晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SCH2822-TL-E	0.0500	询价	第285章	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
NSBA124EDXV6T1	-	询价	第1664章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSBA124			500毫W	SOT-563	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																	50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	60@5mA，10V	-	22k欧姆	22k欧姆
2SK4065-DL-E	-	询价	6982	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	2SK4065		MOSFET（金属O化物）		小型多普勒FD	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				75V	100A（塔）	4V、10V	6毫欧@50A，10V	-	220nC@10V	±20V	12200pF@20V	-	1.65W（Ta）、90W（Tc）
KSA733GBU	-	询价	4037	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	KSA733			250毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@1mA，6V	180兆赫
PN3642_D26Z	-	询价	8802	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN364			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	45V	500毫安	50纳安	NPN	220毫伏@15毫安，150毫安	40@150mA，10V	-
SMMBT4403LT1G	0.1900	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMMBT4403			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	40V	600毫安	-	国民党	750mV@50mA、500mA	100@150mA，2V	200兆赫
NTB75N06LT4G	-	询价	4527	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				60V	75A（塔）	5V	11毫欧@37.5A，5V	2V@250μA	92nC@5V	±20V	4370pF@25V	-	2.4W（Ta）、214W（Tj）
BC80716MTF	-	询价	1129	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807			310毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	800毫安	100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
FQA8N90C	-	询价	4918	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答8		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				900伏	8A（温度）	10V	1.9欧姆@4A，10V	5V@250μA	45nC@10V	±30V	2080pF@25V	-	240W（温度）
FDB3632-F085	-	询价	4972	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FDB3632		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				100伏	12A（塔）	10V	9毫欧@80A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	6000pF@25V	-	310W（温度）
MPSH17G	-	询价	3321	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSH17			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	MPSH17GOS	EAR99	8541.21.0075	5,000					24分贝												15V	-		NPN		25@5mA，10V	800兆赫			6dB@200MHz
J211_D27Z	-	询价	6812	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J211	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		20毫安	-	-											-
NTD20N06-001	-	询价	2031	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币20元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				60V	20A（塔）	10V	46毫欧@10A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1015pF@25V	-	1.88W（Ta）、60W（Tj）
FJAF4310YTU	-	询价	2571	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FJAF4310			80W	TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	360																	140伏	10A	10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@500毫安，5安	90@3A，4V	30兆赫兹
HUF75333P3	-	询价	6549	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				55V	66A（温度）	10V	16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
MTB75N06HD	-	询价	8533	onsemi	*	大部分	的积极										-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1
BC635_D27Z	-	询价	第1427章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC635			1W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																	45V	1A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	100兆赫兹
CPH3325-TL-E	0.1100	询价	第419章	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
FCMT180N65S3	5.0600	询价	7082	onsemi	SuperFET® III	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-PowerTSFN	FCMT180		MOSFET（金属O化物）		动力88	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				650伏	17A（温度）	10V	180mOhm@8.5A，10V	4.5V@1.8mA	33nC@10V	±30V	1350 pF @ 400 V	-	139W（温度）
NVLJWS5D0N03CLTAG	0.3652	询价	2146	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	6-PowerWDFN	NVLJWS5		MOSFET（金属O化物）		6-WDFNW (2.05x2.05)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVLJWS5D0N03CLTAGTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				30V	18A（Ta）、77A（Tc）	4.5V、10V	4.2毫欧@10A，10V	2V@250μA	20nC@10V	±20V	1350pF@15V	-	2.5W（Ta）、45W（Tc）
FDS9958	-	询价	6003	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS99		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）					60V	2.9A		105毫欧@2.9A，10V	3V@250μA	23nC@10V		1020pF@30V	逻辑电平门
FC18G-TL	0.1600	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
NTD23N03RT4	-	询价	2967	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币23元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				25V	3.8A（Ta）、17.1A（Tc）	4V、5V	45毫欧@6A，10V	2V@250μA	4.5V时为3.76nC	±20V	225pF@20V	-	1.14W（Ta）、22.3W（Tc）
HUF75637P3	-	询价	8206	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				100伏	44A（温度）	10V	30毫欧@44A，10V	4V@250μA	108nC@20V	±20V	1700pF@25V	-	155W（温度）
NTJD4105CT2	-	询价	8411	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	NTJD4105		MOSFET（金属O化物）	270毫W	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道					20V、8V	630毫安、775毫安		375毫欧@630mA，4.5V	1.5V@250μA	3nC@4.5V		46pF@20V	逻辑电平门
FDD86569-F085	1.4100	询价	7343	onsemi	汽车、AEC-Q101、PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD86569		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				60V	90A（温度）	10V	5.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	52nC@10V	±20V	2520pF@30V	-	150W（焦）
FQD19N10TM	0.8700	询价	1	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD19N10		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				100伏	15.6A（温度）	10V	100mOhm@7.8A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±25V	780pF@25V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
NTMFS4962NFT3G	-	询价	3985	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的					NTMFS4					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000
NTMFS08N2D5C	6.9400	询价	2	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	NTMFS08		MOSFET（金属O化物）		电源56	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				80V	166A（温度）	6V、10V	2.7毫欧@68A，10V	4V@380μA	84nC@10V	±20V	6240pF@40V	-	138W（温度）
BF245A_D27Z	-	询价	7912	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BF245	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道		6.5毫安	-	-											-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²