晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
BCW66GLT1	-	询价	2215	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW66		300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														45V	800毫安	20纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
NTGS3136PT1G	0.9700	询价	26	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	NTGS3136	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	3.7A（塔）	1.8V、4.5V	33毫欧@5.1A，4.5V	1V@250μA	29nC@4.5V	±8V	1901pF@10V	-	700毫W（塔）
MPSA18RLRM	-	询价	7686	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSA18		625毫W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000														45V	200毫安	50nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	500@10mA，5V	160兆赫
VEC2415-TL-WZ	-	询价	1134	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	VEC2415	MOSFET（金属O化物）		SOT-28FL/VEC8	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			60V	3A（塔）		80毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	10nC@10V		505pF@20V	-
NTLUD3A260PZTBG	-	询价	7561	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFDFN 裸露焊盘	NTLUD3	MOSFET（金属O化物）	500毫W	6-UDFN (1.6x1.6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	1.3A		200毫欧@2A，4.5V	1V@250μA	4.2nC@4.5V		300pF@10V	逻辑电平门
NTMFS4744NT3G	-	询价	8333	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	7A（塔）	4.5V、11.5V	7.6毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1300pF@12V	-	880mW（Ta）、47.2W（Tc）
FQS4901TF	-	询价	7692	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FQS4901	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			400V	450毫安		4.2欧姆@225mA，10V	4V@250μA	7.5nC@10V		210pF@25V	-
BC817-16LT3G	0.1500	询价	46	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC817		300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000														45V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
NTB75N03L09T4	-	询价	9000	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	NTB75N03L09T4OS	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		30V	75A（温度）	5V	8毫欧@37.5A，5V	2V@250μA	75nC@5V	±20V	5635pF@25V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
FDB3632-F085	-	询价	4972	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB3632	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	12A（塔）	10V	9毫欧@80A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	6000pF@25V	-	310W（温度）
FDD6530A	-	询价	8984	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD653	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		20V	21A（塔）	2.5V、4.5V	32mOhm@8A，4.5V	1.2V@250μA	9nC@4.5V	±8V	710pF@10V	-	3.3W（Ta）、33W（Tc）
2N7002LT7H	-	询价	4571	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,500人		N沟道		60V	115mA（温度）	5V、10V	7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	50pF@25V	-	225毫W（塔）
NTMFS4H02NT1G	-	询价	7518	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		25V	37A（Ta）、193A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@30A，10V	2.1V@250μA	10V时为38.5nC	±20V	2651pF@12V	-	3.13W（Ta）、83W（Tc）
NTMFS5C442NLT1G	2.6000	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		40V	27A（Ta）、130A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@50A，10V	2V@250μA	50nC@10V	±20V	3100pF@25V	-	3.1W（Ta）、69W（Tc）
2N3772G	7.7000	询价	56	onsemi	-	托盘	过时的	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	2N3772		150W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100														60V	20A	10毫安	NPN	4V@4A、20A	15@10A，4V	200kHz
2N5172_D26Z	-	询价	7615	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5172		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000														25V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	250mV@1mA、10mA	100@10mA，10V	-
FDG6302P	-	询价	7441	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	FDG6302	MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-88 (SC-70-6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			25V	140毫安		10欧姆@140mA，4.5V	1.5V@250μA	0.31nC@4.5V		12pF@10V	逻辑电平门
2N3904NLBU	-	询价	1103	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N3904		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000														40V	200毫安	-	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
D44H8G	1.1400	询价	1	onsemi	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	D44H8		2W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50														60V	10A	10微安	NPN	1V@400mA，8A	40@4A，1V	50兆赫
NTMFS4744NT1G	-	询价	9893	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		30V	7A（塔）	4.5V、11.5V	7.6毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1300pF@12V	-	880mW（Ta）、47.2W（Tc）
FQI10N20CTU	-	询价	8375	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	质量指标1	MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		200V	9.5A（温度）	10V	360毫欧@4.75A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	510pF@25V	-	72W（温度）
NSVDTC114YM3T5G	0.3800	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	NSVDTC114		260毫W	SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V		10欧姆	47欧姆
KSC2786OTA	-	询价	6709	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3短体	KSC2786		250毫W	TO-92S	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000			18分贝～22分贝											20V	20毫安		NPN		70@1mA，6V	600兆赫			3dB ~ 5dB @ 100MHz
NTJD4105CT2	-	询价	8411	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NTJD4105	MOSFET（金属O化物）	270毫W	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V、8V	630毫安、775毫安		375毫欧@630mA，4.5V	1.5V@250μA	3nC@4.5V		46pF@20V	逻辑电平门
BC33716	-	询价	4802	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BC337		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000														45V	800毫安	100纳安	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
FQP90N08	-	询价	1001	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FQP9	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		80V	71A（温度）	10V	16毫欧@35.5A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±25V	3250pF@25V	-	160W（温度）
NTB75N06LT4G	-	询价	4527	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75	MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	75A（塔）	5V	11毫欧@37.5A，5V	2V@250μA	92nC@5V	±20V	4370pF@25V	-	2.4W（Ta）、214W（Tj）
2SC4363-AC	0.1600	询价	10	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,902 人
NTTFS5826NLTWG	-	询价	9685	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	NTFS5	MOSFET（金属O化物）		8-WDFN (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	8A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	25nC@10V	±20V	850pF@25V	-	3.1W（Ta）、19W（Tc）
FQB4N25TM	-	询价	3525	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB4	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		250伏	3.6A（温度）	10V	1.75欧姆@1.8A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	3.13W（Ta）、52W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²