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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NTMFS4823NT1G-IRH1	-	RFQ	2596	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4823NT1G-IRH1TR	过时的		1,500
NSTB1005DXV5T1G	0.0975	RFQ	8408	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50V		-	表面安装	SOT-553	NSTB1005			SOT-553	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000		100mA														1 npn，1 pnp- 预偏（二）
FQI5N40TU	-	RFQ	9499	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	FQI5	MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		400 v	4.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），70W（tc）
DWC010-TE-E	0.1500	RFQ	9	Onmi	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-DWC010-TE-E-488	Ear99	8541.10.0070	1
2SB1135R	-	RFQ	5138	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包			2 w	TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB1135R-488			1													50 V	7 a	100µA（ICBO）	PNP	400mv @ 400mA，4a	100 @ 1A，2V	10MHz
NJVMJD340T4G	0.7500	RFQ	9773	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NJVMJD340		1.56 w	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													300 v	500 MA	100µA	NPN	1V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz
2SC3331T-AA	0.0200	RFQ	713	Onmi	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
2SC3331T	0.0200	RFQ	6042	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,229
HUF75631S3ST	4.2400	RFQ	464	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-HUF75631S3STTR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	33A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
MBT2222ADW1T	0.0200	RFQ	18	Onmi	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
NSBC113EPDXV6T1G	0.0698	RFQ	9045	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBC113		500MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 5mA，10mA	3 @ 5mA，10v	-	1KOHM	1KOHM
Smun2232T1	-	RFQ	5443	Onmi	*	大部分	积极的						Smun2232				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				3,000
TE02462T	0.4500	RFQ	12	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
MCH3105-TL-E	-	RFQ	9777	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	MCH3105		800兆	3-MCPH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	3 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	360MHz
2SC3458L	1.0700	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FQPF9N50	-	RFQ	5377	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HUFA75309T3ST	-	RFQ	5853	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		55 v	3A（3A）	10V	70MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	352 PF @ 25 V	-	1.1W（TA）
kse44a11tu	-	RFQ	5576	Onmi	-	大部分	过时的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-KSE44A11TU	过时的		1
mps750rlrp	-	RFQ	3761	Onmi	-	大部分	过时的						MPS750				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
TE02196T	0.1900	RFQ	19	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
PTFFS40120AF	-	RFQ	8100	Onmi	-	大部分	上次购买						PTFFS40120				-				488-PTFFS40120AF			1
NJVMJK44H11TWG	1.0500	RFQ	3375	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NJVMJK44		20 w	LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000													80 V	8 a	1µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	85MHz
NTMFS4C922NAT3G	0.8003	RFQ	7091	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						NTMFS4				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTMFS4C922NAT3GTR	Ear99	8541.29.0095	5,000
NTMFS4C808NAT1G	0.5438	RFQ	3351	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500	n通道		30 V	（9A）（ta），52a（tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	（760MW）（TA），25.5W（tc）
NSCD21LT3G	-	RFQ	2732	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSCD21LT3GTR	过时的		5,000
MJD45H11TF-on	-	RFQ	3144	Onmi	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			1.75 w	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1													80 V	8 a	10µA	PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
NTD4865N-1G	-	RFQ	8383	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		25 v	8.5a（ta），44a（tc）	4.5V，10V	10.9Mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	10.8 NC @ 4.5 V	±20V	827 PF @ 12 V	-	1.27W（TA），33.3W（tc）
NTMFS4826NET1G	-	RFQ	1889年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		30 V	9.5A（TA），66A （TC）	4.5V，11.5V	5.9MOHM @ 30a，10V	2.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1850 pf @ 12 V	-	870MW（TA），41.7W（tc）
NDD60N360U1-1G	-	RFQ	7809	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NDD60	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±25V	790 pf @ 50 V	-	114W（TC）
FDS86267P	1.7000	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86267	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		150 v	2.2A（ta）	6V，10V	255mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	1130 PF @ 75 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²