晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
NVMFD5875NLT3G	-	询价	9537	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	NVMFD5875			MOSFET（金属O化物）	3.2W	8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-双)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）						60V	7A		33毫欧@7.5A，10V	3V@250μA	20nC@10V		540pF@25V	逻辑电平门
NVF5P03T3G	0.9600	询价	5	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	NVF5P03			MOSFET（金属O化物）		SOT-223 (TO-261)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道					30V	3.7A（塔）	4.5V、10V	100mOhm@5.2A，10V	3V@250μA	38nC@10V	±20V	950pF@25V	-	1.56W（塔）
PN100_D74Z	-	询价	第1257章	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	PN100				625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																				45V	500毫安							50纳安	NPN	400毫伏@20毫安，200毫安	100@150mA，5V	250兆赫
BD234STU	-	询价	5057	onsemi	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD234				25W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	60																				45V	2A							100μA（ICBO）	国民党	600mV@100mA，1A	25@1A，2V	3兆赫兹
2N5484_D26Z	-	询价	4370	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5484		400兆赫	结型场效应晶体管		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道		5毫安		-	-											4分贝										15V
BUB323ZT4	-	询价	8218	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BUB323				150W	D²PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	BUB323ZT4OS	EAR99	8541.29.0095	800																				350伏	10A							100微安	NPN-达林顿	1.7V@250mA，10A	500@5A，4.6V	2兆赫兹
FDMC2514SDC	-	询价	7273	onsemi	Dual Cool™、PowerTrench®、SyncFET™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	FDMC25			MOSFET（金属O化物）		双酷™ 33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					25V	24A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	3.5毫欧@22.5A，10V	3V@1mA	44nC@10V	±20V	2705pF@13V	-	3W（Ta）、60W（Tc）
FQPF1N60T	-	询价	3756	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF1			MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					600伏	900mA（温度）	10V	11.5欧姆@450mA，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	150pF@25V	-	21W（温度）
BF199_J35Z	-	询价	6928	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF199				350毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000						-														25V	50毫安								NPN		38@7mA，10V	1.1GHz			-
FJV3105RMTF	-	询价	6002	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FJV310				200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
FDS6812A	-	询价	第1659章	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS68			MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）						20V	6.7A		22毫欧@6.7A，4.5V	1.5V@250μA	19nC@4.5V		1082pF@10V	逻辑电平门
MPSA05RLRMG	-	询价	5729	onsemi	-	切带 (CT)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSA05				625毫W	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																				60V	500毫安							100纳安	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
FQU3N40TU	-	询价	5773	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	FQU3			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道					400V	2A（温度）	10V	3.4欧姆@1A，10V	5V@250μA	10V时为7.5nC	±30V	230pF@25V	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
BC548TFR	-	询价	9238	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC548				500毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																				30V	100毫安							15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	110@2mA，5V	300兆赫
FCH099N65S3_F155	-	询价	8051	onsemi	SuperFET® III	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	FCH099			MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道					650伏	30A（温度）	10V	99毫欧@15A，10V	4.5V@3mA	61nC@10V	±30V	2480 pF @ 400 V	-	227W（温度）
EFC6617R-A-TF	-	询价	8230	onsemi	*	卷带式 (TR)	的积极			-	-	EFC6617			-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2156-EFC6617R-A-TF-488	EAR99	8541.29.0095	5,000															-
NTHD3133PFT3G	-	询价	8864	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	NTHD31			MOSFET（金属O化物）		芯片FET™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10,000		P沟道					20V	3.2A（Tj）	1.8V、4.5V	80毫欧@3.2A，4.5V	1.5V@250μA	7.4nC@4.5V	±8V	680pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.1W（塔）
NTD24N06T4G	-	询价	3834	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	新台币24元			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					60V	24A（塔）	10V	42mOhm@10A，10V	4V@250μA	48nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	1.36W（Ta）、62.5W（Tj）
BU406	-	询价	9534	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	BU406				60W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,200																				200V	7A							5毫安	NPN	1V@500mA，5A	-	10兆赫兹
BC856ALT1G	0.1300	询价	3	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC856				300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				65V	100毫安							15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	125@2mA，5V	100兆赫兹
TN6715A	-	询价	2489	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	TN6715				1W	TO-226-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人																				40V	1.5A							100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	50@1A、1V	-
SGF40N60UFTU	-	询价	6500	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	SGF40	标准			100W	TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	360				300V，20A，10欧姆，15V															-	600伏	40A	160A	2.6V@15V，20A	160μJ（开），200μJ（关）	97℃	15纳秒/65纳秒
NGTB25N120FL2WAG	-	询价	6341	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	NGTB25	标准			385W	TO-247-4L	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				600V，50A，10欧姆，15V														136纳秒	场站	1200伏	100A	100A	2.4V@15V，25A	990μJ（开），660μJ（关）	181nC	17纳秒/113纳秒
肌电图2DXV5T1	-	询价	6645	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-553	肌电图2DX				230毫W	SOT-553	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安							500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	80@5mA，10V	-	47k欧姆	47k欧姆
STMFS5C628NLT1G	3.5300	询价	3158	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极					STMFS5						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	1,500人
MPSA65_D75Z	-	询价	7018	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	MPSA65				625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																				30V	1.2A							100nA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	100兆赫兹
NSBC143EDP6T5G	0.1054	询价	7963	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-963	NSBC143				339毫W	SOT-963	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安							500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	250mV@1mA、10mA	15@5mA，10V	-	4.7k欧姆	4.7k欧姆
NVMYS4D6N04CLTWG	0.7000	询价	第1594章	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1023、4-LFPAK	NVMYS4			MOSFET（金属O化物）		LFPAK4 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					40V	21A（Ta）、78A（Tc）	4.5V、10V	4.5毫欧@35A，10V	2V@40μA	23nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	3.6W（Ta）、50W（Tc）
2N6520BU	-	询价	6780	onsemi	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N6520				625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000																				350伏	500毫安							50nA（ICBO）	国民党	1V@5mA、50mA	20@50mA，10V	200兆赫
NTMFS5C460NLT3G	1.7500	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS5			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	78A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@35A，10V	2V@250μA	23nC@10V	±20V	1300pF@20V	-	3.6W（Ta）、50W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²