晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SCH1337-TL-W	-	询价	1011	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SCH133		MOSFET（金属O化物）		SOT-563/SCH6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000	P沟道		30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@1A，10V	2.6V@1mA	10V时为3.9nC	±20V	172pF@10V	-	800毫W（塔）
FDS3512	2.7600	询价	3066	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS35		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		80V	4A（塔）	6V、10V	70毫欧@4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	634 pF @ 40 V	-	2.5W（塔）
FQAF65N06	-	询价	2795	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-3P-3全包	FQAF6		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		60V	49A（温度）	10V	16毫欧@24.5A，10V	4V@250μA	65nC@10V	±25V	2410pF@25V	-	86W（温度）
FDMS7670	1.4000	询价	8	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	频域地铁76		MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	FDMS7670TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		30V	21A（Ta）、42A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@21A，10V	3V@250μA	56nC@10V	±20V	15V时为4105pF	-	2.5W（Ta）、62W（Tc）
FDP5645	-	询价	9411	onsemi	PowerTrench®	管子	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	FDP56		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		60V	80A（塔）	6V、10V	9.5毫欧@40A，10V	4V@250μA	107nC@10V	±20V	4468pF@30V	-	125W（温度）
NTB5605PT4G	-	询价	7899	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	NTB5605		MOSFET（金属O化物）		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	P沟道		60V	18.5A（塔）	5V	140mOhm@8.5A，5V	2V@250μA	22nC@5V	±20V	1190pF@25V	-	88W（温度）
BD140	-	询价	3427	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD140			1.25W	TO-126	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500														80V	1.5A					100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	-
ISL9V3040P3	2.9800	询价	3021	onsemi	生态SPARK®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	ISL9V3040	逻辑		150W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		300V、1kΩ、5V											-	430伏	21A	1.6V@4V，6A	-	17nC	-/4.8μs
NVC6S5A354PLZT1G	-	询价	9009	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	雷士6S5		MOSFET（金属O化物）		6-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道		60V	4A（塔）	4V、10V	100mOhm@2A，10V	2.6V@1mA	14nC@10V	±20V	600pF@20V	-	1.9W（塔）
FDMA86251	0.9800	询价	9200	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	频分多址86		MOSFET（金属O化物）		6-MicroFET (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		150伏	2.4A（塔）	6V、10V	175毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	5.8nC@10V	±20V	75V时为363pF	-	2.4W（塔）
NVD6416ANLT4G-VF01	1.1600	询价	1	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	NVD6416		MOSFET（金属O化物）		DPAK-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道		100伏	19A（TC）	4.5V、10V	74毫欧@19A，10V	2.2V@250μA	40nC@10V	±20V	1000pF@25V	-	71W（温度）
2N5320	-	询价	6597	onsemi	-	大部分	过时的	-	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐	2N532			10W	TO-39	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200														75V	2A					-	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	30@500mA，4V	-
FDMC8360LET40	2.0700	询价	5073	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	FDMC8360		MOSFET（金属O化物）		电源33	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道		40V	27A（Ta）、141A（Tc）	4.5V、10V	2.1毫欧@27A，10V	3V@250μA	80nC@10V	±20V	5300pF@20V	-	2.8W（Ta）、75W（Tc）
EFC8822R-TF	-	询价	5806	onsemi	*	卷带式 (TR)	过时的				EFC8822		-			-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	5,000											-
NTD40N03R-1G	-	询价	8070	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币40元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道		25V	7.8A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	16.5毫欧@10A、10V	2V@250μA	5.78nC@4.5V	±20V	584pF@20V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
MUN5212DW1T1G	0.2500	询价	67	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	模联5212			250毫W	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	250mV@300μA，10mA	60@5mA，10V	-	22k欧姆	22k欧姆
2SK4065-E	-	询价	1719	onsemi	-	包	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK4065		MOSFET（金属O化物）		表面活性剂	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100	N沟道		75V	100A（塔）	4V、10V	6毫欧@50A，10V	-	220nC@10V	±20V	12200pF@20V	-	1.65W（Ta）、90W（Tc）
FQI9N50CTU	-	询价	1168	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	FQI9		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		500V	9A（温度）	10V	800毫欧@4.5A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±30V	1030pF@25V	-	135W（温度）
NTMFS4946NT1G	-	询价	3650	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4946		MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道		30V	12.7A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、11.5V	3.4毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	53nC@11.5V	±20V	12V时为3250pF	-	890mW（Ta）、55.5W（Tc）
FQNL1N50BTA	-	询价	9187	onsemi	QFET®	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	FQNL1		MOSFET（金属O化物）		TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道		500V	270mA（温度）	10V	9欧姆@135mA，10V	3.7V@250μA	5.5nC@10V	±30V	150pF@25V	-	1.5W（温度）
MPSW45AZL1	-	询价	6313	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	MPSW45			1W	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,000														50V	1A					100nA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@2mA，1A	25000@200mA，5V	100兆赫兹
FJD5304DTF	0.8800	询价	7065	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FJD5304			30W	TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000														400V	4A					100微安	NPN	1.5V@500mA，2.5A	8 @ 2A，5V	-
DTA143EM3T5G	0.0507	询价	8	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	DTA143			260毫W	SOT-723	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	8,000														50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、10mA	15@5mA，10V		4.7欧姆	4.7欧姆
SCH1331-TL-H	-	询价	6971	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SCH133		MOSFET（金属O化物）		6-SCH	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	P沟道		12V	3A（塔）	1.5V、4.5V	84毫欧@1.5A，4.5V	-	5.6nC@4.5V	±10V	405pF@6V	-	1W（塔）
NTD60N03-001	-	询价	1734	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币60元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道		28V	60A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	30nC@4.5V	±20V	2150pF@24V	-	75W（温度）
NTD3813N-1G	-	询价	5049	onsemi	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	新台币38元		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道		16V	9.6A（Ta）、51A（Tc）	4.5V、10V	8.75毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	12.8nC@4.5V	±16V	963pF@12V	-	1.2W（Ta）、34.9W（Tc）
MJ11032G	14.0600	询价	第465章	onsemi	-	托盘	的积极	-55°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE	MJ11032			300W	TO-204 (TO-3)	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100														120V	50A					2毫安	NPN-达林顿	3.5V@500mA，50A	1000 @ 25A，5V	-
PN3638_J05Z	-	询价	9269	onsemi	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN363			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,500人														25V	800毫安					35纳安	国民党	1V@30mA、300mA	30@300mA，2V	-
BC807-25LT1G	0.1500	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC807			300毫W	SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														45V	500毫安					100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
BD13510S	-	询价	2436	onsemi	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3	BD135			1.25W	TO-126-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250														45V	1.5A					100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²