SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
2SC4027T-H onsemi 2SC4027T-H -
RFQ
ECAD 7333 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 2SC4027 1 w TP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 160 v 1.5 a 1µA(ICBO) NPN 450mv @ 50mA,500mA 200 @ 100mA,5V 120MHz
BXL4004-1E onsemi BXL4004-1E -
RFQ
ECAD 1028 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3 BXL40 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 100A(TA) 4.5V,10V 3.9mohm @ 50a,10v - 140 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 20 V - 75W(TC)
MJE5742 onsemi MJE5742 -
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MJE57 2 w TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 MJE5742OS Ear99 8541.29.0095 50 400 v 8 a - npn-达灵顿 3V @ 400mA,8a 200 @ 2a,5v -
NTMFD4951NFT1G onsemi NTMFD4951NFT1G -
RFQ
ECAD 5620 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - NTMFD4 - - - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 - - - - - -
15C01M-TL-E onsemi 15C01M-TL-E 0.4200
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 15C01 300兆 SC-70 / MCP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 15 v 700 MA 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,200mA 300 @ 10mA,2V 330MHz
MPS751-D26Z onsemi MPS751-D26Z 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPS751 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 60 V 2 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 200mA,2a 40 @ 2a,2v 75MHz
MPSA13_D74Z onsemi MPSA13_D74Z -
RFQ
ECAD 8162 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA13 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 1.2 a 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 10000 @ 100mA,5V 125MHz
MJE172 onsemi MJE172 -
RFQ
ECAD 6444 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 MJE172 1.5 w TO-126 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 MJE172OS Ear99 8541.29.0075 500 80 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 1.7V @ 600mA,3a 50 @ 100mA,1V 50MHz
MJD45H11-001 onsemi MJD45H11-001 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MJD45 1.75 w 我帕克 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 75 80 V 8 a 1µA PNP 1V @ 400mA,8a 40 @ 4A,1V 90MHz
MPSW92G onsemi mpsw92g -
RFQ
ECAD 8191 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MPSW92 1 w TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 mpsw92gos Ear99 8541.29.0075 5,000 300 v 500 MA 250NA(ICBO) PNP 500mv @ 2mA,20mA 25 @ 30mA,10v 50MHz
NJV4030PT1G onsemi NJV4030PT1G 0.5100
RFQ
ECAD 526 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA NJV4030 2 w SOT-223(TO-261) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 40 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 300mA,3a 200 @ 1A,1V 160MHz
BBL4001-1E onsemi BBL4001-1E -
RFQ
ECAD 2107 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 BBL4001 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 74a(ta) 4V,10V 6.1MOHM @ 37A,10V 2.6V @ 1mA 135 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 20 V - 2W(TA),35W(tc)(TC)
NVMFS5C645NT1G onsemi NVMFS5C645NT1G -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 20A(20A),92A(tc) 10V 4.6mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 20.4 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 25 V - 3.7W(ta),79w(tc)
NSVMMUN2230LT1G onsemi NSVMMUN22330LT1G 0.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NSVMMUN2230 246兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 5mA,10mA 3 @ 5mA,10v 1 kohms 1 kohms
2SC5245A-4-TL-E onsemi 2SC5245A-4-TL-E -
RFQ
ECAD 3664 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 2SC5245 150MW 3-MCP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 10dB 10V 30mA NPN 90 @ 10mA,5v 8GHz 0.9db〜3db @ 1GHz〜1.5GHz
BC487G onsemi BC487G -
RFQ
ECAD 4257 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 BC487 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 60 V 500 MA 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 100mA,1a 60 @ 100mA,5V 200MHz
FQI11N40TU onsemi FQI11N40TU -
RFQ
ECAD 1266 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA FQI1 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 11.4A(TC) 10V 480MOHM @ 5.7A,10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W(ta),147W(tc)
BCW33LT1G onsemi BCW33LT1G 0.2200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCW33 300兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 32 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN 250mv @ 500µA,10mA 420 @ 2mA,5V -
2SJ652-RA11 onsemi 2SJ652-RA11 -
RFQ
ECAD 6057 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ652 MOSFET (金属 o化物) TO-220毫升 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 28a(28a) 4V,10V 38mohm @ 14a,10v - 80 NC @ 10 V ±20V 4360 pf @ 20 V - -
TIP31ATU onsemi tip31atu -
RFQ
ECAD 1218 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 提示31 2 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 375mA,3a 10 @ 3A,4V 3MHz
MPS650RLRAG onsemi mps650rlrag -
RFQ
ECAD 6049 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3) MPS650 625兆 TO-92(to-226) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 40 V 2 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 200mA,2a 75 @ 1A,2V 75MHz
NVTJD4401NT1G onsemi NVTJD4401NT1G -
RFQ
ECAD 7724 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - NVTJD44 - - - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 630ma(ta) - - - -
SBC846BWT1G onsemi SBC846BWT1G 0.1800
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 SBC846 150兆 SC-70-3(SOT323) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 200 @ 2mA,5V 100MHz
SMUN5215T1G onsemi Smun5215T1G 0.3400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 Smun5215 202兆 SC-70-3(SOT323) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 1mA,10mA 160 @ 5mA,10v 10 kohms
BF199_J35Z onsemi BF199_J35Z -
RFQ
ECAD 6928 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BF199 350MW TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 - 25V 50mA NPN 38 @ 7mA,10v 1.1GHz -
FDPF14N30 onsemi FDPF14N30 -
RFQ
ECAD 1516年 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FDPF14 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 14A(TC) 10V 290MOHM @ 7A,10V 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 1060 pf @ 25 V - 35W(TC)
NJVMJD47T4G onsemi NJVMJD47T4G 0.6900
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NJVMJD47 1.56 w DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 250 v 1 a 200µA NPN 1V @ 200mA,1a 30 @ 300mA,10v 10MHz
FDMC8026S onsemi FDMC8026 -
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 Onmi PoterTrench®,SyncFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn FDMC8026 MOSFET (金属 o化物) 8-mlp(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V (19a)(21a (TC)(TC) 4.5V,10V 4.4mohm @ 19a,10v 3V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 15 V - 2.4W(TA),36W(tc)
ULN2804A onsemi ULN2804A 0.2200
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -20°C〜150°C(TJ) 通过洞 18 浸(0.300英寸,7.62mm) ULN2804 2.25W 18浸 - Rohs不合规 2156-ULN2804A-ON Ear99 8541.29.0095 20 50V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA 1000 @ 350mA,2V -
KSH210TF onsemi KSH210TF -
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 KSH21 1.4 w D-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 25 v 5 a 100NA(ICBO) PNP 1.8V @ 1a,5a 45 @ 2a,1V 65MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库