晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
EFC2J017NUZTDG	-	询价	8684	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-XFBGA、WLCSP	EFC2J017		MOSFET（金属O化物）	2.5W	6-WLCSP (1.77x3.05)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极					-	-		-	1.3V@1mA	95nC@4.5V		-	逻辑电平门，2.5V驱动
2SC3134-6-TB-E	-	询价	5870	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
NSV60600MZ4T1G	0.7200	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NSV60600			800毫W	SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																	60V	6A		100nA（ICBO）	国民党	350mV@600mA，6A	120@1A，2V	100兆赫兹
BC847BTT1G	0.1700	询价	9	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	BC847			225毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	100毫安		15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	100兆赫兹
BCX17LT1G	0.2200	询价	20	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCX17			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	BCX17LT1GOSTR	EAR99	8541.21.0095	3,000																	45V	500毫安		100nA（ICBO）	国民党	620mV@50mA、500mA	100@100mA，1V	-
NVMFD5C668NLT1G	3.2900	询价	5400	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	NVVMFD5		MOSFET（金属O化物）	3W（Ta）、57.5W（Tc）	8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-双)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人	2 个 N 沟道（双）					60V	15.5A（Ta）、68A（Tc）		6.5毫欧@20A，10V	2V@50μA	21.3nC@10V		1440pF@25V	-
ECH8617-TL-E	0.3600	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
NVMFS5C604NLT3G	-	询价	9660	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	非易失性存储器FS5		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道				60V	40A（塔）、287A（TC）	4.5V、10V	1.2毫欧@50A，10V	2V@250μA	120nC@10V	±20V	8900pF@25V	-	3.9W（Ta）、200W（Tc）
2N5486_D27Z	-	询价	6057	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5486	400兆赫	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		20毫安	-	-											4分贝			15V
FQB7N80TM_AM002	-	询价	2519	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB7		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				800V	6.6A（温度）	10V	1.5欧姆@3.3A，10V	5V@250μA	52nC@10V	±30V	1850pF@25V	-	3.13W（Ta）、167W（Tc）
VEC2415-TL-WZ	-	询价	1134	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	VEC2415		MOSFET（金属O化物）		SOT-28FL/VEC8	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					60V	3A（塔）		80毫欧@1.5A，10V	2.6V@1mA	10nC@10V		505pF@20V	-
NTP110N65S3HF	6.5700	询价	707	onsemi	FRFET®、SuperFET® III	大部分	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	NTP110		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				650伏	30A（温度）	10V	110毫欧@15A，10V	5V@740μA	62nC@10V	±30V	2635 pF @ 400 V	-	240W（温度）
FDP15N40	-	询价	3918	onsemi	UniFET™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	FDP15		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道				400V	15A（温度）	10V	300毫欧@7.5A，10V	5V@250μA	36nC@10V	±30V	1750pF@25V	-	170W（温度）
NTMJS1D6N06CLTWG	4.7500	询价	9371	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	NTMJS1		MOSFET（金属O化物）		8-LFPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道				60V	38A（Ta）、250A（Tc）	4.5V、10V	1.36毫欧@50A，10V	2V@250μA	91nC@10V	±20V	6660pF@25V	-	3.8W（Ta）、167W（Tc）
FQB4N25TM	-	询价	3525	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB4		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				250伏	3.6A（温度）	10V	1.75欧姆@1.8A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	3.13W（Ta）、52W（Tc）
FQD4N25TF	-	询价	9264	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD4		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道				250伏	3A（温度）	10V	1.75欧姆@1.5A，10V	5V@250μA	5.6nC@10V	±30V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、37W（Tc）
2N3962	-	询价	6911	onsemi	-	大部分	过时的		-	通孔	TO-206AA、TO-18-3金属罐	2N396			360毫W	TO-18	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	250																	60V	200毫安		10纳安	国民党	400mV@5mA、50mA	100 @ 1mA，5V	-
NTD40N03R-001	-	询价	第1461章	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币40元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道				25V	7.8A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@10A、10V	2V@250μA	5.78nC@4.5V	±20V	584pF@20V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
FDS8876	-	询价	5940	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS88		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				30V	12.5A（塔）	4.5V、10V	8.2毫欧@12.5A，10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±20V	1650pF@15V	-	2.5W（塔）
NTB75N03L09T4	-	询价	9000	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB75		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	NTB75N03L09T4OS	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				30V	75A（温度）	5V	8毫欧@37.5A，5V	2V@250μA	75nC@5V	±20V	5635pF@25V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
FDD6530A	-	询价	8984	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FDD653		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道				20V	21A（塔）	2.5V、4.5V	32mOhm@8A，4.5V	1.2V@250μA	9nC@4.5V	±8V	710pF@10V	-	3.3W（Ta）、33W（Tc）
KSC2690YSTU	-	询价	6217	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	KSC2690			1.2W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60																	120V	1.2A		1μA（ICBO）	NPN	700mV@200mA，1A	160@300mA，5V	155兆赫
NTMFS4701NT3G	-	询价	3509	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		N沟道				30V	7.7A（塔）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	3V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1280pF@24V	-	900毫W（塔）
2SA1774T1G	0.2000	询价	第573章	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SA1774			150毫W	SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安		500nA（ICBO）	国民党	500毫伏@5毫安，50毫安	120@1mA，6V	140兆赫
PN930	-	询价	1548	onsemi	-	大部分	过时的		-	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN930			625毫W	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	45V	100毫安		10纳安	NPN	1V@500μA，10mA	10@10μA，5V	-
KSD363YTU	1.4600	询价	3	onsemi	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	KSD363			40W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	2832-KSD363YTU	EAR99	8541.29.0095	50																	120V	6A		1mA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	120@1A，5V	10兆赫兹
FQB5N40TM	-	询价	5176	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FQB5		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道				400V	4.5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.25A，10V	5V@250μA	13nC@10V	±30V	460pF@25V	-	3.13W（Ta）、70W（Tc）
PN3645_D27Z	-	询价	8389	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN364			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																	60V	800毫安		35纳安	国民党	400毫伏@15毫安，150毫安	100@150mA，10V	-
FDG6321C-F169	-	询价	9476	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	FDG6321		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-70-6	下载		不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1	N 和 P 沟道					25V	500mA（塔）、410mA（塔）		450毫欧@500毫安，4.5伏，1.1欧姆@410毫安，4.5伏	1.5V@250μA	2.3nC@4.5V，1.5nC@4.5V		50pF@10V，62pF@10V	逻辑电平门
FW359-TL-E	-	询价	1713	onsemi	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²