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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC635ZL1G	-	RFQ	4319	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC635		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	200MHz
TIP145G	-	RFQ	4683	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	提示145		125 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30														60 V	10 a	2mA	pnp-达灵顿	3V @ 40mA，10a	1000 @ 5A，4V	-
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KSD471ACYTA	0.4100	RFQ	3	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD471		800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
BCX79	-	RFQ	3450	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BCX79		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000														45 v	500 MA	10NA	PNP	600mv @ 2.5mA，100mA	80 @ 10mA，1V	-
2SC6094-TD-E	-	RFQ	3413	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC6094		1.3 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000														60 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	120mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，2V	390MHz
KSC2335RTU	-	RFQ	5360	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSC2335		1.5 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50														400 v	7 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 1a，5v	-
PN3565_D75Z	-	RFQ	2610	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN356		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000														25 v	500 MA	50NA（iCBO）	NPN	350mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，10v	-
FDZ1323NZ	1.5000	RFQ	60	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP	FDZ1323	MOSFET （金属 o化物）	500MW	6-WLCSP（1.3x2.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	5,000	2 n 通道（双）公共排水			20V	10a		13mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA	24NC @ 10V		2055pf @ 10V	逻辑级别门
BD157STU	-	RFQ	1294	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD157		20 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	60														250 v	500 MA	100µA（ICBO）	NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
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BC558B_J18Z	-	RFQ	6509	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC558		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
NTD3055-094T4G	0.9800	RFQ	1835年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD3055	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	12a（12a）	10V	94mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
NTLUS3A18PZTBG	0.6900	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
FQU6N50CTU	-	RFQ	7147	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU6	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），61W（TC）
MUN2136T1	-	RFQ	7947	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2136		230兆	SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms
BF959RL1	-	RFQ	6210	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BF959		625MW	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,000			-											20V	100mA		NPN		40 @ 20mA，10v	700MHz			3DB @ 200MHz
NTD5803NT4G	-	RFQ	1103	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD58	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	76A（TC）	5V，10V	7.2mohm @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	83W（TC）
MMBT4126	-	RFQ	7535	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4126		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000														25 v	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
FJE3303H2TU	0.7400	RFQ	6229	Onmi	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	FJE3303		20 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	60														400 v	1.5 a	10µA（ICBO）	NPN	3V @ 500mA，1.5a	14 @ 500mA，2V	4MHz
2N3905TAR	-	RFQ	4313	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3905		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000														40 V	200 ma	-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
FQPF3N40	-	RFQ	7402	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		400 v	1.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 800mA，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FQT7N10TF	0.6900	RFQ	2736	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FQT7N10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		100 v	1.7A（TC）	10V	350MOHM @ 850mA，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	2W（TC）
NVDS015N15MCT4G	2.0200	RFQ	2401	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		150 v	10.5A（ta），61.3a tc）	10V	15mohm @ 29a，10v	4.5V @ 162µA	27 NC @ 10 V	±20V	2120 PF @ 75 V	-	3.1W（TA），107.1W（tc）
FDMS8020	1.3200	RFQ	5834	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS80	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	26a（26a），42a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 26a，10v	3V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
TIP31C	-	RFQ	2704	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31		2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50														100 v	3 a	300µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FJP5021OV	-	RFQ	6858	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	200														500 v	5 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 600mA，5V	18MHz
2N5655G	-	RFQ	1099	Onmi	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	2N5655		20 w	TO-126	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500														250 v	500 MA	100µA	NPN	10V @ 100mA，500mA	30 @ 100mA，10mv	10MHz
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FDN5630	0.4800	RFQ	6660	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN563	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	1.7A（TA）	6V，10V	100mohm @ 1.7a，10v	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 15 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²