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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
MPSA18RLRM onsemi MPSA18RLRM -
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ECAD 7686 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) MPSA18 625毫W TO-92 (TO-226) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 200毫安 50nA(ICBO) NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 500@10mA,5V 160兆赫
NTMFS4744NT3G onsemi NTMFS4744NT3G -
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ECAD 8333 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN,5接口 NTMFS4 MOSFET(金属O化物) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 7A(塔) 4.5V、11.5V 7.6毫欧@30A,10V 2.5V@250μA 17nC@4.5V ±20V 1300pF@12V - 880mW(Ta)、47.2W(Tc)
FCPF20N60TYDTU onsemi FCPF20N60TYDTU -
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ECAD 8961 0.00000000 onsemi 超级场效应管™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,结构 FCPF20 MOSFET(金属O化物) TO-220F-3(Y形) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 20A(温度) 10V 190毫欧@10A,10V 5V@250μA 98nC@10V ±30V 3080pF@25V - 39W(温度)
FDU8870 onsemi FDU8870 -
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ECAD 6683 0.00000000 onsemi PowerTrench® 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA FDU88 MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,800 N沟道 30V 21A(Ta)、160A(Tc) 4.5V、10V 3.9毫欧@35A,10V 2.5V@250μA 118nC@10V ±20V 5160pF@15V - 160W(温度)
2SA1740E-TD-E onsemi 2SA1740E-TD-E 0.2200
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ECAD 12 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1
BC807-25WT1G onsemi BC807-25WT1G 0.2200
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC807 460毫W SC-70-3 (SOT323) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
FDV304P-F169 onsemi FDV304P-F169 0.1400
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ECAD 2798 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2832-FDV304P-F169TR EAR99 8541.21.0095 1,786 P沟道 25V 460mA(塔) 2.7V、4.5V 1.1欧姆@500mA,4.5V 1.5V@250μA 1.5nC@4.5V -8V 63pF@10V - 350毫W(塔)
NSS40300MZ4T1G onsemi NSS40300MZ4T1G 0.6800
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ECAD 238 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA NSS40300 2W SOT-223 (TO-261) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 40V 3A 100nA(ICBO) 国民党 400mV@300mA,3A 175@1A,1V 160兆赫
BC184LC_D27Z onsemi BC184LC_D27Z -
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ECAD 1804 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC184 625毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 30V 200毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 130@100mA,5V 150兆赫
FDMS003N08C onsemi FDMS003N08C 6.9800
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ECAD 5687 0.00000000 onsemi PowerTrench® 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN FDMS003 MOSFET(金属O化物) 电源56 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 80V 22A(Ta)、147A(Tc) 6V、10V 3.1毫欧@56A,10V 4V@310μA 73nC@10V ±20V 5350pF@40V - 2.7W(Ta)、125W(Tc)
FJAF6820TU onsemi FJAF6820TU -
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ECAD 6080 0.00000000 onsemi - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FJAF6820 60W TO-3PF 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30 750伏 20A 1毫安 NPN 3V@2.75A,11A 5.5@11A,5V -
FQP90N08 onsemi FQP90N08 -
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ECAD 1001 0.00000000 onsemi QFET® 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 FQP9 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 80V 71A(温度) 10V 16毫欧@35.5A,10V 4V@250μA 110nC@10V ±25V 3250pF@25V - 160W(温度)
2SC4363-AC onsemi 2SC4363-AC 0.1600
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ECAD 10 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,902 人
2SB1134S onsemi 2SB1134S 1.0000
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ECAD 7387 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1
KSA733CLBU onsemi KSA733CLBU -
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ECAD 1685 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@10毫安,100毫安 350@1mA,6V 180兆赫
2SA1417S-TD-E onsemi 2SA1417S-TD-E 0.7000
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SA1417 500毫W 五氯苯酚 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 100伏 2A 100nA(ICBO) 国民党 400mV@100mA,1A 100@100mA,5V 120兆赫
NSBC114EDXV6T1 onsemi NSBC114EDXV6T1 -
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ECAD 9873 0.00000000 onsemi * 切带 (CT) 过时的 NSBC114 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
BF423ZL1 onsemi BF423ZL1 -
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ECAD 9211 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) BF423 830毫W TO-92 (TO-226) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 250伏 500毫安 10nA(ICBO) 国民党 500mV@2mA、20mA 50@25mA,20V 60兆赫
KSC815CYBU onsemi KSC815CYBU -
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ECAD 2587 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) KSC815 400毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 45V 200毫安 100nA(ICBO) NPN 400毫伏@15毫安,150毫安 120@50mA,1V 200兆赫
PN4121 onsemi PN4121 -
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ECAD 1241 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) PN412 625毫W TO-92-3 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 40V 100毫安 25纳安 国民党 300毫伏@5毫安,50毫安 60@1mA,1V -
ZTX614 onsemi ZTX614 -
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ECAD 8374 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) ZTX614 1W TO-226 下载 1(无限制) REACH 不出行 ZTX614FS EAR99 8541.29.0095 1,500人 100伏 800毫安 100nA(ICBO) NPN-达林顿 1.25V@8mA、800mA 10000@500mA,5V -
BC307B_J35Z onsemi BC307B_J35Z -
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ECAD 8351 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BC307 500毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100毫安 15纳安 国民党 500毫伏@5毫安、100毫安 180@2mA,5V 130兆赫
KSE13009FTU onsemi KSE13009FTU 0.3200
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ECAD 82 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-KSE13009FTU-488 1
MCH6336-TL-H onsemi MCH6336-TL-H -
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ECAD 3711 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 6-SMD,写入 MCH63 MOSFET(金属O化物) 6-MCPH 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 12V 5A(塔) 1.8V、4.5V 43毫欧@3A,4.5V - 6.9nC@4.5V ±10V 660pF@6V - 1.5W(塔)
SCH2822-TL-E onsemi SCH2822-TL-E 0.0500
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ECAD 第285章 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 5,000
NSBA124EDXV6T1 onsemi NSBA124EDXV6T1 -
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ECAD 第1664章 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOT-563、SOT-666 NSBA124 500毫W SOT-563 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100毫安 500纳安 2 PNP - 预偏置(双) 250mV@300μA,10mA 60@5mA,10V - 22k欧姆 22k欧姆
2SK4065-DL-E onsemi 2SK4065-DL-E -
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ECAD 6982 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 2SK4065 MOSFET(金属O化物) 小型多普勒FD - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 75V 100A(塔) 4V、10V 6毫欧@50A,10V - 220nC@10V ±20V 12200pF@20V - 1.65W(Ta)、90W(Tc)
KSA733GBU onsemi KSA733GBU -
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ECAD 4037 0.00000000 onsemi - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@10毫安,100毫安 200@1mA,6V 180兆赫
PN3642_D26Z onsemi PN3642_D26Z -
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ECAD 8802 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PN364 625毫W TO-92-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 45V 500毫安 50纳安 NPN 220毫伏@15毫安,150毫安 40@150mA,10V -
SMMBT4403LT1G onsemi SMMBT4403LT1G 0.1900
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 SMMBT4403 300毫W SOT-23-3 (TO-236) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 - 国民党 750mV@50mA、500mA 100@150mA,2V 200兆赫
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库