晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
NTD20N06-001	-	询价	2031	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币20元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		60V	20A（塔）	10V	46毫欧@10A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1015pF@25V	-	1.88W（Ta）、60W（Tj）
FJAF4310YTU	-	询价	2571	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FJAF4310			80W	TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0075	360																140伏	10A						10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@500毫安，5安	90@3A，4V	30兆赫兹
FDT86256	1.4200	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	FDT86		MOSFET（金属O化物）		SOT-223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		150伏	1.2A（Ta）、3A（Tc）	6V、10V	845毫欧@1.2A，10V	4V@250μA	2nC@10V	±20V	73pF@75V	-	2.3W（Ta）、10W（Tc）
SGF23N60UFDTU	-	询价	6219	onsemi	-	管子	过时的	-	通孔	TO-3P-3全包	SGF23	标准		75W	TO-3PF	-		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	30			300V，12A，23欧姆，15V											60纳秒	-	600伏	23A	92A	2.6V@15V，12A	115μJ（开），135μJ（关）	49nC	17纳秒/60纳秒
SFT1458-TL-H	-	询价	8021	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SFT145		MOSFET（金属O化物）		DPAK/TP-FA	-		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	700		N沟道		600伏	1A（塔）	10V	13欧姆@500mA，10V	-	3.8nC@10V	±30V	65pF@20V	-	1W（Ta）、38W（Tc）
BC33725	-	询价	7406	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC337			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	2,000																45V	800毫安						100纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BD437S	-	询价	7057	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD437			36W	TO-126-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,000																45V	4A						100微安	NPN	600mV@200mA，2A	30@10mA，5V	3兆赫兹
FDD6612A	-	询价	7155	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD6612		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	9.5A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@9.5A，10V	3V@250μA	9.4nC@5V	±20V	660pF@15V	-	2.8W（Ta）、36W（Tc）
FJNS7565TA	-	询价	9233	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	FJNS75			550毫W	TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000																10V	5A						100nA（ICBO）	NPN	450mV@60mA，3A	450@500mA，2V	-
BC847CWT1G	0.1700	询价	108	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847			150毫W	SC-70-3 (SOT323)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
2N7002LT1G	0.2800	询价	611	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	115mA（温度）	5V、10V	7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	50pF@25V	-	225毫W（塔）
BC548A	-	询价	6153	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC548			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	2,000																30V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	300兆赫
FQPF30N06	-	询价	4346	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	FQPF3		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	21A（温度）	10V	40毫欧@10.5A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±25V	945pF@25V	-	39W（温度）
BC558BU	-	询价	3011	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC558			500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	1,000																30V	100毫安						15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	110@2mA，5V	150兆赫
BDW42	-	询价	4416	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BDW42			85W	TO-220	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50																100伏	15A						2毫安	NPN-达林顿	3V@50mA，10A	1000 @ 5A，4V	4兆赫兹
BC817-25LT1	0.0200	询价	293	onsemi	-	大部分	过时的	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC817			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BC212L_J35Z	-	询价	2703	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC212			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0075	2,000																50V	300毫安						15nA（ICBO）	国民党	600毫伏@5毫安、100毫安	60@2mA，5V	200兆赫
KSC2881YTF	-	询价	2829	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	KSC2881			1W	SOT-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0075	4,000																120V	800毫安						100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	120@100mA，5V	120兆赫
CPH5871-TL-W	-	询价	5380	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	CPH587		MOSFET（金属O化物）		5-CPH	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	3.5A（塔）	1.8V、4.5V	52毫欧@2A，4.5V	-	4.7nC@4.5V	±12V	430pF@10V	肖特基分散（隔离）	900毫W（塔）
FQP11N40C	1.7100	询价	2	onsemi	QFET®	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FQP11		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		400V	10.5A（温度）	10V	530毫欧@5.25A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±30V	1090pF@25V	-	135W（温度）
FQI13N06LTU	-	询价	2366	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	质量指标1		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	13.6A（温度）	5V、10V	110毫欧@6.8A，10V	2.5V@250μA	6.4nC@5V	±20V	350pF@25V	-	3.75W（Ta）、45W（Tc）
NTMFS5C404NLT3G	3.3250	询价	1644	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	52A（Ta）、370A（Tc）	4.5V、10V	0.75mOhm@50A，10V	2V@250μA	181nC@10V	±20V	12168pF@25V	-	3.2W（Ta）、167W（Tc）
FDMS9620S	-	询价	6251	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMS9620		MOSFET（金属O化物）	1W	8-MLP (5x6)、Power56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	7.5A、10A		21.5毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	14nC@10V		665pF@15V	逻辑电平门
MJD2955-001	-	询价	4467	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	MJD29			1.75W	I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	75																60V	10A						50微安	国民党	8V@3.3A、10A	20 @ 4A、4V	2兆赫兹
FDS8672S	1.9200	询价	2	onsemi	PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS8672		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	4.8毫欧@18A，10V	3V@1mA	41nC@10V	±20V	2670pF@15V	-	2.5W（塔）
NVB6411ANT4G	-	询价	7123	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NVB6411		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	77A（温度）	10V	14毫欧@72A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	3700pF@25V	-	217W（温度）
NTP90N02G	-	询价	8956	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP90N		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		24V	90A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@90A，10V	3V@250μA	29nC@4.5V	±20V	2120pF@20V	-	85W（温度）
FDW2504P	-	询价	1064	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	FDW25		MOSFET（金属O化物）	600毫W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）			20V	3.8A		43毫欧@3.8A，4.5V	1.5V@250μA	16nC@4.5V		1030pF@10V	逻辑电平门
NJW44H11G	2.7400	询价	70	onsemi	-	管子	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	新泽西W44			120W	TO-3P-3L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0075	30																80V	10A						10微安	NPN	1V@400mA，8A	80@4A，2V	85兆赫
NJVMJD44H11RLG	0.8900	询价	1	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NJVMJD44			1.75W	DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0075	1,800																80V	8A						1微安	NPN	1V@400mA，8A	60@2A，1V	85兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²