晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
CPH3223-TL-E	0.4800	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-96	CPH3223		900毫W	3-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	3A	1μA（ICBO）	NPN	240mV@100mA，2A	200@100mA，2V	380兆赫
NTMFS4841NT3G	-	询价	5081	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	8.3A（Ta）、57A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	17nC@4.5V	±20V	12V时为1436pF	-	870mW（Ta）、41.7W（Tc）
BD243ATU	-	询价	2852	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BD243		65W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50													60V	6A	700微安	NPN	1.5V@1A、6A	15@3A，4V	-
BCW71	0.4300	询价	23	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW71		350毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	500毫安	100μA（ICBO）	NPN	250mV@500μA，10mA	110@2mA，5V	330兆赫
FC18G-TL	0.1600	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
FW359-TL-E	-	询价	1713	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FQB7N80TM_AM002	-	询价	2519	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB7	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	800V	6.6A（温度）	10V	1.5欧姆@3.3A，10V	5V@250μA	52nC@10V	±30V	1850pF@25V	-	3.13W（Ta）、167W（Tc）
FQD4N25TM	-	询价	2262	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD4	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	250伏	3A（温度）	10V	1.75欧姆@1.5A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、37W（Tc）
NTMJS1D6N06CLTWG	4.7500	询价	9371	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NTMJS1	MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	38A（Ta）、250A（Tc）	4.5V、10V	1.36毫欧@50A，10V	2V@250μA	91nC@10V	±20V	6660pF@25V	-	3.8W（Ta）、167W（Tc）
2N7002LT1	-	询价	6229	onsemi	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	115mA（温度）		7.5欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA			50pF@25V	-
BC80716MTF	-	询价	1129	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807		310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	800毫安	100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
FDP2570	-	询价	2599	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP25	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道	150伏	22A（塔）	6V、10V	80毫欧@11A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±20V	1911pF@75V	-	93W（温度）
FQPF13N06L	1.0400	询价	1	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	FQPF13	MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	10A（温度）	5V、10V	110mOhm@5A，10V	2.5V@250μA	6.4nC@5V	±20V	350pF@25V	-	24W（温度）
ZTX614	-	询价	8374	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	ZTX614		1W	TO-226	下载		1（无限制）	REACH 不出行	ZTX614FS	EAR99	8541.29.0095	1,500人													100伏	800毫安	100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.25V@8mA、800mA	10000@500mA，5V	-
MJD340T4	-	询价	7713	onsemi	-	切带 (CT)	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MJD34		15W	DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人													300伏	500毫安	100微安	NPN	-	30@50mA，10V	-
MJ11016G	8.2100	询价	7319	onsemi	-	托盘	的积极	-55°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	MJ11016		200W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100													120V	30A	1毫安	NPN-达林顿	4V@300mA，30A	1000 @ 20A，5V	4兆赫兹
FDS9945	0.6900	询价	8718	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS99	MOSFET（金属O化物）	1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		60V	3.5A		100mOhm@3.5A，10V	3V@250μA	13nC@5V		420pF@30V	逻辑电平门
KSC1173YTSTU	-	询价	7346	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	KSC1173		10W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50													30V	3A	1μA（ICBO）	NPN	800mV@200mA，2A	120@500mA，2V	100兆赫兹
BFL4001-1EX	-	询价	8242	onsemi	-	大部分	过时的	150℃（TA）	通孔	TO-220-3全包	BFL40	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3全包/TO-220F-3SG	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	900伏	6.5A（塔）	10V	2.7欧姆@3.25A，10V	-	44nC@10V	±30V	850pF@30V	-	2W（Ta）、37W（Tc）
SFT1342-W	-	询价	6786	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SFT1342	MOSFET（金属O化物）		异丙酚/TP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		P沟道	60V	12A（塔）	4V、10V	62毫欧@6A，10V	-	26nC@10V	±20V	1150pF@20V	-	1W（Ta）、15W（Tc）
FQU6N50CTU	-	询价	7147	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU6	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道	500V	4.5A（温度）	10V	1.2欧姆@2.25A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±30V	700pF@25V	-	2.5W（Ta）、61W（Tc）
KST2222AMTF	-	询价	6083	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	KST22		350毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	600毫安	10nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@150mA，10V	300兆赫
KSC1507O	-	询价	4936	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	KSC1507		15W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	200													300伏	200微安	100μA（ICBO）	NPN	2V@5mA、50mA	70@10mA，10V	80兆赫
MJH11017	-	询价	9220	onsemi	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3	MJH11		150W	SOT-93	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	MJH11017OS	EAR99	8541.29.0095	30													150伏	15A	1毫安	PNP-达林顿	4V@150mA，15A	400@10A，5V	3兆赫兹
BDX54BTU	-	询价	5246	onsemi	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BDX54		60W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50													80V	8A	500μA	PNP-达林顿	2V@12mA，3A	750 @ 3A、3V	-
FDMS3610S	-	询价	1933年	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMS3610	MOSFET（金属O化物）	1W	电源56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价		25V	17.5A、30A		5毫欧@17.5A，10V	2V@250μA	26nC@10V		1570pF@13V	逻辑电平门
2N5400_D26Z	-	询价	8936	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5400		625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000													120V	600毫安	100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@5毫安，50毫安	40@10mA，5V	400兆赫
FQD4N25TF	-	询价	9264	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD4	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	250伏	3A（温度）	10V	1.75欧姆@1.5A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、37W（Tc）
2N3962	-	询价	6911	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐	2N396		360毫W	TO-18	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	250													60V	200毫安	10纳安	国民党	400mV@5mA、50mA	100 @ 1mA，5V	-
NTD40N03R-001	-	询价	第1461章	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币40元	MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	25V	7.8A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@10A、10V	2V@250μA	5.78nC@4.5V	±20V	584pF@20V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²