SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BC858CDW1T1 onsemi BC858CDW1T1 -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BC858 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 15NA(icbo) 2 PNP (双) 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
MMBT6520LT3G onsemi MMBT6520LT3G -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT6520 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 350 v 500 MA 50NA(iCBO) PNP 1V @ 5mA,50mA 20 @ 50mA,10v 200MHz
NTD4813NHT4G onsemi NTD4813NHT4G -
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NTD4813 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 7.6A(ta),40a(tc) 4.5V,11.5V 13mohm @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±20V 940 pf @ 12 V - 1.27W(TA),35.3W(tc)
BC183C onsemi BC183C -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC183 350兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 120 @ 2mA,5V 150MHz
KSD2058YTSTU onsemi KSD2058Ytstu -
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 KSD2058 1.5 w TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 200mA,2a 100 @ 500mA,5V 400kHz
BC846AWT1 onsemi BC846AWT1 -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC846 150兆 SC-70-3(SOT323) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
MJD32T4 onsemi MJD32T4 0.2100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MJD32 15 W DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 40 V 3 a 50µA PNP 1.2V @ 375mA,3a 10 @ 3A,4V 3MHz
MSD601-ST1 onsemi MSD601-ST1 -
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MSD60 200兆 SC-59 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA NPN 500mv @ 10mA,100mA 290 @ 2mA,10v -
DTA114TET1G onsemi DTA114TET1G 0.1900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTA114 200兆 SC-75,SOT-416 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 160 @ 5mA,10v 10 kohms
MGSF1P02LT1 onsemi MGSF1P02LT1 -
RFQ
ECAD 5025 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MGSF1 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 750mA(TA) 4.5V,10V 350MOHM @ 1.5A,10V 2.4V @ 250µA ±20V 130 pf @ 5 V - 400MW(TA)
FQPF19N20C onsemi FQPF19N20C 1.7400
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 Onmi QFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 FQPF19 MOSFET (金属 o化物) TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 19a(tc) 10V 170MOHM @ 9.5A,10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 43W(TC)
MPSA44 onsemi MPSA44 -
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 MPSA44 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000
MMBTA64LT3G onsemi MMBTA64LT3G 0.2100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA64 225兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) pnp-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
FQP2N50 onsemi FQP2N50 -
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP2 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 2.1A(TC) 10V 5.3OHM @ 1.05a,10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 V ±30V 230 pf @ 25 V - 55W(TC)
FDP10N60NZ onsemi FDP10N60NZ -
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 Onmi Unifet-II™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FDP10 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 10A(TC) 10V 750MOHM @ 5A,10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 1475 PF @ 25 V - 185W(TC)
SBCP53-16T1G onsemi SBCP53-16T1G 0.4200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA SBCP53 1.5 w SOT-223(TO-261) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 1.5 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 50MHz
KSC5305DTU onsemi KSC5305DTU -
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 KSC5305 75 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400 v 5 a 10µA(ICBO) NPN 500mv @ 400mA,2a 8 @ 2a,1V -
2N7002LT3 onsemi 2N7002LT3 -
RFQ
ECAD 8926 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N7002 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 115mA(tc) 5V,10V 7.5OHM @ 500mA,10V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 225MW(TA)
2N5245 onsemi 2N5245 -
RFQ
ECAD 9583 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 30 V 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 2N5245 - JFET TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 15mA - - -
BC212L onsemi BC212L -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC212 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 300 MA 15NA(icbo) PNP 600mv @ 5mA,100mA 60 @ 2mA,5V 200MHz
2SC4134S-TL-E onsemi 2SC4134S-TL-E 0.6700
RFQ
ECAD 519 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC4134 800兆 TP-FA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 700 100 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 400mv @ 40mA,400mA 140 @ 100mA,5V 120MHz
NSBC143ZPDXV6T5G onsemi NSBC143ZPDXV6T5G -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-563,SOT-666 NSBC143 500MW SOT-563 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 250mv @ 1mA,10mA 80 @ 5mA,10v - 4.7kohms 47kohms
2N3819_D27Z onsemi 2N3819_D27Z -
RFQ
ECAD 3446 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 25 v 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N3819 - JFET TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 n通道 50mA - - -
2SA2210-1E onsemi 2SA2210-1E 1.9700
RFQ
ECAD 545 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SA2210 2 w TO-220F-3SG 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 50 V 20 a 10µA(ICBO) PNP 500mv @ 350mA,7a 150 @ 1A,2V 140MHz
2N3904_J61Z onsemi 2N3904_J61Z -
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2N3904 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,500 40 V 200 ma - NPN 300mv @ 5mA,50mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
FDC654P onsemi FDC654P 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 FDC654 MOSFET (金属 o化物) SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 3.6a(ta) 4.5V,10V 75MOHM @ 3.6A,10V 3V @ 250µA 9 NC @ 10 V ±20V 298 pf @ 15 V - 1.6W(TA)
TIP29CG onsemi TIP29CG 1.1700
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TIP29 2 w TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 1 a 300µA NPN 700mv @ 125mA,1a 15 @ 1A,4V 3MHz
TIP110G onsemi TIP110G 0.8400
RFQ
ECAD 852 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TIP110 2 w TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 TIP110GOS Ear99 8541.29.0095 50 60 V 2 a 2mA npn-达灵顿 2.5V @ 8mA,2a 1000 @ 1A,4V -
KSP14BU onsemi KSP14BU -
RFQ
ECAD 7016 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) KSP14 625兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
DTC144EET1G onsemi dtc14444eet1g 0.1700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTC144 200兆 SC-75,SOT-416 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 47科姆斯 47科姆斯
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库