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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BD37610STU	-	RFQ	4038	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD376		25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60												45 v	2 a	2µA（ICBO）	PNP	1V @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	-
2SA2013-TD-E	0.7000	RFQ	683	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SA2013		3.5 w	pcp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000												50 V	4 a	1µA（ICBO）	PNP	340mv @ 100mA，2a	200 @ 500mA，2V	400MHz
NSVMMUN2232LT3G	0.0429	RFQ	4738	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMMUN2232		246兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-NSVMMUN22232LT3GTR	Ear99	8541.21.0095	10,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	15 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	4.7科姆斯
NSTB1004DXV5T1	0.0500	RFQ	300	Onmi	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000
NJL4281DG	-	RFQ	1081	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-5	NJL4281		230 w	TO-264	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25												350 v	15 a	100µA	NPN +二极管（隔离）	1V @ 800mA，8a	80 @ 5A，5V	35MHz
NTTFS4C05NTWG	1.2500	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1988 pf @ 15 V	-	820MW（TA），33W（tc）
NSTB60BDW1T1G	0.3100	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	NSTB60		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												50V	150mA	500NA	1 NPN预偏，1 pnp	250mv @ 5mA，10mA / 500mv @ 5mA，50mA	80 @ 5mA，10v / 120 @ 5mA，10v	140MHz	22KOHMS	47kohms
KSB1116GTA	-	RFQ	1604	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSB11		750兆w	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												50 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
KSA1156YSTU	-	RFQ	8393	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSA1156		1 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60												400 v	500 MA	100µA（ICBO）	PNP	1V @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，5V	-
2N2484	-	RFQ	9379	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-18-2金属可以	2N2484		360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500												60 V	50 mA	-	NPN	350mv @ 100µA，1mA	150 @ 2mA，5V	-
2N4124_S00Z	-	RFQ	7293	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4124		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												25 v	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
BC559B	-	RFQ	3513	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC559		500兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
NSBA143ZDXV6T1	-	RFQ	5315	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA143		500MW	SOT-563	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												50V	100mA	500NA	2 PNP-）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	4.7kohms	47kohms
MTB52N06VL	0.3300	RFQ	946	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	946
NTD4804N-1G	-	RFQ	9955	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	14.5A（TA），124A （TC）	4.5V，11.5V	4mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4490 pf @ 12 V	-	1.43W（ta），107W（tc）
FQPF6N40C	-	RFQ	1225	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
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MPS751	0.4500	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPS751		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000												60 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
BC184L_J35Z	-	RFQ	2976	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC184		350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	500 MA	15NA（icbo）	NPN	250mv @ 5mA，100mA	130 @ 100mA，5V	150MHz
NTTFS4840NTAG	-	RFQ	5901	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NTTFS4	MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	4.6A（TA），26a （TC）	4.5V，11.5V	24mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 15 V	-	840MW（TA），27.8W（tc）
MPSA92_J22Z	-	RFQ	5966	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA92		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,500												300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
TIP126TU	-	RFQ	8224	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP126		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50												80 V	5 a	2mA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
FDB075N15A-F085	4.4100	RFQ	220	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB075	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	110A（TC）	10V	7.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5595 PF @ 75 V	-	333W（TC）
NTB125N02RT4G	-	RFQ	3285	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB12	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NTB125N02RT4GOS	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	24 V	（95a）（ta），120.5A （TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 20 V	-	1.98W（TA），113.6W（tc）
15C02SS-TL-E	0.0500	RFQ	64	Onmi	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000
FJY3015R	-	RFQ	1448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	FJY301			SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2N3703	-	RFQ	2771	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N3703		625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000												30 V	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，5v	100MHz
BC80716MTF	-	RFQ	1129	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	800 MA	100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BD679AS	0.7500	RFQ	7795	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD679		40 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000												80 V	4 a	500µA	npn-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
2N3725	-	RFQ	7171	Onmi	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3725		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	200												50 V	1 a	10µA	NPN	950mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²