晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SB1134S	1.0000	询价	7387	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
BF245A_D27Z	-	询价	7912	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BF245	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道		6.5毫安	-	-											-
BC807-25LT3G	0.1400	询价	37	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	45V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
FCPF20N60TYDTU	-	询价	8961	onsemi	超级场效应管™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，结构	FCPF20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3（Y形）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@250μA	98nC@10V	±30V	3080pF@25V	-	39W（温度）
HUF75344G3	3.9900	询价	50	onsemi	超场效应晶体管™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	匈牙利福林75344		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				55V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	210nC@20V	±20V	3200pF@25V	-	285W（温度）
KSC2690YSTU	-	询价	6217	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSC2690			1.2W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60																	120V	1.2A	1μA（ICBO）	NPN	700mV@200mA，1A	160@300mA，5V	155兆赫
MPSH17G	-	询价	3321	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSH17			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	MPSH17GOS	EAR99	8541.21.0075	5,000					24分贝												15V	-		NPN		25@5mA，10V	800兆赫			6dB@200MHz
NTMFS4701NT3G	-	询价	3509	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		N沟道				30V	7.7A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	3V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1280pF@24V	-	900毫W（塔）
NVMFS5C430NLWFT3G	-	询价	6270	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				40V	200A（温度）	4.5V、10V	1.5毫欧@50A，10V	2V@250μA	70nC@10V	±20V	4300pF@20V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）
FDPF5N50NZF	-	询价	9015	onsemi	UniFET-II™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FDPF5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				500V	4.2A（温度）	10V	1.75欧姆@2.1A，10V	5V@250μA	12nC@10V	±25V	485pF@25V	-	30W（温度）
FDC658P	0.6700	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC658		MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				30V	4A（塔）	10V	50mOhm@4A，10V	3V@250μA	12nC@5V	±20V	750pF@15V	-	1.6W（塔）
BD678AG	-	询价	4998	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD678			40W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500																	60V	4A	500μA	PNP-达林顿	2.8V@40mA，2A	750@2A，3V	-
SFU9220TU_F080	-	询价	5732	onsemi	-	管子	过时的		-	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SFU922		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		P沟道				200V	3.1A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±30V	540pF@25V	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
SMMUN2111LT1G	0.3300	询价	29	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMUN2111			246毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@300μA，10mA	35@5mA，10V		10欧姆	10欧姆
CPH3223-TL-E	0.4800	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	CPH3223			900毫W	3-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	3A	1μA（ICBO）	NPN	240mV@100mA，2A	200@100mA，2V	380兆赫
NTMFS4841NT3G	-	询价	5081	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				30V	8.3A（Ta）、57A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	17nC@4.5V	±20V	12V时为1436pF	-	870mW（Ta）、41.7W（Tc）
BD243ATU	-	询价	2852	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BD243			65W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50																	60V	6A	700微安	NPN	1.5V@1A、6A	15@3A，4V	-
BCW71	0.4300	询价	23	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW71			350毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	500毫安	100μA（ICBO）	NPN	250mV@500μA，10mA	110@2mA，5V	330兆赫
FC18G-TL	0.1600	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
FW359-TL-E	-	询价	1713	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FQB7N80TM_AM002	-	询价	2519	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB7		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				800V	6.6A（温度）	10V	1.5欧姆@3.3A，10V	5V@250μA	52nC@10V	±30V	1850pF@25V	-	3.13W（Ta）、167W（Tc）
FQD4N25TM	-	询价	2262	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD4		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				250伏	3A（温度）	10V	1.75欧姆@1.5A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、37W（Tc）
NTMJS1D6N06CLTWG	4.7500	询价	9371	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NTMJS1		MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				60V	38A（Ta）、250A（Tc）	4.5V、10V	1.36毫欧@50A，10V	2V@250μA	91nC@10V	±20V	6660pF@25V	-	3.8W（Ta）、167W（Tc）
2N7002LT1	-	询价	6229	onsemi	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				60V	115mA（温度）		7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA			50pF@25V	-
BC80716MTF	-	询价	1129	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807			310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	800毫安	100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
FDP2570	-	询价	2599	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP25		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				150伏	22A（塔）	6V、10V	80毫欧@11A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±20V	1911pF@75V	-	93W（温度）
FQPF13N06L	1.0400	询价	1	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	FQPF13		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				60V	10A（温度）	5V、10V	110mOhm@5A，10V	2.5V@250μA	6.4nC@5V	±20V	350pF@25V	-	24W（温度）
ZTX614	-	询价	8374	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	ZTX614			1W	TO-226	下载		1（无限制）	REACH 不出行	ZTX614FS	EAR99	8541.29.0095	1,500人																	100伏	800毫安	100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.25V@8mA、800mA	10000@500mA，5V	-
MJD340T4	-	询价	7713	onsemi	-	切带 (CT)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD34			15W	DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人																	300伏	500毫安	100微安	NPN	-	30@50mA，10V	-
MJ11016G	8.2100	询价	7319	onsemi	-	托盘	的积极		-55°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	MJ11016			200W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100																	120V	30A	1毫安	NPN-达林顿	4V@300mA，30A	1000 @ 20A，5V	4兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²