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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
CS951254DR8G	0.7000	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CS951254DR8G-488			1
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mpsw01a	-	RFQ	2397	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW01		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mpsw01aos	Ear99	8541.29.0075	5,000													40 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	50MHz
BC638TA	0.4000	RFQ	7	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC638		1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													60 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BCX599_D74Z	-	RFQ	5002	Onmi	-	（TB）	过时的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCX599			TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000															-	NPN	-	-	-
MUN5235DW1T1	-	RFQ	9394	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN52		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
MUN5136DW1T1	-	RFQ	7922	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN51		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MUN5136DW1T1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	100kohms	100kohms
MMBT100A	-	RFQ	9140	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT10		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	50NA	NPN	400mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，1V	250MHz
NSBA124EDXV6T1	-	RFQ	1664年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA124		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
MPSA92_D26Z	-	RFQ	9419	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA92		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
BD436TG	-	RFQ	8243	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD436		36 W	TO-126	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													32 v	4 a	100µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	3MHz
PN100RM	-	RFQ	3335	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN100		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	500 MA	50NA	NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
ECH8411-TL-E	0.1900	RFQ	6	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		8-ech	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	9a（9a）		16mohm @ 4A，4V	-	21 NC @ 4 V		1740 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
2SC4487T-AN	-	RFQ	9295	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC4487		1 w	3-nmp	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													50 V	300 MA	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
FDD86380-F085	-	RFQ	6686	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86380	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	50A（TC）	10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 40 V	-	75W（TJ）
NTD5862NT4G	1.7500	RFQ	8569	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD5862	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	98A（TC）	10V	5.7MOHM @ 45A，10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	115W（TC）
BD679AS	0.7500	RFQ	7795	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679		40 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													80 V	4 a	500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
NTLUS4C16NTBG	-	RFQ	2048	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	ntlus4	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn（1.6x1.6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	6.1a（ta）	1.8V，10V	11.4mohm @ 8a，10v	1.1V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±12V	690 pf @ 15 V	-	650MW（TA）
NTQD6866R2G	-	RFQ	8325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NTQD68	MOSFET （金属 o化物）	940MW	8-tssop	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）		20V	4.7a		32MOHM @ 6.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	22nc @ 4.5V		1400pf @ 16V	逻辑级别门
NJW0302G	3.1200	RFQ	1102	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	NJW0302		150 w	TO-3P-3L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30													250 v	15 a	10µA（ICBO）	PNP	1V @ 500mA，5a	75 @ 3a，5v	30MHz
NVD5C668NLT4G	2.0000	RFQ	5504	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C668	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	49A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.1V @ 250µA	8.7 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	44W（TC）
2N5551TF	0.3800	RFQ	49	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5551		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													160 v	600 MA	50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
mps8099rrpg	-	RFQ	8763	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS809		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													80 V	500 MA	100NA	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
KSD560R	-	RFQ	3205	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSD560		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1200													100 v	5 a	1µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	-
BC237BBU	-	RFQ	7856	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC237		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													45 v	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
2SD1628F-TD-E	-	RFQ	2325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SD1628		500兆	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													20 v	5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 60mA，3a	160 @ 500mA，2V	120MHz
IRF634B-FP001	-	RFQ	8811	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 4.05A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	74W（TC）
MPSA20_D27Z	-	RFQ	1700	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA20		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													40 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 1mA，10mA	40 @ 5mA，10v	125MHz
MPSH24	-	RFQ	4222	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSH24		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MPSH24-NDR	Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	-	30 @ 8mA，10v	400MHz
NSS12100XV6T1G	0.4500	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	NSS12100		500兆	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													12 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	440mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²