晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
RFD15P05	-	询价	1278	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	RFD15		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		P沟道				50V	15A（温度）	10V	150mOhm@15A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	1150pF@25V	-	80W（温度）
FDZ2554PZ	-	询价	6392	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET（金属O化物）	2.1W	18-BGA (2.5x4)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）					20V	6.5A		28毫欧@6.5A，4.5V	1.5V@250μA	21nC@4.5V		1430pF@10V	逻辑电平门
2SK2045LS	0.9000	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
FDMC86012	3.9400	询价	6	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC86		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	23A（塔）	2.5V、4.5V	2.7毫欧@23A，4.5V	1.5V@250μA	38nC@4.5V	±12V	5075pF@15V	-	2.3W（Ta）、54W（Tc）
FQU6N50CTU	-	询价	7147	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU6		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道				500V	4.5A（温度）	10V	1.2欧姆@2.25A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±30V	700pF@25V	-	2.5W（Ta）、61W（Tc）
FCD5N60TF	-	询价	3951	onsemi	超级场效应管™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FCD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				600伏	4.6A（温度）	10V	950毫欧@2.3A，10V	5V@250μA	16nC@10V	±30V	600pF@25V	-	54W（温度）
FJN4309RBU	-	询价	6773	onsemi	-	大部分	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	FJN430			300毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																	40V	100毫安		100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
FQI11P06TU	-	询价	7018	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	质量指标1		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道				60V	11.4A（温度）	10V	175mOhm@5.7A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±25V	550pF@25V	-	3.13W（Ta）、53W（Tc）
2SA2015-TD-E	0.3400	询价	11	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1,000
NDS7002A-F169	-	询价	5962	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行	488-NDS7002A-F169TR	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道				60V	280mA（温度）	5V、10V	2欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	50pF@25V	-	300mW（温度）
NTB90N02G	-	询价	4613	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB90		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				24V	90A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@90A，10V	3V@250μA	29nC@4.5V	±20V	2120pF@20V	-	85W（温度）
NTB125N02RT4	-	询价	7233	onsemi	*	切带 (CT)	过时的					NTB12					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
MJD32CTF_NBDD002	-	询价	6177	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD32			1.56W	D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000																	100伏	3A		50微安	国民党	1.2V@375mA，3A	10个@3A、4V	3兆赫兹
FQPF2P25	-	询价	9512	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF2		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道				250伏	1.8A（温度）	10V	4欧姆@900mA，10V	5V@250μA	10V时为8.5nC	±30V	250pF@25V	-	32W（温度）
NTP75N03RG	-	询价	5629	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP75N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				25V	9.7A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2V@250μA	13.2nC@5V	±20V	1333pF@20V	-	1.25W（Ta）、74.4W（Tc）
SI3442DV	-	询价	2200	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI344		MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				20V	4.1A（塔）	2.7V、4.5V	60毫欧@4.1A，4.5V	1V@250μA	14nC@4.5V	8V	365pF@10V	-	1.6W（塔）
FQT7N10LTF	0.7500	询价	1720	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FQT7N10		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道				100伏	1.7A（温度）	5V、10V	350mOhm@850mA，10V	2V@250μA	6nC@5V	±20V	290pF@25V	-	2W（温度）
RFD16N05SM9A	1.3100	询价	2404	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RFD16N05		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				50V	16A（温度）	10V	47毫欧@16A，10V	4V@250μA	80nC@20V	±20V	900pF@25V	-	72W（温度）
FDMC6296	-	询价	3607	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC62		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (3.3x3.3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	11.5A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@11.5A，10V	3V@250μA	19nC@5V	±20V	15V时为2141pF	-	900mW（Ta）、2.1W（Tc）
NVD3055-094T4G	-	询价	6216	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD305		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				60V	12A（塔）	10V	94毫欧@6A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	450pF@25V	-	1.5W（塔）、48W（塔）
BC184_J35Z	-	询价	8675	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC184			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	30V	100毫安		15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	130@100mA，5V	150兆赫
2N5484_D74Z	-	询价	9178	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5484	400兆赫	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		5毫安	-	-											4分贝			15V
BC636TAR	-	询价	3006	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC636			1W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																	45V	1A		100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	100兆赫兹
NTR4503NT3G	-	询价	4281	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR450		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道				30V	1.5A（塔）	4.5V、10V	110毫欧@2.5A，10V	3V@250μA	7nC@10V	±20V	250pF@24V	-	420毫W（塔）
SBC817-40LT1G	0.2800	询价	65	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	单片机817			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	500毫安		100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	100兆赫兹
KSA1614YTU	-	询价	8902	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	KSA16			20W	TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50																	55V	3A		50μA（ICBO）	国民党	500mV@100mA，1A	120@500mA，5V	-
NTP75N03-006	-	询价	5671	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP75N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				30V	75A（温度）	10V	6.5毫欧@37.5A，10V	2V@250μA	75nC@5V	±20V	5635pF@25V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
SMMBTA13LT1G	0.2500	询价	20	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMBTA13			225毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	30V	300毫安		100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	125兆赫
MJD340T4	-	询价	7713	onsemi	-	切带 (CT)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD34			15W	DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人																	300伏	500毫安		100微安	NPN	-	30@50mA，10V	-
NSVEMT1DXV6T5G	-	询价	1717	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSVEMT1			500毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	8,000																	60V	100毫安		500pA（ICBO）	2 PNP（双）	500毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	140兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²