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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1)
RFD15P05 onsemi RFD15P05 -
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ECAD 1278 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA RFD15 MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 75 P沟道 50V 15A(温度) 10V 150mOhm@15A,10V 4V@250μA 150nC@20V ±20V 1150pF@25V - 80W(温度)
FDZ2554PZ onsemi FDZ2554PZ -
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ECAD 6392 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 18-WFBGA FDZ25 MOSFET(金属O化物) 2.1W 18-BGA (2.5x4) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 6.5A 28毫欧@6.5A,4.5V 1.5V@250μA 21nC@4.5V 1430pF@10V 逻辑电平门
2SK2045LS onsemi 2SK2045LS 0.9000
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ECAD 7 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
FDMC86012 onsemi FDMC86012 3.9400
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ECAD 6 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerWDFN FDMC86 MOSFET(金属O化物) 电源33 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 23A(塔) 2.5V、4.5V 2.7毫欧@23A,4.5V 1.5V@250μA 38nC@4.5V ±12V 5075pF@15V - 2.3W(Ta)、54W(Tc)
FQU6N50CTU onsemi FQU6N50CTU -
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ECAD 7147 0.00000000 onsemi QFET® 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA FQU6 MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 70 N沟道 500V 4.5A(温度) 10V 1.2欧姆@2.25A,10V 4V@250μA 25nC@10V ±30V 700pF@25V - 2.5W(Ta)、61W(Tc)
FCD5N60TF onsemi FCD5N60TF -
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ECAD 3951 0.00000000 onsemi 超级场效应管™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 FCD5 MOSFET(金属O化物) TO-252AA 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 600伏 4.6A(温度) 10V 950毫欧@2.3A,10V 5V@250μA 16nC@10V ±30V 600pF@25V - 54W(温度)
FJN4309RBU onsemi FJN4309RBU -
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ECAD 6773 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) FJN430 300毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 40V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 300mV@1mA、10mA 100 @ 1mA,5V 200兆赫 4.7欧姆
FQI11P06TU onsemi FQI11P06TU -
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ECAD 7018 0.00000000 onsemi QFET® 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 质量指标1 MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 P沟道 60V 11.4A(温度) 10V 175mOhm@5.7A,10V 4V@250μA 17nC@10V ±25V 550pF@25V - 3.13W(Ta)、53W(Tc)
2SA2015-TD-E onsemi 2SA2015-TD-E 0.3400
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ECAD 11 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1,000
NDS7002A-F169 onsemi NDS7002A-F169 -
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ECAD 5962 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 - 1(无限制) REACH 不出行 488-NDS7002A-F169TR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 280mA(温度) 5V、10V 2欧姆@500mA,10V 2.5V@250μA ±20V 50pF@25V - 300mW(温度)
NTB90N02G onsemi NTB90N02G -
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ECAD 4613 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB NTB90 MOSFET(金属O化物) D²PAK 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 24V 90A(塔) 4.5V、10V 5.8毫欧@90A,10V 3V@250μA 29nC@4.5V ±20V 2120pF@20V - 85W(温度)
NTB125N02RT4 onsemi NTB125N02RT4 -
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ECAD 7233 0.00000000 onsemi * 切带 (CT) 过时的 NTB12 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 800
MJD32CTF_NBDD002 onsemi MJD32CTF_NBDD002 -
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ECAD 6177 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MJD32 1.56W D-帕克 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,000 100伏 3A 50微安 国民党 1.2V@375mA,3A 10个@3A、4V 3兆赫兹
FQPF2P25 onsemi FQPF2P25 -
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ECAD 9512 0.00000000 onsemi QFET® 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 FQPF2 MOSFET(金属O化物) TO-220F-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 P沟道 250伏 1.8A(温度) 10V 4欧姆@900mA,10V 5V@250μA 10V时为8.5nC ±30V 250pF@25V - 32W(温度)
NTP75N03RG onsemi NTP75N03RG -
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ECAD 5629 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 NTP75N MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 25V 9.7A(塔) 4.5V、10V 8毫欧@20A,10V 2V@250μA 13.2nC@5V ±20V 1333pF@20V - 1.25W(Ta)、74.4W(Tc)
SI3442DV onsemi SI3442DV -
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ECAD 2200 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 SI344 MOSFET(金属O化物) 超级SOT™-6 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 4.1A(塔) 2.7V、4.5V 60毫欧@4.1A,4.5V 1V@250μA 14nC@4.5V 8V 365pF@10V - 1.6W(塔)
FQT7N10LTF onsemi FQT7N10LTF 0.7500
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ECAD 1720 0.00000000 onsemi QFET® 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA FQT7N10 MOSFET(金属O化物) SOT-223-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 100伏 1.7A(温度) 5V、10V 350mOhm@850mA,10V 2V@250μA 6nC@5V ±20V 290pF@25V - 2W(温度)
RFD16N05SM9A onsemi RFD16N05SM9A 1.3100
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ECAD 2404 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 RFD16N05 MOSFET(金属O化物) TO-252AA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 50V 16A(温度) 10V 47毫欧@16A,10V 4V@250μA 80nC@20V ±20V 900pF@25V - 72W(温度)
FDMC6296 onsemi FDMC6296 -
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ECAD 3607 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerWDFN FDMC62 MOSFET(金属O化物) 8-MLP (3.3x3.3) - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 11.5A(塔) 4.5V、10V 10.5毫欧@11.5A,10V 3V@250μA 19nC@5V ±20V 15V时为2141pF - 900mW(Ta)、2.1W(Tc)
NVD3055-094T4G onsemi NVD3055-094T4G -
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ECAD 6216 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 NVD305 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 60V 12A(塔) 10V 94毫欧@6A,10V 4V@250μA 20nC@10V ±20V 450pF@25V - 1.5W(塔)、48W(塔)
BC184_J35Z onsemi BC184_J35Z -
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ECAD 8675 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC184 350毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 130@100mA,5V 150兆赫
2N5484_D74Z onsemi 2N5484_D74Z -
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ECAD 9178 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 25V 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2N5484 400兆赫 结型场效应晶体管 TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 N沟道 5毫安 - - 4分贝 15V
BC636TAR onsemi BC636TAR -
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ECAD 3006 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC636 1W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,000 45V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 40@150mA,2V 100兆赫兹
NTR4503NT3G onsemi NTR4503NT3G -
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ECAD 4281 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 NTR450 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 (TO-236) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 10,000 N沟道 30V 1.5A(塔) 4.5V、10V 110毫欧@2.5A,10V 3V@250μA 7nC@10V ±20V 250pF@24V - 420毫W(塔)
SBC817-40LT1G onsemi SBC817-40LT1G 0.2800
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ECAD 65 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 单片机817 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 100兆赫兹
KSA1614YTU onsemi KSA1614YTU -
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ECAD 8902 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 KSA16 20W TO-220F-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 55V 3A 50μA(ICBO) 国民党 500mV@100mA,1A 120@500mA,5V -
NTP75N03-006 onsemi NTP75N03-006 -
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ECAD 5671 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 NTP75N MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 30V 75A(温度) 10V 6.5毫欧@37.5A,10V 2V@250μA 75nC@5V ±20V 5635pF@25V - 2.5W(Ta)、125W(Tc)
SMMBTA13LT1G onsemi SMMBTA13LT1G 0.2500
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ECAD 20 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 SMMBTA13 225毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 300毫安 100nA(ICBO) NPN-达林顿 1.5V@100μA,100mA 10000@100mA,5V 125兆赫
MJD340T4 onsemi MJD340T4 -
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ECAD 7713 0.00000000 onsemi - 切带 (CT) 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MJD34 15W DPAK 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 300伏 500毫安 100微安 NPN - 30@50mA,10V -
NSVEMT1DXV6T5G onsemi NSVEMT1DXV6T5G -
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ECAD 1717 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 NSVEMT1 500毫W SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 8,000 60V 100毫安 500pA(ICBO) 2 PNP(双) 500毫伏@5毫安,50毫安 120@1mA,6V 140兆赫
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库