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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTD4863NA-1G	-	RFQ	8194	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	9.2A（ta），49a （TC）		9.3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V		990 pf @ 12 V	-	1.27W（ta），36.6w（tc）
BC307BRL1	-	RFQ	3779	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC307		350兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	100 ma	15NA	PNP	250mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	280MHz
SJD1015-1G	-	RFQ	9878	Onmi	-	大部分	过时的				SJD1015				-				488-SJD1015-1G	过时的		1
SBCP56T1G	0.4200	RFQ	3	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SBCP56		1.5 w	SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	130MHz
KSP24TA	-	RFQ	2315	Onmi	-	（TB）	过时的	135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSP24		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	50NA（iCBO）	NPN	-	30 @ 8mA，10v	620MHz
mpsw51a	-	RFQ	1697年	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPSW51		1 w	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	mpsw51aos	Ear99	8541.29.0075	5,000													40 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	50MHz
KSC2785GBU	-	RFQ	1869年	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSC2785		250兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
BC559ABU	-	RFQ	9503	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
KSH122TF-X	-	RFQ	9084	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSH12		1.75 w	D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													100 v	8 a	10µA	npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	-
2N6288G	1.0700	RFQ	589	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6288		40 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													30 V	7 a	1ma	NPN	3.5V @ 3a，7a	30 @ 3a，4v	4MHz
BC184_J35Z	-	RFQ	8675	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC184		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	130 @ 100mA，5V	150MHz
MUN5137T1G	0.0252	RFQ	8461	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5137		202兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		47科姆斯	22 KOHMS
NTD95N02R-1G	-	RFQ	7236	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD95	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	24 V	12a（12a），32a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V	2400 PF @ 20 V	-	1.25W（ta），86W（tc）
NSBA114TDXV6T1	-	RFQ	4034	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA114		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	-
KSD882YSTU	0.8100	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSD882		1 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60													30 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	90MHz
2SJ195-TL-E	0.8200	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
MC1413PG	-	RFQ	5052	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	MC1413P		-	16-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	MC1413PGO	Ear99	8541.29.0095	25													50V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
BC212L_D75Z	-	RFQ	5212	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC212		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													50 V	300 MA	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	60 @ 2mA，5V	200MHz
FJY4009R	-	RFQ	6505	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400		200兆	SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
BC847BPDXV6T1G	0.4000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BC847		357MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45V	100mA	15NA（icbo）	NPN，PNP	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
FDJ1028N	-	RFQ	9473	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75-6 FLMP	FDJ1028	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SC75-6 FLMP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	3.2a		90MOHM @ 3.2A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 4.5V		200pf @ 10V	逻辑级别门
2n6388g	0.9200	RFQ	1	Onmi	-	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6388		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													80 V	10 a	1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
NXH010P120MNF1PTNG	192.7200	RFQ	8496	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH010	（SIC）	250W（TJ）	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH010P120MNF1PTNG	Ear99	8541.29.0095	28	2 n 通道（双）		1200V（1.2kV）	114a（TC）		14mohm @ 100a，20v	4.3V @ 40mA	454NC @ 20V		4707pf @ 800V	-
NSBC114EPDXV6T1	-	RFQ	6871	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC114		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
BC214L_L34Z	-	RFQ	8626	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC214		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	500 MA	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	140 @ 2mA，5V	200MHz
BD440S	0.9100	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD440		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													60 V	4 a	100µA	PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	3MHz
BC33840BU	-	RFQ	5405	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000													25 v	800 MA	100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
NSBA115EDXV6T1G	0.1049	RFQ	5690	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA115		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	100kohms	100kohms
FQAF8N80	-	RFQ	6379	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF8	MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		n通道	800 v	5.9a（TC）	10V	1.2OHM @ 2.95a，10V	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2350 pf @ 25 V	-	107W（TC）
2SB764E-SSH	-	RFQ	4314	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			900兆	3-MP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB764E-SSH-488			1													50 V	1 a	1µA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 50mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²