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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	功率 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MJ11016G	8.2100	RFQ	7319	Onmi	-	托盘	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	MJ11016		200 w	TO-204（TO-3）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100													120 v	30 a	1ma	npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	4MHz
BC856ALT1G	0.1300	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
FJP5021R	-	RFQ	3357	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FJP5021		50 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200													500 v	5 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 600mA，3a	15 @ 600mA，5V	18MHz
2N5089BU	-	RFQ	3793	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5089		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2N5089BU-NDR	Ear99	8541.21.0095	1,000													25 v	100 ma	50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
MPSA44	-	RFQ	1022	Onmi	-	大部分	过时的				MPSA44				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
FDME510PZT	0.9100	RFQ	10	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn	FDME510	MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	37mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	22 NC @ 4.5 V	±8V	1490 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
2SD1801S-TL-E	-	RFQ	3341	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SD1801		800兆	TP-FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	700													50 V	2 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，1a	100 @ 100mA，2V	150MHz
NTD4863NA-1G	-	RFQ	8194	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	25 v	9.2A（ta），49a （TC）		9.3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V		990 pf @ 12 V	-	1.27W（ta），36.6w（tc）
NSCT817-25LT1G	-	RFQ	2906	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSCT81		225兆	SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FCP290N80	4.9000	RFQ	3575	Onmi	SuperFet®II	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP290	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 1.7mA	75 NC @ 10 V	±20V	3205 PF @ 100 V	-	212W（TC）
BC639-16ZL1	-	RFQ	9047	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC639		625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
SPS9401QRLM	-	RFQ	8993	Onmi	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响				1
NSVMMUN2217LT1G	0.3300	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2217		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	35 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	10 kohms
BD436STU	-	RFQ	1116	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD436		36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-BD436STU	Ear99	8541.29.0095	1,920													32 v	4 a	100µA	PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
MPSA65_D26Z	-	RFQ	4516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA65		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	1.2 a	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	100MHz
2n6667g	-	RFQ	1424	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6667		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													60 V	10 a	1ma	pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
NTLUS3A18PZTBG	0.6900	RFQ	3	Onmi	µ -Cool™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	ntlus3	MOSFET （金属 o化物）		6-udfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	5.1a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 7a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2240 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
FDMS8020	1.3200	RFQ	5834	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS80	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	26a（26a），42a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 26a，10v	3V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），65W（tc）
NTTFS4929NTAG	-	RFQ	9041	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4929	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	30 V	6.6a（ta），34A（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	920 PF @ 15 V	-	810MW（TA），22.3W（tc）
NTD5803NT4G	-	RFQ	1103	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD58	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	76A（TC）	5V，10V	7.2mohm @ 50a，10v	3.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	83W（TC）
NTD3055-094T4G	0.9800	RFQ	1835年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD3055	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12a（12a）	10V	94mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），48W（tj）
KSD471ACYTA	0.4100	RFQ	3	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD471		800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
FQT7N10TF	0.6900	RFQ	2736	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FQT7N10	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	100 v	1.7A（TC）	10V	350MOHM @ 850mA，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	250 pf @ 25 V	-	2W（TC）
FDS8926A	-	RFQ	2310	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.5a		30mohm @ 5.5A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 4.5V		900pf @ 10V	逻辑级别门
MCH6307-G-TL-E	0.0500	RFQ	2	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
MMBT4126	-	RFQ	7535	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT4126		350兆	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													25 v	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
BC635ZL1G	-	RFQ	4319	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC635		625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000													45 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	200MHz
NSVT3904DP6T5G	0.1265	RFQ	7891	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-963	NSVT3904		350MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													40V	200mA	-	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	200MHz
2SC6094-TD-E	-	RFQ	3413	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SC6094		1.3 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													60 V	3 a	1µA（ICBO）	NPN	120mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，2V	390MHz
MUN2136T1	-	RFQ	7947	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MUN2136		230兆	SC-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v		100 kohms	100 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²