晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
NSVT3904DXV6T1G	0.1133	询价	6217	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSVT3904			500毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,000																40V	200毫安						-	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
NJVMJD44H11RLG	0.8900	询价	1	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NJVMJD44			1.75W	DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,800																80V	8A						1微安	NPN	1V@400mA，8A	60@2A，1V	85兆赫
KSC1675YBU	-	询价	4311	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSC1675			250毫W	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																30V	50毫安						100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	120@1mA，6V	300兆赫
2N4402_S00Z	-	询价	6301	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N4402			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																40V	600毫安						-	国民党	750mV@50mA、500mA	50@150mA，2V	-
2N5550TAR	0.4000	询价	39	onsemi	-	切带 (CT)	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5550			625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																140伏	600毫安						100nA（ICBO）	NPN	250mV@5mA，50mA	60@10mA，5V	300兆赫
FQT7N10LTF	0.7500	询价	1720	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FQT7N10		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		100伏	1.7A（温度）	5V、10V	350mOhm@850mA，10V	2V@250μA	6nC@5V	±20V	290pF@25V	-	2W（温度）
PN200_D74Z	-	询价	7989	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN200			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	500毫安						50纳安	国民党	400毫伏@20毫安，200毫安	100@150mA，1V	250兆赫
MJD2955-001	-	询价	4467	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	MJD29			1.75W	I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75																60V	10A						50微安	国民党	8V@3.3A、10A	20 @ 4A、4V	2兆赫兹
2SC5669	-	询价	4540	onsemi	*	大部分	的积极									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	200
FDS9945	0.6900	询价	8718	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS99		MOSFET（金属O化物）	1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			60V	3.5A		100mOhm@3.5A，10V	3V@250μA	13nC@5V		420pF@30V	逻辑电平门
BFL4001-1EX	-	询价	8242	onsemi	-	大部分	过时的	150℃（TA）	通孔	TO-220-3全包	BFL40		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3全包/TO-220F-3SG	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		900伏	6.5A（塔）	10V	2.7欧姆@3.25A，10V	-	44nC@10V	±30V	850pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
SFU9220TU_F080	-	询价	5732	onsemi	-	管子	过时的	-	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SFU922		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		P沟道		200V	3.1A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±30V	540pF@25V	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
BC80825MTF	-	询价	7069	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC808			310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																25V	800毫安						100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BCW66GLT1	-	询价	2215	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW66			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	800毫安						20纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BC558BU	-	询价	3011	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC558			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																30V	100毫安						15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	110@2mA，5V	150兆赫
NTMFS4C905NAT3G	0.5769	询价	4006	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				NTMFS4					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTMFS4C905NAT3GTR	EAR99	8541.29.0095	5,000
MPSA13_D74Z	-	询价	8162	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA13			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																30V	1.2A						100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	125兆赫
KSC2881YTF	-	询价	2829	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	KSC2881			1W	SOT-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	4,000																120V	800毫安						100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	120@100mA，5V	120兆赫
NGTB30N60SWG	-	询价	1949年	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	NGTB30	标准		189 W	TO-247-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，30A，10欧姆，15V											200纳秒	沟渠场站	600伏	60A	120A	2.2V@15V，30A	750μJ（开），540μJ（关）	90℃	57纳秒/109纳秒
FCH043N60	15.5900	询价	219	onsemi	SuperFET® II	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	FCH043		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	75A（温度）	10V	43毫欧@38A，10V	3.5V@250μA	215nC@10V	±20V	12225pF@400V	-	592W（温度）
FCPF850N80Z	2.9000	询价	1	onsemi	SuperFET® II	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FCPF850		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		800V	6A（温度）	10V	850毫欧@3A，10V	4.5V@600μA	29nC@10V	±20V	1315pF@100V	-	28.4W（温度）
RFD16N05SM	-	询价	1417	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RFD16		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）	REACH 不出行	RFD16N05SM-NDR	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		50V	16A（温度）	10V	47毫欧@16A，10V	4V@250μA	80nC@20V	±20V	900pF@25V	-	72W（温度）
FDPF5N50NZF	-	询价	9015	onsemi	UniFET-II™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FDPF5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	4.2A（温度）	10V	1.75欧姆@2.1A，10V	5V@250μA	12nC@10V	±25V	485pF@25V	-	30W（温度）
FDT86256	1.4200	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FDT86		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		150伏	1.2A（Ta）、3A（Tc）	6V、10V	845毫欧@1.2A，10V	4V@250μA	2nC@10V	±20V	73pF@75V	-	2.3W（Ta）、10W（Tc）
SFT1458-TL-H	-	询价	8021	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SFT145		MOSFET（金属O化物）		DPAK/TP-FA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	700		N沟道		600伏	1A（塔）	10V	13欧姆@500mA，10V	-	3.8nC@10V	±30V	65pF@20V	-	1W（Ta）、38W（Tc）
NTP30N06	-	询价	6963	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	NTP30N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	NTP30N06OS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	27A（塔）	10V	42毫欧@15A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	88.2W（温度）
NDD60N745U1T4G	-	询价	4790	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NDD60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	6.6A（温度）	10V	745毫欧@3.25A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±25V	50V时为440pF	-	84W（温度）
FQU6N50CTU	-	询价	7147	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU6		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		500V	4.5A（温度）	10V	1.2欧姆@2.25A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±30V	700pF@25V	-	2.5W（Ta）、61W（Tc）
MPS3563G	-	询价	9304	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPS356			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000																12V	50毫安						10nA（ICBO）	NPN		20@8mA，10V	600兆赫
NSVDTC114YM3T5G	0.3800	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	NSVDTC114			260毫W	SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V		10欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²