,10A | 500@5A,4.6V | 2兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC2514SDC | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | onsemi | Dual Cool™、PowerTrench®、SyncFET™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | FDMC25 | MOSFET(金属O化物) | 双酷™ 33 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 25V | 24A(Ta)、40A(Tc) | 4.5V、10V | 3.5毫欧@22.5A,10V | 3V@1mA | 44nC@10V | ±20V | 2705pF@13V | - | 3W(Ta)、60W(Tc) |

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