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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MJH11017 | - | ![]() | 9220 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3 | MJH11 | 150W | SOT-93 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MJH11017OS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 150伏 | 15A | 1毫安 | PNP-达林顿 | 4V@150mA,15A | 400@10A,5V | 3兆赫兹 | ||||||||||||||||
![]() | BD243ATU | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BD243 | 65W | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 6A | 700微安 | NPN | 1.5V@1A、6A | 15@3A,4V | - | ||||||||||||||||||
![]() | BCW71 | 0.4300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BCW71 | 350毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500毫安 | 100μA(ICBO) | NPN | 250mV@500μA,10mA | 110@2mA,5V | 330兆赫 | |||||||||||||||||
![]() | BC817-25LT1 | 0.0200 | ![]() | 293 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BC817 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||
![]() | FQT7N10TF | 0.6900 | ![]() | 2736 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | FQT7N10 | MOSFET(金属O化物) | SOT-223-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 100伏 | 1.7A(温度) | 10V | 350mOhm@850mA,10V | 4V@250μA | 10V时为7.5nC | ±25V | 250pF@25V | - | 2W(温度) | |||||||||||||
![]() | SMUN5114DW1T1G | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | SMUN5114 | 187毫W | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 250mV@300μA,10mA | 80@5mA,10V | - | 10k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | SQJ500EP | - | ![]() | 5590 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | - | - | - | SQJ500 | - | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | KSA1304OTU | - | ![]() | 8357 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | KSA13 | 20W | TO-220F-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 150伏 | 1.5A | 10μA(ICBO) | 国民党 | 1.5V@50mA、500mA | 40@500mA,10V | 4兆赫兹 | ||||||||||||||||||
![]() | FDMS9620S | - | ![]() | 6251 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | FDMS9620 | MOSFET(金属O化物) | 1W | 8-MLP (5x6)、Power56 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 7.5A、10A | 21.5毫欧@7.5A,10V | 3V@250μA | 14nC@10V | 665pF@15V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||
![]() | BS170RLRP | - | ![]() | 2110 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | BS170 | MOSFET(金属O化物) | TO-92 (TO-226) | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N沟道 | 60V | 500mA(塔) | 10V | 5欧姆@200mA,10V | 3V@1mA | ±20V | 60pF@10V | - | 350毫W(塔) | ||||||||||||||
![]() | HUF75309D3ST | - | ![]() | 9421 | 0.00000000 | onsemi | 超场效应晶体管™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 匈牙利福林75 | MOSFET(金属O化物) | TO-252AA | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 55V | 19A(TC) | 10V | 70毫欧@19A,10V | 4V@250μA | 24nC@20V | ±20V | 350pF@25V | - | 55W(温度) | ||||||||||||||
![]() | VN2222LLRLRA | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | VN2222 | MOSFET(金属O化物) | TO-92 (TO-226) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N沟道 | 60V | 150mA(塔) | 10V | 7.5欧姆@500mA,10V | 2.5V@1mA | ±20V | 60pF@25V | - | 400毫W(塔) | ||||||||||||||
![]() | KSC3502ESTU | - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-225AA、TO-126-3 | KSC3502 | 1.2W | TO-126-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 200V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV@2mA、20mA | 100@10mA,10V | 150兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | SBC856ALT1G | 0.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 单片机856 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 125@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||
![]() | MPSA20_D27Z | - | ![]() | 1700 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | MPSA20 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV@1mA、10mA | 40@5mA,10V | 125兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3772G | 7.7000 | ![]() | 56 | 0.00000000 | onsemi | - | 托盘 | 过时的 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | 2N3772 | 150W | TO-204 (TO-3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 60V | 20A | 10毫安 | NPN | 4V@4A、20A | 15@10A,4V | 200kHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N5172_D26Z | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 2N5172 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 25V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV@1mA、10mA | 100@10mA,10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | FDD2582 | 1.2500 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | FDD258 | MOSFET(金属O化物) | TO-252AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 150伏 | 3.7A(Ta)、21A(Tc) | 6V、10V | 66mOhm@7A,10V | 4V@250μA | 25nC@10V | ±20V | 1295pF@25V | - | 95W(温度) | |||||||||||||
![]() | BC847CWT1G | 0.1700 | ![]() | 108 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BC847 | 150毫W | SC-70-3 (SOT323) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||
![]() | 2N7002LT1G | 0.2800 | ![]() | 611 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N沟道 | 60V | 115mA(温度) | 5V、10V | 7.5欧姆@500mA,10V | 2.5V@250μA | ±20V | 50pF@25V | - | 225毫W(塔) | ||||||||||||||
![]() | SBCP53-16T1G | 0.4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | SBCP53 | 1.5W | SOT-223 (TO-261) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80V | 1.5A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 100@150mA,2V | 50兆赫 | |||||||||||||||||
![]() | NTR4171PT1G | 0.4500 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | NTR4171 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 2.2A(塔) | 2.5V、10V | 75毫欧@2.2A,10V | 1.4V@250μA | 15.6nC@10V | ±12V | 720pF@15V | - | 480毫W(塔) | |||||||||||||
![]() | FDMS3672 | 3.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | 超场效应晶体管™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | FDMS36 | MOSFET(金属O化物) | 8-MLP (5x6)、Power56 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 100伏 | 7.4A(Ta)、22A(Tc) | 6V、10V | 23毫欧@7.4A,10V | 4V@250μA | 44nC@10V | ±20V | 2680pF@50V | - | 2.5W(Ta)、78W(Tc) | |||||||||||||
![]() | BC548A | - | ![]() | 6153 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | BC548 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 110@2mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | FQPF30N06 | - | ![]() | 4346 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3全包 | FQPF3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 60V | 21A(温度) | 10V | 40毫欧@10.5A,10V | 4V@250μA | 25nC@10V | ±25V | 945pF@25V | - | 39W(温度) | ||||||||||||||
![]() | FDFMA2N028Z | 0.7000 | ![]() | 第464章 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | 频分多址2 | MOSFET(金属O化物) | 6-MicroFET (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 3.7A(塔) | 2.5V、4.5V | 68毫欧@3.7A,4.5V | 1.5V@250μA | 6nC@4.5V | ±12V | 455pF@10V | 肖特基分散(隔离) | 1.4W(Tj) | |||||||||||||
![]() | FQI13N06LTU | - | ![]() | 2366 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 质量指标1 | MOSFET(金属O化物) | I2PAK (TO-262) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 60V | 13.6A(温度) | 5V、10V | 110毫欧@6.8A,10V | 2.5V@250μA | 6.4nC@5V | ±20V | 350pF@25V | - | 3.75W(Ta)、45W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | SS9012HTA | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | SS9012 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 600毫伏@50毫安,500毫安 | 144@50mA,1V | - | ||||||||||||||||||
![]() | BC369_J35Z | - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC369 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20V | 1.5A | 10μA(ICBO) | 国民党 | 500mV@100mA,1A | 85@500mA,1V | 45兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C404NLT3G | 3.3250 | ![]() | 1644 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5接口 | NTMFS5 | MOSFET(金属O化物) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N沟道 | 40V | 52A(Ta)、370A(Tc) | 4.5V、10V | 0.75mOhm@50A,10V | 2V@250μA | 181nC@10V | ±20V | 12168pF@25V | - | 3.2W(Ta)、167W(Tc) |

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