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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
HUFA76443P3	-	RFQ	4930	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA76		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道		60 V	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±16V	4115 PF @ 25 V	-	260W（TC）
KSC2310YTA	-	RFQ	1743年	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2310			800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														150 v	50 mA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
2N5172_D26Z	-	RFQ	7615	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5172			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														25 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	-
2SB1123S-TD-E	0.6500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SB1123			500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														50 V	2 a						100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
SMSD1819A-RT1G	-	RFQ	6999	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SMSD1819			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma						100NA	NPN	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	-
2N4402_S00Z	-	RFQ	6301	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4402			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														40 V	600 MA						-	PNP	750mv @ 50mA，500mA	50 @ 150mA，2V	-
but11ftu	-	RFQ	4311	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	But11			100 W	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000														400 v	5 a						1ma	NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-
NVTFS5820NLWFTWG	-	RFQ	7972	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS5820		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		60 V	11a（11a）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 8.7A，10V	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1462 PF @ 25 V	-	3.2W（21W），21W（（（（（（（
NTTFS030N10GTAG	0.7494	RFQ	5324	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTTFS030N10GTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		100 v	6A（6A），35A tc（TC）	10V	30mohm @ 12a，10v	4V @ 61µA	21.5 NC @ 10 V	±20V	1366 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
FGA20S120M	-	RFQ	5832	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA20	标准		348 w	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-											沟渠场停止	1200 v	40 a	60 a	1.85V @ 15V，20A	-	208 NC	-
2N3393_D26Z	-	RFQ	8552	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N339			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														25 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	-	90 @ 2mA，4.5V	-
FCH099N65S3-F155	7.4200	RFQ	425	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH099		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道		650 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.5V @ 3mA	61 NC @ 10 V	±30V	2480 pf @ 400 V	-	227W（TC）
MMBT4401WT1G	0.1700	RFQ	78	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMBT4401			150兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	600 MA						-	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
BD439S	-	RFQ	1743年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD439			36 W	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD439	Ear99	8541.29.0095	2,000														60 V	4 a						100µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	20 @ 10mA，5v	3MHz
MJD31C1	-	RFQ	4365	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MJD31			1.56 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75														100 v	3 a						50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
PN2222A_J05Z	-	RFQ	8021	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2222			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,500														40 V	1 a						10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
mmun2233lt1g	0.1400	RFQ	103	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMUN2233			246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
FDP8896	1.5300	RFQ	76	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP88		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		30 V	16a（16a），92a（tc（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2525 PF @ 15 V	-	80W（TC）
2SB1202T-E	-	RFQ	7617	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SB1202			1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500														50 V	3 a						1µA（ICBO）	PNP	700mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
BSS123L	0.3200	RFQ	2171	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA	2.5 NC @ 10 V	±20V	21.5 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
MUN533333DW1T1	-	RFQ	8983	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN53			250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA						500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
2SC4027T-E	-	RFQ	2796	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4027			1 w	TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500														160 v	1.5 a						1µA（ICBO）	NPN	450mv @ 50mA，500mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
BC557TAR	-	RFQ	5030	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC557			500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
SSVBC846BPDW1T1G	0.4600	RFQ	8	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSVBC846			-	SC-88/SC70-6/SOT-363	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000														-	-						-	-	-	-	-
MPSA27_D75Z	-	RFQ	3104	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA27			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														60 V	800 MA						500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
BC214L_D26Z	-	RFQ	7650	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC214			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	500 MA						15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	140 @ 2mA，5V	200MHz
PN3645_D27Z	-	RFQ	8389	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN364			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														60 V	800 MA						35na	PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
FDC602P	0.6400	RFQ	3495	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC602		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道		20 v	5.5A（ta）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1456 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
BC489BZL1G	-	RFQ	5110	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC489			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														80 V	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 100mA，1a	160 @ 100mA，2V	200MHz
MUN5113T3G	-	RFQ	9828	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5113			202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000														50 V	100 ma						500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²