晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)
2N5038G	11.2700	询价	918	onsemi	-	托盘	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	2N5038			140W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100																90V	20A						-	NPN	2.5V@5A、20A	20@12A，5V	-
MJW0302A	-	询价	1817	onsemi	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	MJW03			150W	TO-247-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000																260伏	15A						10μA（ICBO）	国民党	1V@500mA，5A	75@3A，5V	30兆赫兹
BC307B_J35Z	-	询价	8351	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC307			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	100毫安						15纳安	国民党	500毫伏@5毫安、100毫安	180@2mA，5V	130兆赫
FJV4110RMTF	-	询价	4460	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FJV411			200毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																40V	100毫安						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@1mA、10mA	100 @ 1mA，5V	200兆赫	10欧姆
MTB30P06VT4	-	询价	5954	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山地车30		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		60V	30A（温度）	10V	80毫欧@15A，10V	4V@250μA	80nC@10V	±15V	2190pF@25V	-	3W（Ta）、125W（Tc）
FDP86363-F085	3.5500	询价	183	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	管子	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP86363		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	110A（温度）	10V	2.8毫欧@80A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±20V	10000pF@40V	-	300W（温度）
NTD32N06T4G	-	询价	8096	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币32元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	NTD32N06T4GOS	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	32A（塔）	10V	26毫欧@16A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1725pF@25V	-	1.5W（Ta）、93.75W（Tj）
MPSW42G	-	询价	5773	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSW42			1W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	5,000																300伏	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	500mV@2mA、20mA	40@30mA，10V	50兆赫
FDS6986AS	1.0000	询价	6427	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS69		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）			30V	6.5A、7.9A		29毫欧@6.5A，10V	3V@250μA	17nC@10V		720pF @ 10V	逻辑电平门
2SC5706-TL-H	1.2900	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SC5706			800毫W	TP-FA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	700																50V	5A						1μA（ICBO）	NPN	240mV@100mA，2A	200@500mA，2V	400兆赫
NTR4171PT1G	0.4500	询价	5464	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	NTR4171		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	2.2A（塔）	2.5V、10V	75毫欧@2.2A，10V	1.4V@250μA	15.6nC@10V	±12V	720pF@15V	-	480毫W（塔）
MPS3563G	-	询价	9304	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPS356			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,000																12V	50毫安						10nA（ICBO）	NPN		20@8mA，10V	600兆赫
MMDF2P02HDR2	-	询价	3619	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MMDF2		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）			20V	3.3A		160mOhm@2A，10V	2V@250μA	20nC@10V		588pF@16V	逻辑电平门
NTMFS08N2D5C	6.9400	询价	2	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	NTMFS08		MOSFET（金属O化物）		电源56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	166A（温度）	6V、10V	2.7毫欧@68A，10V	4V@380μA	84nC@10V	±20V	6240pF@40V	-	138W（温度）
BC239BTA	-	询价	6932	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC239			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																25V	100毫安						15纳安	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	180@2mA，5V	250兆赫
SZT1010T1G	0.1221	询价	5872	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-	-	-	SZT1010				-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000																							-	-	-	-	-
NSBC114EDXV6T1	-	询价	9873	onsemi	*	切带 (CT)	过时的				NSBC114					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000
BF423ZL1	-	询价	9211	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BF423			830毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																250伏	500毫安						10nA（ICBO）	国民党	500mV@2mA、20mA	50@25mA，20V	60兆赫
NTTFD018N08LC	1.6142	询价	8398	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12电源WQFN	NTTFD018		MOSFET（金属O化物）	1.7W（Ta）、26W（Tc）	12-WQFN (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTTFD018N08LCTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			80V	6A（Ta）、26A（Tc）		18毫欧@7.8A，10V	2.5V@44μA	12.4nC@10V		856pF @ 40V	-
MMBT3906HLT1G	-	询价	5021	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-	-	-	MMBT3906				-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																							-	-	-	-	-
KSC815CYBU	-	询价	2587	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSC815			400毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																45V	200毫安						100nA（ICBO）	NPN	400毫伏@15毫安，150毫安	120@50mA，1V	200兆赫
2SC4027T-E	-	询价	2796	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SC4027			1W	TP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500																160伏	1.5A						1μA（ICBO）	NPN	450mV@50mA、500mA	200@100mA，5V	120兆赫
NTD20N06-001	-	询价	2031	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币20元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		60V	20A（塔）	10V	46毫欧@10A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1015pF@25V	-	1.88W（Ta）、60W（Tj）
FJAF4310YTU	-	询价	2571	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FJAF4310			80W	TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	360																140伏	10A						10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@500毫安，5安	90@3A，4V	30兆赫兹
FDT86256	1.4200	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FDT86		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		150伏	1.2A（Ta）、3A（Tc）	6V、10V	845毫欧@1.2A，10V	4V@250μA	2nC@10V	±20V	73pF@75V	-	2.3W（Ta）、10W（Tc）
SGF23N60UFDTU	-	询价	6219	onsemi	-	管子	过时的	-	通孔	TO-3P-3全包	SGF23	标准		75W	TO-3PF	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			300V，12A，23欧姆，15V											60纳秒	-	600伏	23A	92A	2.6V@15V，12A	115μJ（开），135μJ（关）	49nC	17纳秒/60纳秒
SFT1458-TL-H	-	询价	8021	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SFT145		MOSFET（金属O化物）		DPAK/TP-FA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	700		N沟道		600伏	1A（塔）	10V	13欧姆@500mA，10V	-	3.8nC@10V	±30V	65pF@20V	-	1W（Ta）、38W（Tc）
BC33725	-	询价	7406	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC337			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	800毫安						100纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BD437S	-	询价	7057	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD437			36W	TO-126-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000																45V	4A						100微安	NPN	600mV@200mA，2A	30@10mA，5V	3兆赫兹
FDD6612A	-	询价	7155	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD6612		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	9.5A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@9.5A，10V	3V@250μA	9.4nC@5V	±20V	660pF@15V	-	2.8W（Ta）、36W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²