晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SCH2822-TL-E	0.0500	询价	第285章	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
BC635_D27Z	-	询价	第1427章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC635			1W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000																	45V	1A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	100兆赫兹
BSR18A_D87Z	-	询价	5203	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSR18			350毫W	SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	40V	200毫安	50nA（ICBO）	国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
NSBA124EDXV6T1	-	询价	第1664章	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	NSBA124			500毫W	SOT-563	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																	50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	60@5mA，10V	-	22k欧姆	22k欧姆
NSS40300MZ4T1G	0.6800	询价	238	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NSS40300			2W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	40V	3A	100nA（ICBO）	国民党	400mV@300mA，3A	175@1A，1V	160兆赫
FQA9N90C	-	询价	8927	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答9		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道				900伏	9A（温度）	10V	1.4欧姆@4.5A，10V	5V@250μA	58nC@10V	±30V	2730pF@25V	-	280W（温度）
2N6517TA	0.4500	询价	17号	onsemi	-	切带 (CT)	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N6517			625毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	350伏	500毫安	50nA（ICBO）	NPN	1V@5mA、50mA	20@50mA，10V	200兆赫
2SK4065-DL-E	-	询价	6982	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	2SK4065		MOSFET（金属O化物）		小型多普勒FD	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				75V	100A（塔）	4V、10V	6毫欧@50A，10V	-	220nC@10V	±20V	12200pF@20V	-	1.65W（Ta）、90W（Tc）
BC328TA	-	询价	9438	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC328			625毫W	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	25V	800毫安	100纳安	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
2SJ651	1.2100	询价	4	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220ML	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	100		P沟道				60V	20A（塔）		60毫欧@10A、10V	-	45nC@10V		2200pF@20V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
TIP31ATU	-	询价	1218	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	提示31			2W	TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000																	60V	3A	300微安	NPN	1.2V@375mA，3A	10个@3A、4V	3兆赫兹
KSP64TA	-	询价	6889	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	KSP64			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																	30V	500毫安	100nA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	125兆赫
NTD23N03RT4	-	询价	2967	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币23元		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				25V	3.8A（Ta）、17.1A（Tc）	4V、5V	45毫欧@6A，10V	2V@250μA	4.5V时为3.76nC	±20V	225pF@20V	-	1.14W（Ta）、22.3W（Tc）
HUF75637P3	-	询价	8206	onsemi	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	匈牙利福林75		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				100伏	44A（温度）	10V	30毫欧@44A，10V	4V@250μA	108nC@20V	±20V	1700pF@25V	-	155W（温度）
CPH3247-TL-E	-	询价	3454	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				3,000
FDP15N40	-	询价	3918	onsemi	UniFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FDP15		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				400V	15A（温度）	10V	300毫欧@7.5A，10V	5V@250μA	36nC@10V	±30V	1750pF@25V	-	170W（温度）
FQD19N10TM	0.8700	询价	1	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD19N10		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				100伏	15.6A（温度）	10V	100mOhm@7.8A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±25V	780pF@25V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
NTMFS4962NFT3G	-	询价	3985	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的					NTMFS4					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000
2SB1134S	1.0000	询价	7387	onsemi	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
BF245A_D27Z	-	询价	7912	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BF245	-	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道		6.5毫安	-	-											-
BC807-25LT3G	0.1400	询价	37	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	45V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
FCPF20N60TYDTU	-	询价	8961	onsemi	超级场效应管™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，结构	FCPF20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3（Y形）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@250μA	98nC@10V	±30V	3080pF@25V	-	39W（温度）
HUF75344G3	3.9900	询价	50	onsemi	超场效应晶体管™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	匈牙利福林75344		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道				55V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	210nC@20V	±20V	3200pF@25V	-	285W（温度）
KSC2690YSTU	-	询价	6217	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSC2690			1.2W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60																	120V	1.2A	1μA（ICBO）	NPN	700mV@200mA，1A	160@300mA，5V	155兆赫
MPSH17G	-	询价	3321	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	MPSH17			350毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	MPSH17GOS	EAR99	8541.21.0075	5,000					24分贝												15V	-		NPN		25@5mA，10V	800兆赫			6dB@200MHz
NTMFS4701NT3G	-	询价	3509	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		N沟道				30V	7.7A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	3V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1280pF@24V	-	900毫W（塔）
NVMFS5C430NLWFT3G	-	询价	6270	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				40V	200A（温度）	4.5V、10V	1.5毫欧@50A，10V	2V@250μA	70nC@10V	±20V	4300pF@20V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）
FDPF5N50NZF	-	询价	9015	onsemi	UniFET-II™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FDPF5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道				500V	4.2A（温度）	10V	1.75欧姆@2.1A，10V	5V@250μA	12nC@10V	±25V	485pF@25V	-	30W（温度）
FDC658P	0.6700	询价	1	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC658		MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道				30V	4A（塔）	10V	50mOhm@4A，10V	3V@250μA	12nC@5V	±20V	750pF@15V	-	1.6W（塔）
BD678AG	-	询价	4998	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD678			40W	TO-126	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500																	60V	4A	500μA	PNP-达林顿	2.8V@40mA，2A	750@2A，3V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²