晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
MPSA77	-	询价	4667	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSA77			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000																	60V	500毫安		500纳安	PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	-
SBCP53-16T1G	0.4200	询价	9	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	SBCP53			1.5W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	80V	1.5A		100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	50兆赫
FDMS3672	3.1000	询价	2	onsemi	超场效应晶体管™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMS36		MOSFET（金属O化物）		8-MLP (5x6)、Power56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				100伏	7.4A（Ta）、22A（Tc）	6V、10V	23毫欧@7.4A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	2680pF@50V	-	2.5W（Ta）、78W（Tc）
FJP13009H2	-	询价	5787	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FJP13009			100W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200																	400V	12A		-	NPN	3V@3A、12A	15@5A，5V	4兆赫兹
MPSA93_D26Z	-	询价	6163	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA93			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	200V	500毫安		250nA（ICBO）	国民党	400mV@2mA、20mA	30@30mA，10V	50兆赫
BC557TA	-	询价	5988	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC557			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	45V	100毫安		15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	110@2mA，5V	150兆赫
BC80825MTF	-	询价	7069	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC808			310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	25V	800毫安		100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
2N5486_D27Z	-	询价	6057	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5486	400兆赫	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		20毫安	-	-											4分贝			15V
FDD86569-F085	1.4100	询价	7343	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD86569		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				60V	90A（温度）	10V	5.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	52nC@10V	±20V	2520pF@30V	-	150W（焦）
NTP110N65S3HF	6.5700	询价	707	onsemi	FRFET®、SuperFET® III	大部分	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP110		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				650伏	30A（温度）	10V	110毫欧@15A，10V	5V@740μA	62nC@10V	±30V	2635 pF @ 400 V	-	240W（温度）
NTMFS4C35NT3G	0.6964	询价	4305	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				30V	12.4A（塔）	4.5V、10V	3.2毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	15nC@4.5V	±20V	2300pF@15V	-	780mW（Ta）、33W（Tc）
FQPF6N80	-	询价	3461	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				800V	3.3A（温度）	10V	1.95欧姆@1.65A，10V	5V@250μA	31nC@10V	±30V	1500pF@25V	-	51W（温度）
NTD25P03L1G	-	询价	5856	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币25元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		P沟道				30V	25A（塔）	4V、5V	80毫欧@25A，5V	2V@250μA	20nC@5V	±15V	1260pF@25V	-	75W（Tj）
BCX79	-	询价	3450	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BCX79			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	45V	500毫安		10纳安	国民党	600毫伏@2.5毫安、100毫安	80@10mA，1V	-
FQA8N90C	-	询价	4918	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答8		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				900伏	8A（温度）	10V	1.9欧姆@4A，10V	5V@250μA	45nC@10V	±30V	2080pF@25V	-	240W（温度）
2SA1417S-TD-E	0.7000	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA1417			500毫W	五氯苯酚	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																	100伏	2A		100nA（ICBO）	国民党	400mV@100mA，1A	100@100mA，5V	120兆赫
PN4121	-	询价	1241	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN412			625毫W	TO-92-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	40V	100毫安		25纳安	国民党	300毫伏@5毫安，50毫安	60@1mA，1V	-
FDU8870	-	询价	6683	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FDU88		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道				30V	21A（Ta）、160A（Tc）	4.5V、10V	3.9毫欧@35A，10V	2.5V@250μA	118nC@10V	±20V	5160pF@15V	-	160W（温度）
2N4124TA	-	询价	3414	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N4124			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	25V	200毫安		50nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	120@2mA，1V	300兆赫
NTP30N06	-	询价	6963	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	NTP30N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	NTP30N06OS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				60V	27A（塔）	10V	42毫欧@15A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	88.2W（温度）
NDD60N745U1T4G	-	询价	4790	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NDD60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				600伏	6.6A（温度）	10V	745毫欧@3.25A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±25V	50V时为440pF	-	84W（温度）
FCP7N60	2.7500	询价	第342章	onsemi	超级场效应管™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FCP7		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	5V@250μA	30nC@10V	±30V	920pF@25V	-	83W（温度）
FQPF10N60CT	-	询价	8954	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF1		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				600伏	9.5A（温度）	10V	730毫欧@4.75A，10V	4V@250μA	57nC@10V	±30V	2040pF@25V	-	50W（温度）
BSS84LT7G	0.3900	询价	6003	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS84		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,500人		P沟道				50V	130mA（塔）	5V	10欧姆@100mA，5V	2V@250μA	10V时为2.2nC	±20V	36pF@5V	-	225毫W（塔）
BCW66GLT1	-	询价	2215	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW66			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	800毫安		20纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
NTGS3136PT1G	0.9700	询价	26	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	NTGS3136		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道				20V	3.7A（塔）	1.8V、4.5V	33毫欧@5.1A，4.5V	1V@250μA	29nC@4.5V	±8V	1901pF@10V	-	700毫W（塔）
MPSA18RLRM	-	询价	7686	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSA18			625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	45V	200毫安		50nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	500@10mA，5V	160兆赫
VEC2415-TL-WZ	-	询价	1134	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	VEC2415		MOSFET（金属O化物）		SOT-28FL/VEC8	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					60V	3A（塔）		80毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	10nC@10V		505pF@20V	-
NTLUD3A260PZTBG	-	询价	7561	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFDFN 裸露焊盘	NTLUD3		MOSFET（金属O化物）	500毫W	6-UDFN (1.6x1.6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）					20V	1.3A		200毫欧@2A，4.5V	1V@250μA	4.2nC@4.5V		300pF@10V	逻辑电平门
NTMFS4744NT3G	-	询价	8333	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				30V	7A（塔）	4.5V、11.5V	7.6毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1300pF@12V	-	880mW（Ta）、47.2W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²