晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
FCU4300N80Z	1.3000	询价	1	onsemi	SuperFET® II	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FCU4300		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道		800V	1.6A（温度）	10V	4.3欧姆@800mA，10V	4.5V@160μA	10V时为8.8nC	±20V	100V时为355pF	-	27.8W（温度）
NTMTSC4D2N10GTXG	6.6400	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-TDFNW (8.3x8.4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	21A（Ta）、178A（Tc）	10V	4.2毫欧@88A，10V	4V@450μA	159nC@10V	±20V	10450pF@50V	-	3.9W（Ta）、267W（Tc）
NSBA114YDXV6T1	-	询价	8709	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSBA114			500毫W	SOT-563	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V	-	10k欧姆	47k欧姆
MJD122-1G	-	询价	3858	onsemi	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD122			1.75W	DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75															100伏	8A					10微安	NPN-达林顿	4V@80mA，8A	1000 @ 4A、4V	4兆赫兹
KSA1175YTA	-	询价	7194	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	KSA1175			250毫W	TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	150毫安					100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@1mA，6V	180兆赫
NTMFS4C905NAT3G	0.5769	询价	4006	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极				NTMFS4					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTMFS4C905NAT3GTR	EAR99	8541.29.0095	5,000
FDP038AN06A0-F102	-	询价	7715	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP038		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	80A（温度）	6V、10V	3.8毫欧@80A，10V	4V@250μA	124nC@10V	±20V	6400pF@25V	-	310W（温度）
MPSA13_D74Z	-	询价	8162	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA13			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															30V	1.2A					100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	125兆赫
BC184L_J35Z	-	询价	2976	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC184			350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															30V	500毫安					15nA（ICBO）	NPN	250mV@5mA、100mA	130@100mA，5V	150兆赫
NSVT3904DXV6T1G	0.1133	询价	6217	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSVT3904			500毫W	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,000															40V	200毫安					-	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
SQJ500EP	-	询价	5590	onsemi	-	管子	的积极	-	-	-	SQJ500		-	-	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
2SA2040-E	-	询价	6132	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA2040			1W	TP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500															50V	8A					100nA（ICBO）	国民党	400mV@40mA，2A	200@500mA，2V	330兆赫
2N4402_S00Z	-	询价	6301	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N4402			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000															40V	600毫安					-	国民党	750mV@50mA、500mA	50@150mA，2V	-
2N5550TAR	0.4000	询价	39	onsemi	-	切带 (CT)	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5550			625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															140伏	600毫安					100nA（ICBO）	NPN	250mV@5mA，50mA	60@10mA，5V	300兆赫
FDP3651U	2.3900	询价	1	onsemi	PowerTrench®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP36		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	80A（温度）	10V	18毫欧@80A，10V	5.5V@250μA	69nC@10V	±20V	5522pF@25V	-	255W（温度）
BS170RLRP	-	询价	2110	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	BS170		MOSFET（金属O化物）		TO-92 (TO-226)	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道		60V	500mA（塔）	10V	5欧姆@200mA，10V	3V@1mA		±20V	60pF@10V	-	350毫W（塔）
NVMFS5844NLT1G	-	询价	8946	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NVMFS5844		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		60V	11.2A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2.3V@250μA	30nC@10V	±20V	1460pF@25V	-	3.7W（Ta）、107W（Tc）
NVMFS6B05NWFT3G	-	询价	2873	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS6		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	114A（温度）	10V	8毫欧@20A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±16V	3100pF@25V	-	3.8W（Ta）、165W（Tc）
VN2410LG	-	询价	9149	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	VN2410		MOSFET（金属O化物）		TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	VN2410LGOS	EAR99	8541.21.0095	1,000		N沟道		240伏	200mA（塔）	2.5V、10V	10欧姆@500mA，10V	2V@1mA		±20V	125pF@25V	-	350mW（温度）
MPSA20_D27Z	-	询价	1700	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA20			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000															40V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN	250mV@1mA、10mA	40@5mA，10V	125兆赫
SCH1337-TL-W	-	询价	1011	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SCH133		MOSFET（金属O化物）		SOT-563/SCH6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		P沟道		30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@1A，10V	2.6V@1mA	10V时为3.9nC	±20V	172pF@10V	-	800毫W（塔）
FDS3512	2.7600	询价	3066	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS35		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		80V	4A（塔）	6V、10V	70毫欧@4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	634 pF @ 40 V	-	2.5W（塔）
FQAF65N06	-	询价	2795	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3全包	FQAF6		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		60V	49A（温度）	10V	16毫欧@24.5A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±25V	2410pF@25V	-	86W（温度）
FDMS7670	1.4000	询价	8	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	频域地铁76		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMS7670TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	21A（Ta）、42A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@21A，10V	3V@250μA	56nC@10V	±20V	15V时为4105pF	-	2.5W（Ta）、62W（Tc）
FDP5645	-	询价	9411	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP56		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	80A（塔）	6V、10V	9.5毫欧@40A，10V	4V@250μA	107nC@10V	±20V	4468pF@30V	-	125W（温度）
NTB5605PT4G	-	询价	7899	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB5605		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		60V	18.5A（塔）	5V	140mOhm@8.5A，5V	2V@250μA	22nC@5V	±20V	1190pF@25V	-	88W（温度）
BD140	-	询价	3427	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD140			1.25W	TO-126	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500															80V	1.5A					100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
ISL9V3040P3	2.9800	询价	3021	onsemi	生态SPARK®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	ISL9V3040	逻辑		150W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			300V、1kΩ、5V											-	430伏	21A	1.6V@4V，6A	-	17nC	-/4.8μs
NVC6S5A354PLZT1G	-	询价	9009	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	雷士6S5		MOSFET（金属O化物）		6-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		60V	4A（塔）	4V、10V	100mOhm@2A，10V	2.6V@1mA	14nC@10V	±20V	600pF@20V	-	1.9W（塔）
FDMA86251	0.9800	询价	9200	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	频分多址86		MOSFET（金属O化物）		6-MicroFET (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	2.4A（塔）	6V、10V	175毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	5.8nC@10V	±20V	75V时为363pF	-	2.4W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²