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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | FCU4300N80Z | 1.3000 |  | 1 | 0.00000000 | onsemi | SuperFET® II | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | FCU4300 | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N沟道 | 800V | 1.6A(温度) | 10V | 4.3欧姆@800mA,10V | 4.5V@160μA | 10V时为8.8nC | ±20V | 100V时为355pF | - | 27.8W(温度) | ||||||||||||||||||||
|  | NTMTSC4D2N10GTXG | 6.6400 |  | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装,可湿侧面 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-TDFNW (8.3x8.4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 100伏 | 21A(Ta)、178A(Tc) | 10V | 4.2毫欧@88A,10V | 4V@450μA | 159nC@10V | ±20V | 10450pF@50V | - | 3.9W(Ta)、267W(Tc) | |||||||||||||||||||||
|  | NSBA114YDXV6T1 | - |  | 8709 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | NSBA114 | 500毫W | SOT-563 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 250mV@300μA,10mA | 80@5mA,10V | - | 10k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||
|  | MJD122-1G | - |  | 3858 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MJD122 | 1.75W | DPAK | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 100伏 | 8A | 10微安 | NPN-达林顿 | 4V@80mA,8A | 1000 @ 4A、4V | 4兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||
|  | KSA1175YTA | - |  | 7194 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3短体 | KSA1175 | 250毫W | TO-92S | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 300毫伏@10毫安,100毫安 | 120@1mA,6V | 180兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
|  | NTMFS4C905NAT3G | 0.5769 |  | 4006 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | NTMFS4 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 488-NTMFS4C905NAT3GTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FDP038AN06A0-F102 | - |  | 7715 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | FDP038 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 60V | 80A(温度) | 6V、10V | 3.8毫欧@80A,10V | 4V@250μA | 124nC@10V | ±20V | 6400pF@25V | - | 310W(温度) | ||||||||||||||||||||
|  | MPSA13_D74Z | - |  | 8162 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | MPSA13 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 1.2A | 100nA(ICBO) | NPN-达林顿 | 1.5V@100μA,100mA | 10000@100mA,5V | 125兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
|  | BC184L_J35Z | - |  | 2976 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC184 | 350毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 500毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 250mV@5mA、100mA | 130@100mA,5V | 150兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
|  | NSVT3904DXV6T1G | 0.1133 |  | 6217 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | NSVT3904 | 500毫W | SOT-563 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 40V | 200毫安 | - | 2 NPN(双) | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
|  | SQJ500EP | - |  | 5590 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | - | - | - | SQJ500 | - | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
|  | 2SA2040-E | - |  | 6132 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | 2SA2040 | 1W | TP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 50V | 8A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 400mV@40mA,2A | 200@500mA,2V | 330兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
|  | 2N4402_S00Z | - |  | 6301 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 2N4402 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40V | 600毫安 | - | 国民党 | 750mV@50mA、500mA | 50@150mA,2V | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5550TAR | 0.4000 |  | 39 | 0.00000000 | onsemi | - | 切带 (CT) | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 2N5550 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 140伏 | 600毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV@5mA,50mA | 60@10mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
|  | FDP3651U | 2.3900 |  | 1 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | FDP36 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 100伏 | 80A(温度) | 10V | 18毫欧@80A,10V | 5.5V@250μA | 69nC@10V | ±20V | 5522pF@25V | - | 255W(温度) | ||||||||||||||||||||
|  | BS170RLRP | - |  | 2110 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | BS170 | MOSFET(金属O化物) | TO-92 (TO-226) | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N沟道 | 60V | 500mA(塔) | 10V | 5欧姆@200mA,10V | 3V@1mA | ±20V | 60pF@10V | - | 350毫W(塔) | |||||||||||||||||||||
|  | NVMFS5844NLT1G | - |  | 8946 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5接口 | NVMFS5844 | MOSFET(金属O化物) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 60V | 11.2A(塔) | 4.5V、10V | 12毫欧@10A,10V | 2.3V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 1460pF@25V | - | 3.7W(Ta)、107W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | NVMFS6B05NWFT3G | - |  | 2873 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5接口 | 非易失性存储器FS6 | MOSFET(金属O化物) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N沟道 | 100伏 | 114A(温度) | 10V | 8毫欧@20A,10V | 4V@250μA | 44nC@10V | ±16V | 3100pF@25V | - | 3.8W(Ta)、165W(Tc) | ||||||||||||||||||||
|  | VN2410LG | - |  | 9149 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | - | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | VN2410 | MOSFET(金属O化物) | TO-92 (TO-226) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VN2410LGOS | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N沟道 | 240伏 | 200mA(塔) | 2.5V、10V | 10欧姆@500mA,10V | 2V@1mA | ±20V | 125pF@25V | - | 350mW(温度) | |||||||||||||||||||||
|  | MPSA20_D27Z | - |  | 1700 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | MPSA20 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV@1mA、10mA | 40@5mA,10V | 125兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
|  | SCH1337-TL-W | - |  | 1011 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | SCH133 | MOSFET(金属O化物) | SOT-563/SCH6 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P沟道 | 30V | 2A(塔) | 4V、10V | 150mOhm@1A,10V | 2.6V@1mA | 10V时为3.9nC | ±20V | 172pF@10V | - | 800毫W(塔) | |||||||||||||||||||||
|  | FDS3512 | 2.7600 |  | 3066 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FDS35 | MOSFET(金属O化物) | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 80V | 4A(塔) | 6V、10V | 70毫欧@4A,10V | 4V@250μA | 18nC@10V | ±20V | 634 pF @ 40 V | - | 2.5W(塔) | ||||||||||||||||||||
|  | FQAF65N06 | - |  | 2795 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-3P-3全包 | FQAF6 | MOSFET(金属O化物) | TO-3PF | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 60V | 49A(温度) | 10V | 16毫欧@24.5A,10V | 4V@250μA | 65nC@10V | ±25V | 2410pF@25V | - | 86W(温度) | |||||||||||||||||||||
|  | FDMS7670 | 1.4000 |  | 8 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 频域地铁76 | MOSFET(金属O化物) | 8-PQFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | FDMS7670TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 21A(Ta)、42A(Tc) | 4.5V、10V | 3.8毫欧@21A,10V | 3V@250μA | 56nC@10V | ±20V | 15V时为4105pF | - | 2.5W(Ta)、62W(Tc) | |||||||||||||||||||
|  | FDP5645 | - |  | 9411 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 管子 | 过时的 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | FDP56 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 60V | 80A(塔) | 6V、10V | 9.5毫欧@40A,10V | 4V@250μA | 107nC@10V | ±20V | 4468pF@30V | - | 125W(温度) | |||||||||||||||||||||
|  | NTB5605PT4G | - |  | 7899 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | NTB5605 | MOSFET(金属O化物) | D²PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P沟道 | 60V | 18.5A(塔) | 5V | 140mOhm@8.5A,5V | 2V@250μA | 22nC@5V | ±20V | 1190pF@25V | - | 88W(温度) | ||||||||||||||||||||
| BD140 | - |  | 3427 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-225AA、TO-126-3 | BD140 | 1.25W | TO-126 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 80V | 1.5A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 40@150mA,2V | - | |||||||||||||||||||||||||
|  | ISL9V3040P3 | 2.9800 |  | 3021 | 0.00000000 | onsemi | 生态SPARK® | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | ISL9V3040 | 逻辑 | 150W | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V、1kΩ、5V | - | 430伏 | 21A | 1.6V@4V,6A | - | 17nC | -/4.8μs | ||||||||||||||||||||||
|  | NVC6S5A354PLZT1G | - |  | 9009 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | 雷士6S5 | MOSFET(金属O化物) | 6-CPH | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P沟道 | 60V | 4A(塔) | 4V、10V | 100mOhm@2A,10V | 2.6V@1mA | 14nC@10V | ±20V | 600pF@20V | - | 1.9W(塔) | ||||||||||||||||||||
|  | FDMA86251 | 0.9800 |  | 9200 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 频分多址86 | MOSFET(金属O化物) | 6-MicroFET (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 150伏 | 2.4A(塔) | 6V、10V | 175毫欧@2.4A,10V | 4V@250μA | 5.8nC@10V | ±20V | 75V时为363pF | - | 2.4W(塔) | 

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