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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NTMS10P02R2	-	RFQ	3184	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMS10	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	8.8a（ta）	2.5V，4.5V	14mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	70 NC @ 4.5 V	±12V	3640 pf @ 16 V	-	1.6W（TA）
FDPC8014S	1.2353	RFQ	5089	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC8014	MOSFET （金属 o化物）	2.1W，2.3W	电源夹56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		25V	20a，41a		3.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	35nc @ 10V		2375pf @ 13V	逻辑级别门
HUFA75344P3_F085	-	RFQ	4941	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
2SA2210-EPN-1EX	-	RFQ	9198	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包	2SA2210		2 w	TO-220F-3SG	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50													50 V	20 a				10µA（ICBO）		PNP	500mv @ 350mA，7a	150 @ 1A，2V	140MHz
FW257-TL-E	-	RFQ	1583年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FW257-TL-E-488			1		n通道	100 v	2A（TA）	4V，10V	220MOHM @ 1A，10V	2.6V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 20 V	-	1.4W（TA）
FQA24N50F_F109	-	RFQ	2501	Onmi	FRFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA2	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	24A（TC）	10V	200mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	290W（TC）
ADP3110A0001RZR	0.1800	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500
FQD9N08TM	-	RFQ	4524	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD9	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	7.4A（TC）	10V	210MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
BC546BRL1	-	RFQ	1937年	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC546		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													65 v	100 ma				15NA		NPN	250mv @ 500µA，10mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
NST4617MX2T5G	0.0601	RFQ	4645	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NST4617				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000
HUFA76439S3S	-	RFQ	6706	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUFA76	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FQD7P20TM_F080	-	RFQ	5063	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	5.7A（TC）	10V	690MOHM @ 2.85a，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），55W（tc）
FCD5N60TM-WS	1.7900	RFQ	2	Onmi	SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	54W（TC）
2SD1815T-TL-H	-	RFQ	3505	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1815		1 w	TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	700													100 v	3 a				1µA（ICBO）		NPN	400mv @ 150mA，1.5a	200 @ 500mA，5V	180MHz
KSD401YTU	-	RFQ	4705	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD401		25 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													150 v	2 a				50µA（ICBO）		NPN	1V @ 50mA，500mA	120 @ 400mA，10v	5MHz
FQA40N25	3.9800	RFQ	55	Onmi	QFET®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA40	MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	250 v	40a（TC）	10V	70mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	280W（TC）
FDBL0330N80	5.6900	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL0330	MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	220A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 40 V	-	300W（TC）
FDP075N15A-F102	6.6100	RFQ	871	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP075	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	150 v	130a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	7350 PF @ 75 V	-	333W（TC）
NSS1C201MZ4T3G	0.6300	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NSS1C201		800兆	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													100 v	2 a				100NA（ICBO）		NPN	180mv @ 200ma，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
FQI3N30TU	-	RFQ	7870	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI3	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	300 v	3.2A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.6A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），55W（tc）
BF246B_J35Z	-	RFQ	3850	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF246		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								-					25 v	60 ma @ 15 V	600 mv @ 10 na
KSC1009YTA-ON	0.0300	RFQ	32	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1													140 v	700 MA				100NA（ICBO）		NPN	700mv @ 20mA，200mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
ECH8695R-TL-W	0.7900	RFQ	41	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8695	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		24V	11a		9.1MOHM @ 5A，4.5V	1.3V @ 1mA	10NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
SMMBTA56LT3G	0.4000	RFQ	59	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMMBTA56		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000													80 V	500 MA				100NA		PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
J202_D74Z	-	RFQ	9343	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J202		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								-					40 V	900 µA @ 20 V	800 mv @ 10 na
FDMS1D5N03	-	RFQ	3938	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS1D5	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	218a（TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	2V @ 250µA	63 NC @ 4.5 V	±16V	9690 pf @ 15 V	-	83W（TC）
DTA144WXV3T1	0.0600	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的				DTA144				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTPF250N65S3H	3.9400	RFQ	6153	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	13A（TJ）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1.1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1261 PF @ 400 V	-	29W（TC）
PN4392_D26Z	-	RFQ	6300	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN439		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道								14pf @ 20V					30 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		60欧姆
2SK3816-DL-E	-	RFQ	4454	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3816	MOSFET （金属 o化物）		SMP-FD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	40a（ta）	4V，10V	26mohm @ 20a，10v	2.6V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	-	1.65W（TA），50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²